1、 1编辑版ppt主要内容主要内容6.1 导电性导电性6.2 超导性超导性6.3 热传导与热电效应热传导与热电效应6.4 材料的介电性能材料的介电性能2编辑版ppt6.1 导电性导电性l6.1.1 自由电子近似下的导电自由电子近似下的导电l6.1.2能带理论下的导电性能带理论下的导电性l6.1.3导电性与温度的关系导电性与温度的关系l6.1.4电阻率与杂质的关系电阻率与杂质的关系l6.1.5 霍尔效应霍尔效应l6.1.6电导功能材料电导功能材料3编辑版ppt6.1.1 自由电子近似下的导电自由电子近似下的导电（1）经典自由电子理论）经典自由电子理论 欧姆定律：电流密度与电场强度成正比：欧姆定律：
2、电流密度与电场强度成正比：J=E：称为电导率，电阻率：称为电导率，电阻率的倒数。的倒数。l 经典自由电子理论经典自由电子理论：当有电场存在时，材料中无规则热运：当有电场存在时，材料中无规则热运动的自由电子受电场力作用作加速运动。当电子与晶格原动的自由电子受电场力作用作加速运动。当电子与晶格原子碰撞时停止，运动受到阻力，即电阻的来源。子碰撞时停止，运动受到阻力，即电阻的来源。l 设电场强度为设电场强度为E，单位体积内的自由电子数为，单位体积内的自由电子数为n，电子两，电子两次碰撞的平均自由时间（弛豫时间）为次碰撞的平均自由时间（弛豫时间）为 ，电子的平均漂移，电子的平均漂移速度为速度为v，电子的
3、电量为，电子的电量为e，质量为，质量为m,则价电子受到的力则价电子受到的力4编辑版ppt所以有所以有电流密度电流密度所以电导率所以电导率其中其中l=v为电子的平均自由程。为电子的平均自由程。成功地给出了成功地给出了电导率和电导率与热导率的关系电导率和电导率与热导率的关系，但，但实际测得的电子平均自由程比经典理论估计的要大得多，且实际测得的电子平均自由程比经典理论估计的要大得多，且无法解释导体、半导体和绝缘体的差异。无法解释导体、半导体和绝缘体的差异。5编辑版ppt（2）量子自由电子理论）量子自由电子理论l 考虑量子效应，在自由电子近似下，仅费米面附近的电考虑量子效应，在自由电子近似下，仅费米面
4、附近的电子运动未被抵消，对导电性有贡献。子运动未被抵消，对导电性有贡献。在此情况下在此情况下 与经典自由电子理论下的电导率的形式相与经典自由电子理论下的电导率的形式相同。同。F,lF,vF分别是费米面附近的电子的分别是费米面附近的电子的弛豫时间、平均自由程和运动速度。弛豫时间、平均自由程和运动速度。l 按此模型可以成功地解释碱金属的电导。按此模型可以成功地解释碱金属的电导。l 但对其他金属，如过渡金属，其电子结构复杂，电子分布不是简单的但对其他金属，如过渡金属，其电子结构复杂，电子分布不是简单的费米球，必须用能带理论才能解释其导电性。费米球，必须用能带理论才能解释其导电性。6编辑版pptl 实
5、际晶体的电子是以布洛赫波传导，电子的能量分布服从实际晶体的电子是以布洛赫波传导，电子的能量分布服从费米费米狄拉克统计。狄拉克统计。自由电子模型的费米球和自由电子模型的费米球和费米费米-狄拉克分布函数狄拉克分布函数 对于自由电子近似，电子处于对于自由电子近似，电子处于动量空间动量空间(Px，Py，Pz)中，从原点中，从原点开始，每个体积中依次占有两个电开始，每个体积中依次占有两个电子，子，n个电子处于填满球形的状态。个电子处于填满球形的状态。这个球称为这个球称为费米球费米球，球表面称，球表面称为为费米面费米面，球表面上的电子能量，球表面上的电子能量(最大的电子能最大的电子能)称为称为费米能费米能
6、。7编辑版ppt在有限温度下，热激发引起球面混乱，即电子的占有几率在有限温度下，热激发引起球面混乱，即电子的占有几率服从服从费米费米狄拉克狄拉克统计分布：统计分布：11)(/)(kTEEFeEF热激发引起的电子占有几率小于热激发引起的电子占有几率小于1的能量幅为的能量幅为kT(T300K时时为为0.025eV)。费米能为几个费米能为几个ev，因此，即使在有限温度，因此，即使在有限温度，费米球混乱也只费米球混乱也只在最表面在最表面。8编辑版pptl如果不施加电场，电子作各向同性运动，没有电流流动；如果不施加电场，电子作各向同性运动，没有电流流动；l如果在某个方向上施加一个电压，电子的速度分布应该
7、偏向如果在某个方向上施加一个电压，电子的速度分布应该偏向该方向，有净电流流动。该方向，有净电流流动。弛豫时间弛豫时间：系统恢复到平衡状态的时间。：系统恢复到平衡状态的时间。l弛豫时间弛豫时间是电子能量的函数是电子能量的函数，以费米能级电子的弛豫时间，以费米能级电子的弛豫时间控制。控制。电导率电导率mneF/29编辑版pptl自由电子近似对碱金属等纯金属成立自由电子近似对碱金属等纯金属成立，但对过镀金属等，但对过镀金属等具具有复杂电子结构的金属不成立有复杂电子结构的金属不成立，这类金属的导电性必须，这类金属的导电性必须根据根据能带理能带理论处理。论处理。自由近似电子的自由近似电子的E-K曲线曲线
8、电子有效质量电子有效质量m*由德布罗意关系式由德布罗意关系式kp和和*22mpE 得得)/(*222dkEdm即采用即采用E-K曲线的曲率决定电子的有效质量。曲线的曲率决定电子的有效质量。10编辑版ppt有效电子数有效电子数n*设一维晶格的长度为设一维晶格的长度为L，dk范围内包含的电子数为范围内包含的电子数为(L/2)dk,则则FkkokkkkdkdELmdkdkEdLmdkfLnFFF)(22*2222n*只由费米水平上的只由费米水平上的E-K曲线的形状决定。曲线的形状决定。u自由电子情况下的自由电子情况下的E-K曲线是抛物线，但一般情况下却不是曲线是抛物线，但一般情况下却不是抛物线。因此
9、抛物线。因此根据根据E-K曲线的形状决定曲线的形状决定n*将会有很大的变化将会有很大的变化。11编辑版ppt6.1.2 能带理论下的导电性能带理论下的导电性在能带理论下，有在能带理论下，有 n*：有效电子数，表示单位体积内实际参加传导过程的电子数；：有效电子数，表示单位体积内实际参加传导过程的电子数；m*：电子的有效质量，是考虑晶体点阵对电场作用的结果。：电子的有效质量，是考虑晶体点阵对电场作用的结果。l 该公式不仅适用于金属，也适用于非金属该公式不仅适用于金属，也适用于非金属。对碱金属，。对碱金属，n*=n，m*=m，即与自由电子的假设形式相同。，即与自由电子的假设形式相同。l 不同的材料有
10、不同的不同的材料有不同的n*，导致其导电性的很大差异，导致其导电性的很大差异。12编辑版ppt(1)一价元素一价元素IA族碱金属族碱金属Li,Na,K,Rb,Cs 和和IB族族Cu,Ag,Au价带价带s 电子半充满，良导体。电阻率电子半充满，良导体。电阻率=10-610-2m13编辑版ppt(2)二价元素二价元素IIA 族碱土金属族碱土金属Be,Mg,Ca,Sr,Ba和和IIB族族Zn,Cd,Hg价带价带s 电子充满，应为绝缘体。但在三维晶体，能带交叠，电子充满，应为绝缘体。但在三维晶体，能带交叠，费米能级以上无禁带，导体。费米能级以上无禁带，导体。14编辑版ppt(3)三价元素三价元素III
11、A 族族Al,Ga,In,Tl，s电子充满，电子充满，p电子半充满，导体。电子半充满，导体。(4)四价元素四价元素IVA 族族Si,Ge，价带填满，导带空，有能隙，价带填满，导带空，有能隙Eg。l 对对Si,Ge,Eg分别为分别为0.67eV,1.14eV，室温下价带电子受热激，室温下价带电子受热激发进入导带，成为传导电子发进入导带，成为传导电子低温下绝缘体，室温下半低温下绝缘体，室温下半导体。导体。温度升高，导电性增加温度升高，导电性增加。15编辑版ppt(5)五价元素五价元素l As,Sb,Bi，每个原子有，每个原子有5 个价电子，每个原胞有两个原子，个价电子，每个原胞有两个原子，使五个带
12、填使五个带填10 个电子，几乎全满。有效电子很少，比一个电子，几乎全满。有效电子很少，比一般金属少般金属少4 个数量级个数量级半金属半金属16编辑版ppt(6)离子晶体离子晶体l 能带结构与四价元素相同，但能带结构与四价元素相同，但Eg很大，一般有效电子数很大，一般有效电子数是是0，为绝缘体。，为绝缘体。l 例：例：NaCl，Na+的的3s 电子移到电子移到Cl-的的3p 轨道，轨道，3s 成为空成为空带，带，3p成为满带，其间是成为满带，其间是10eV的禁带，热激发不能使之的禁带，热激发不能使之进入导带。进入导带。17编辑版ppt6.1.3 导电性与温度的关系导电性与温度的关系 电阻电阻的的
13、来源来源l 能带理论认为能带理论认为：能带中的电子可在晶格中自由运动，：能带中的电子可在晶格中自由运动，因此因此电子波通过理想晶体点阵电子波通过理想晶体点阵(0K）时不受散射，电阻）时不受散射，电阻为为0。l 电阻的来源：破坏晶格周期性的因素对电子的散射。电阻的来源：破坏晶格周期性的因素对电子的散射。A.杂质和缺陷（空位、间隙原子、位错、晶界等）。杂质和缺陷（空位、间隙原子、位错、晶界等）。B.声子：晶格振动波的能量子声子：晶格振动波的能量子。u 晶格热振动晶格热振动：晶体中的原子以平衡：晶体中的原子以平衡位置为中心不停地振动，在弹性范位置为中心不停地振动，在弹性范围内交替聚拢和分离。围内交替
14、聚拢和分离。u 晶格热振动有波的形式，称为晶格晶格热振动有波的形式，称为晶格波（点阵波），其能量是量子化的。波（点阵波），其能量是量子化的。18编辑版ppt弛豫时间弛豫时间F：平均自由平均自由程程F：有点缺陷、位错和晶界等晶体缺陷决定。：有点缺陷、位错和晶界等晶体缺陷决定。FFFV19编辑版ppt电阻与温度的关系电阻与温度的关系 对理想晶体，由于只有声子散射电子，所以电子的平均对理想晶体，由于只有声子散射电子，所以电子的平均自由程自由程lF由声子数目决定。声子数目随温度升高而增多，由声子数目决定。声子数目随温度升高而增多，在不同的温度范围有不同的规律。在不同的温度范围有不同的规律。20编辑版p
15、pt6.1.2 导电性与温度的关系导电性与温度的关系高温时的电阻高温时的电阻德拜温度德拜温度TD：具有原子间距波长的声子被激发的温度。：具有原子间距波长的声子被激发的温度。声子的波长越长，能量越低；低温下只有长波长的声子被热激发。声子的波长越长，能量越低；低温下只有长波长的声子被热激发。爱因斯坦近似爱因斯坦近似：温度远大于温度远大于TD时原子是以稳定位置为中心独时原子是以稳定位置为中心独立振动的状态。立振动的状态。各种原子的振动频率称为各种原子的振动频率称为爱因斯坦频率爱因斯坦频率。在晶体中等。在晶体中等于德拜频率于德拜频率:hkD/21编辑版ppt 对于热平衡状态下的谐振子，能量对于热平衡状
16、态下的谐振子，能量KT/2分分别被分配到别被分配到平均动能和势能中。平均动能和势能中。设振幅设振幅为为x，势能的平均值为势能的平均值为222DM（M 为原子为原子质量）质量）,温度为温度为T时振幅的均方值时振幅的均方值 为为MkTxD2224 因电子运动的平均自由程因电子运动的平均自由程F与散射的横截面积成正比，与散射的横截面积成正比，且认为原子热振动引起的散射横截面积与且认为原子热振动引起的散射横截面积与 成正比成正比，因此，因此22 1 MTxF 可见可见电阻电阻与温度成正比与温度成正比，即：，即：6.1.2 导电性与温度的关系导电性与温度的关系高温时的电阻高温时的电阻T (T2TD/3的
17、高温的高温)22编辑版ppt6.1.2 导电性与温度的关系导电性与温度的关系低温时的电阻低温时的电阻 低温即低温即T远低于远低于TD下，爱因斯坦近似不成立。须处理电下，爱因斯坦近似不成立。须处理电子波与声子的能量互换。低温时的电阻的推导结果如下：子波与声子的能量互换。低温时的电阻的推导结果如下：6 T 根据低温晶格振动的德拜近似，被激发的声子数和根据低温晶格振动的德拜近似，被激发的声子数和T3成成正比，且低温时被激发的声子波长很长，其动量远比费米级正比，且低温时被激发的声子波长很长，其动量远比费米级电子的动量小，因此一次散射产生的电子散射角很小。电子的动量小，因此一次散射产生的电子散射角很小。
18、设平均散射时间为设平均散射时间为C，电阻表达式中的，电阻表达式中的弛豫时间弛豫时间：2/2cos1CCT)/(与与T成正比。成正比。23编辑版ppt6.1.2 导电性与温度的关系导电性与温度的关系低温时的电阻低温时的电阻 另一方面，另一方面，C与声子数（与声子数（T3）成反比，因此变成）成反比，因此变成 T5，即低温时的电阻则为即低温时的电阻则为5 1T (T1.2GPa），），电阻率降低；电阻率降低；反常金属反常金属：随压力（：随压力（1.2GPa），），电阻率升高；电阻率升高；这是由于这是由于原子间距缩小，内原子间距缩小，内部缺陷状态、电子结构、费米能部缺陷状态、电子结构、费米能和能带结构
19、都会发生变化和能带结构都会发生变化。具体。具体情况需仔细分析。情况需仔细分析。29编辑版ppt压力可引起绝缘体金属转变！压力可引起绝缘体金属转变！金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素压力压力一些半导体和绝缘体转变为导体的压力极限一些半导体和绝缘体转变为导体的压力极限30编辑版ppt 金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素冷加工冷加工正常情况正常情况：冷加工将导致金属电阻率增加：冷加工将导致金属电阻率增加纯金属（纯金属（Fe，Cu，Ag，Au）：）：26 W 可达可达 50，Mo 可达可达 20，有序固溶体可达，有序固溶体可达 100以上。以上。原因：冷加工导致的晶格畸变、晶体缺陷
20、引起，能增加电子散射几率。原因：冷加工导致的晶格畸变、晶体缺陷引起，能增加电子散射几率。反常情况反常情况：Ni-Cr，Ni-Cu-Zn 等。原因：等。原因：K 态有关。态有关。冷加工将导致材料剩余电阻率增加。冷加工将导致材料剩余电阻率增加。31编辑版ppt点缺陷引起的剩余电阻率变化远大于线缺陷引起的变化。点缺陷引起的剩余电阻率变化远大于线缺陷引起的变化。金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素缺陷缺陷低浓度碱金属的剩余电阻低浓度碱金属的剩余电阻32编辑版ppt 金属电阻的其他影响因素金属电阻的其他影响因素位错位错一般金属在形变量为一般金属在形变量为8时，位错密度为时，位错密度为105108
21、/cm2再结晶温度退火，位错大量湮灭，因而此时位错的影响可忽略再结晶温度退火，位错大量湮灭，因而此时位错的影响可忽略4.2K时位错密度对电阻的影响时位错密度对电阻的影响(a)Fe,(b)Mo33编辑版ppt6.1.4 霍尔效应霍尔效应霍尔效应：霍尔效应：将金属导体放在与通过它的电流方向垂直的磁将金属导体放在与通过它的电流方向垂直的磁场内，则在横跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直场内，则在横跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直的电场。的电场。霍尔场霍尔场霍尔系数霍尔系数：表征霍尔场的物理参数：表征霍尔场的物理参数霍尔效应示意图霍尔效应示意图导体处于电场导体处于电场Ex和磁场和磁场Hs中，电
22、子运动速度为中，电子运动速度为vx，则有电场，则有电场Ey产生。产生。34编辑版ppt霍尔效应霍尔效应产生的原因产生的原因：磁与电的相互作用磁与电的相互作用 在试样的在试样的x方向上施加电场方向上施加电场Ex，同时在与，同时在与x垂直的方向上垂直的方向上施加磁场施加磁场Hz，产生洛伦兹力对运动的电子起作用，产生洛伦兹力对运动的电子起作用1 HcEeF 电子在电子在y方向上也受力，稳定状态下，在方向上也受力，稳定状态下，在y方向上发生电子方向上发生电子的极化，极化的电场与洛伦兹力处于平衡状态，即在的极化，极化的电场与洛伦兹力处于平衡状态，即在y上产生上产生感应电压感应电压xxyHcE35编辑版p
23、ptnecHJERxxyH1由于由于Jx=-nevx，霍尔系数：霍尔系数：Ey/Hx若是自由电子的状态下，则通过若是自由电子的状态下，则通过测定霍尔系数可求出电子浓度测定霍尔系数可求出电子浓度n。测定霍尔系数在确定半导体载流子类型和浓度的测定中是不可缺少的。测定霍尔系数在确定半导体载流子类型和浓度的测定中是不可缺少的。霍尔系数为负则由电子传导，霍尔系数为正则由空穴传导霍尔系数为负则由电子传导，霍尔系数为正则由空穴传导，这里的空穴，这里的空穴是指价电子带中的电子被抽去的状态。是指价电子带中的电子被抽去的状态。金属中霍尔系数为正的情形也很多金属中霍尔系数为正的情形也很多(Zn，Fe等等)，由于这些
24、金属的能带结，由于这些金属的能带结构具有复杂形状，从实际效果看，空穴处于控制传导的状态。构具有复杂形状，从实际效果看，空穴处于控制传导的状态。36编辑版ppt其中其中HBneBJExH00 ,霍尔系数霍尔系数变为变为neRH1 根据金属的原子价和密度，可得出单位体积中的根据金属的原子价和密度，可得出单位体积中的自由电子数自由电子数(n)。霍尔系数只与金属中的自由电子密度有关；霍尔系数只与金属中的自由电子密度有关；霍尔效应证明了金属中存在自由电子，它是电荷的载体；霍尔效应证明了金属中存在自由电子，它是电荷的载体；对典型金属，其理论计算与实验测定结果一致。对典型金属，其理论计算与实验测定结果一致。
25、37编辑版pptu应用应用A.证明了金属中有自由电子，是电荷的载体。证明了金属中有自由电子，是电荷的载体。B.对自由电子的情形，可以用测量对自由电子的情形，可以用测量RH计算电子密度。计算电子密度。C.可用测量可用测量RH判断半导体载流子的类型。判断半导体载流子的类型。RH0 自由电子导电自由电子导电 RH0 空穴导电空穴导电 实验表明金属中也有实验表明金属中也有RH0的情形，如的情形，如Zn,Fe等，等，即不是简单的自由电子导电，因其能带结构复杂，可能即不是简单的自由电子导电，因其能带结构复杂，可能由空穴控制传导。由空穴控制传导。38编辑版ppt反常反常RH，即，即R0推动了金属中推动了金属
26、中电子状态电子状态的研究的研究39编辑版ppt6.1.5 电导功能材料电导功能材料仅对导电材料、电阻材料、电触点材料作简介仅对导电材料、电阻材料、电触点材料作简介(1)导电材料导电材料l 常用的有常用的有Cu,Al。l Cu导线一般为电解铜，提高纯度。导线一般为电解铜，提高纯度。Al 的相对电导率为的相对电导率为61%,密度是密度是Cu的的1/3，但强度低且不耐高温，一般不用，但强度低且不耐高温，一般不用纯铝。纯铝。40编辑版ppt(2)电阻材料电阻材料 l A.精密电阻合金：小电阻温度系数的特殊合金。如精密电阻合金：小电阻温度系数的特殊合金。如Cu-Mn-Ni,Mn-Cu,Cu-Ni-Mn,
27、Cu-Mn-Fe,Ag-Mn-Sn等。等。l B.电热合金：在电热合金：在9001350C工作的电热体，如工作的电热体，如Ni-Cr,Fe-Cr-Al 等合金。等合金。l C.高温加热元件和电极：高温加热元件和电极：1500C以上工作的电热体，以上工作的电热体，用陶瓷，如用陶瓷，如SiC（硅碳棒）（硅碳棒）,MoSi2，LaCrO3，SnO2等。等。41编辑版ppt(3)电触点材料电触点材料l 开关、继电器等涉及两接触导体的导电。开关、继电器等涉及两接触导体的导电。l 电流流经接触部分会由于接触面不平、异物形成薄膜产电流流经接触部分会由于接触面不平、异物形成薄膜产生接触电阻。生接触电阻。l 作
28、为触点的材料一般要求接触电阻小作为触点的材料一般要求接触电阻小,接触状态稳定接触状态稳定,不不易磨损易磨损,不易扩散。不易扩散。l 常用的触点材料：常用的触点材料：Cu,Cu-Ag,Cu-Be,Ag,Cu-Ag-Pt,W-Ag,Pt-Ir,Ir-Os,Ir-Os-Pt 等金属和合金。等金属和合金。42编辑版ppt6.2 超导性超导性l 6.2.1 超导现象超导现象l 6.2.2 超导理论超导理论l 6.2.3 高温超导高温超导l6.2.4 超导的应用超导的应用43编辑版ppt6.2 超导性超导性Q：为何超导研究受到广泛重视？为何超导研究受到广泛重视？材料为什么会超导？材料为什么会超导？在在19
29、33年以前，人们对超导基本特性的认识都是片面的。年以前，人们对超导基本特性的认识都是片面的。存在两种不同的观点：存在两种不同的观点：一种认为材料发生超导的时候体系的电子自由程发生了突变，即电子的一种认为材料发生超导的时候体系的电子自由程发生了突变，即电子的自由程变为无限大，电子在输运过程中被认为没有阻力，从而电阻为零；自由程变为无限大，电子在输运过程中被认为没有阻力，从而电阻为零；另一种人们一直比较普遍地接受的观点认为，零电阻是超导体的最本质另一种人们一直比较普遍地接受的观点认为，零电阻是超导体的最本质的性质，基本上把超导体认为理想导体来看，但是对超导体磁性质的认识的性质，基本上把超导体认为理
30、想导体来看，但是对超导体磁性质的认识则很少。则很少。44编辑版ppt（1）输电）输电 目前输电损耗目前输电损耗10。普通导线：电流。普通导线：电流1-2A/mm2；而超导导线，电流可达而超导导线，电流可达1000A/mm2（2）电磁转化）电磁转化 回旋加速器，受控热核反应，磁悬浮列车等都需要超强磁场。回旋加速器，受控热核反应，磁悬浮列车等都需要超强磁场。（3）超导隧道效益）超导隧道效益 利用它可以做成世界上最灵敏的磁场探测元件。可以测量地球磁场的几十亿利用它可以做成世界上最灵敏的磁场探测元件。可以测量地球磁场的几十亿分之一的变化，从而可以预测地震。另外还可用于脑磁图，心磁图，探测潜水分之一的变
31、化，从而可以预测地震。另外还可用于脑磁图，心磁图，探测潜水艇，矿产资源普查，核磁共振分析等。艇，矿产资源普查，核磁共振分析等。（4）约瑟夫森效益）约瑟夫森效益 超导体的约瑟夫森结的电压电流曲线会出现一些陡变的台阶，台阶高度为超导体的约瑟夫森结的电压电流曲线会出现一些陡变的台阶，台阶高度为固定电压的整数倍。采用这种效益可以探测雷达，用于电磁战。固定电压的整数倍。采用这种效益可以探测雷达，用于电磁战。（5）通讯技术）通讯技术 利用超导体较低的表面电阻和较高的工作温度，可将超导体用在滤波器，谐利用超导体较低的表面电阻和较高的工作温度，可将超导体用在滤波器，谐振器，延迟线等。振器，延迟线等。外空间温度
32、在外空间温度在80-120K左右，而目前超导体的温度可以达到这一工作温度，左右，而目前超导体的温度可以达到这一工作温度，因此超导体用在外空间不需要专门的低温装置。美国的勇气号、机遇号火星探因此超导体用在外空间不需要专门的低温装置。美国的勇气号、机遇号火星探测器成功的根本之一，是美国建立了一个有效的深空探测网。测器成功的根本之一，是美国建立了一个有效的深空探测网。（6）储能）储能 目前采用飞轮储能，飞轮采用磁悬浮轴承，可保证转速快，质量大，无磨损。目前采用飞轮储能，飞轮采用磁悬浮轴承，可保证转速快，质量大，无磨损。45编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象 超导现象首先在超导现象首先在Hg中校
33、发现。在这之后，已经知道有中校发现。在这之后，已经知道有20种元素显示出超导现象，而且发现了许多合金和金属间化种元素显示出超导现象，而且发现了许多合金和金属间化合物显示出比纯金属还高的转变温度合物显示出比纯金属还高的转变温度(Tc)。1986年以后又发现了显示出比液氮温度高的氧化物超导体。因此，年以后又发现了显示出比液氮温度高的氧化物超导体。因此，无论是超导的基础研究，还是应用研究，都受到世界的无论是超导的基础研究，还是应用研究，都受到世界的瞩目。瞩目。Heike Kamerlingh Onnes1908年年 液液He，1K1911年年 Hg，4.173K46编辑版ppt47编辑版ppt液氦液
34、氦(4He：4.2K，3He：3.2K)液氢液氢(20.4K)液氖液氖(27.1K)液氮液氮(77.3K)液氧液氧(90.2K)临界温度临界温度Tc最高值递增时间表最高值递增时间表48编辑版ppt1911年，荷兰物理学家年，荷兰物理学家 Kamerlingh Onnes 发现了发现了 Hg 的超导电性；（的超导电性；（R=0）1933年，年，W.Meissner 和和 R.Ochsebfekd 发现了超导体的完全排磁通现象，发现了超导体的完全排磁通现象，称为称为Meissner效应；（效应；（B=0）1930s1950s之间发展了超导的唯象理论，包括：之间发展了超导的唯象理论，包括：（1）二流
35、体模型）二流体模型热力学性质热力学性质 （2）London 理论理论电磁性质电磁性质 （Pippard理论；理论；Ginzburg-Landau 理论）理论）1957 年，年，J.Bardeen、L.V.Cooper、J.R.Schrieffer 发表了超导的微观理发表了超导的微观理论论BCS理论；理论；1957 年，年，A.Abrikosov 发表了第二类超导体的理论，为超导体的强电应用发表了第二类超导体的理论，为超导体的强电应用提供了理论基础；提供了理论基础；1962 年，年，B.D.Josephson 发现超导隧道效应，称为发现超导隧道效应，称为 Josephson 效应，为超效应，为超
36、导体的弱电应用打开了大门；导体的弱电应用打开了大门；1986 年，年，Bednorz 和和Mller发现了高温超导体发现了高温超导体LaBaCuO。6.2.1 超导现象超导现象发展简史发展简史49编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界温度临界温度TC零电阻：零电阻：超导体在转变温度以下电阻趋于零。超导体在转变温度以下电阻趋于零。在一定温度下，材料突然失去电阻的状态称为超导态在一定温度下，材料突然失去电阻的状态称为超导态。超。超导态的电阻率导态的电阻率小于小于10-25 cm，认为是零电阻。，认为是零电阻。产生超导态的温度称为产生超导态的温度称为临界温度临界温度。临界转变温度越高越好。临界
37、转变温度越高越好。50编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界温度临界温度TC超导体的分类超导体的分类：类超导体与类超导体与类超导体类超导体类超导体类超导体：除除V、Nb、Ta以外具有超导性质的金属均为以外具有超导性质的金属均为I类类超导体。超导体。类超导体类超导体：V、Nb、Ta以及合金和化合物超导体均为以及合金和化合物超导体均为类类超导体。超导体。类超导体类超导体类类超导体超导体两类导体的磁化行为不同，如下图所示。两类导体的磁化行为不同，如下图所示。51编辑版ppt52编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界温度临界温度TC同位素效应：同位素效应：在同一元素中，由于同位素的不同，转
38、变温度在同一元素中，由于同位素的不同，转变温度大致按大致按TC m1/2变化。（变化。（m为原子质量）为原子质量）同位素同位素原子量越小，原子量越小，Tc越高越高。后来发现其它超导元素也有。后来发现其它超导元素也有类似的现象，这称为同位素效应类似的现象，这称为同位素效应。53编辑版ppt金属是由晶格粒子金属是由晶格粒子(原子实原子实)间共有化的电子组成，它们之间共有化的电子组成，它们之间概括有几类相互作用：间概括有几类相互作用：晶格晶格电子、电子电子、电子声子、晶格声子、晶格晶格等相互作用。晶格等相互作用。究竟是哪一种相互作用促使金属发生超导转变究竟是哪一种相互作用促使金属发生超导转变?从同位
39、性从同位性素效应可以看出反映电子超导转变难易受原子质量的影响，素效应可以看出反映电子超导转变难易受原子质量的影响，而原子质量而原子质量M的不同会使晶格运动性质不同，说明晶格的不同会使晶格运动性质不同，说明晶格电电子相互作用必定在超导转变中起关键作用。子相互作用必定在超导转变中起关键作用。TC m-1/2可知，可知，M0时，时，Tc为无穷大，没有晶格振动，为无穷大，没有晶格振动，就没有超导电性所以同位素效应明确告诉我们就没有超导电性所以同位素效应明确告诉我们电子电子声子声子作用是超导电性的根源作用是超导电性的根源6.2.1 超导现象超导现象临界温度临界温度TC54编辑版ppt6.2.1 超导现象
40、超导现象临界磁场临界磁场HC迈斯纳效应迈斯纳效应：在超导状态下施加磁场，磁场不能进入超导体：在超导状态下施加磁场，磁场不能进入超导体中中(试样外表面除外试样外表面除外)，即超导体中应该感应一个和外磁场相，即超导体中应该感应一个和外磁场相等的反向磁场的现象。等的反向磁场的现象。设设B为外部磁通量，为外部磁通量，M为磁化强度，为磁化强度，0为真空透磁率，则为真空透磁率，则磁化率磁化率x 0 M/B。对于超导体对于超导体x=-1，因此可以说，因此可以说超导体是完全抗磁体超导体是完全抗磁体。由。由于这种性质将磁铁接近超导体时会产生很强的斥力。于这种性质将磁铁接近超导体时会产生很强的斥力。55编辑版pp
41、t在超导状态下施加磁场，磁场不能进入超导体中的现象。在超导状态下施加磁场，磁场不能进入超导体中的现象。该现象说明超导体中感应出一个与外磁场相等的反向的磁该现象说明超导体中感应出一个与外磁场相等的反向的磁场，超导体是完全的抗磁体。场，超导体是完全的抗磁体。56编辑版ppt实际上，磁场产生的磁感应强度并不是在表面突然降为实际上，磁场产生的磁感应强度并不是在表面突然降为零，而是以一定的穿透深度零，而是以一定的穿透深度50nm按指数规律递减至按指数规律递减至0。57编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界磁场临界磁场HC当磁场增强到一定程度，超导将被破坏，变成正常传导状态，当磁场增强到一定程度，超
42、导将被破坏，变成正常传导状态，即在临界磁场以上迈斯纳效应消失，抗磁性完全消失，如图即在临界磁场以上迈斯纳效应消失，抗磁性完全消失，如图(b)所示。所示。58编辑版ppt 图中图中I的情形称为第的情形称为第类超导体，像类超导体，像那种具有下临界磁那种具有下临界磁场强度场强度HC1和上临界磁场强度和上临界磁场强度HC2两个临界磁场的情形称做第两个临界磁场的情形称做第类超导体。类超导体。纯金属的情况下，如图中磁化曲线纯金属的情况下，如图中磁化曲线I所示。所示。在临界磁场在临界磁场HC时抗磁性急剧消失变成正常传导，但在合时抗磁性急剧消失变成正常传导，但在合金的情况下，如图中曲线金的情况下，如图中曲线所
43、示，所示，HC1时试样中磁通开始进时试样中磁通开始进入涡旋线状态，超导状态开始部分地破坏，因此反磁性开始入涡旋线状态，超导状态开始部分地破坏，因此反磁性开始减少，但仍处于电阻为零的超导状态。磁场进一步增大变成减少，但仍处于电阻为零的超导状态。磁场进一步增大变成HC2，则整个试样完全变成正常传导状态，试样的电阻变成有，则整个试样完全变成正常传导状态，试样的电阻变成有限值。限值。6.2.1 超导现象超导现象临界磁场临界磁场HC59编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界磁场临界磁场HC混合状态混合状态:HC1和和HC2之间的磁场是试样内部正常传导和超导之间的磁场是试样内部正常传导和超导两种状态
44、混合存在。两种状态混合存在。由于由于HC2约是约是HC1的的100倍，倍，HC2很高的第很高的第类超导体适于类超导体适于作产生高磁场的超导磁体材料。作产生高磁场的超导磁体材料。图图(c)表示临界磁场表示临界磁场HC的值随温度升高而减少，的值随温度升高而减少，TC时变为零。时变为零。HC对温度的依赖关系可近似地表达成对温度的依赖关系可近似地表达成)(1)(20CCTTHTH 第第类超导体的类超导体的H0值随值随TC成正比地增加，因此成正比地增加，因此转变温度越转变温度越高的物质临界磁场强度也越高高的物质临界磁场强度也越高。60编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象临界电流密度临界电流密度JCl
45、 实际的超导中有电流实际的超导中有电流。电流的存在产生磁场，当其与外磁。电流的存在产生磁场，当其与外磁场之和超过临界磁场强度时超导态被破坏。场之和超过临界磁场强度时超导态被破坏。l 临界电流临界电流JC：超导状态破坏的临界电流密度。：超导状态破坏的临界电流密度。l 临界电流临界电流JC随外磁场的增大降低随外磁场的增大降低。三者（三者（TC、HC、JC）是评价使用超导材料的三个性）是评价使用超导材料的三个性能指标，相互依存，且相互影响。能指标，相互依存，且相互影响。这三个参数的高低是超导体能否适于实用的关键。这三个参数的高低是超导体能否适于实用的关键。61编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象
46、超导态的特性超导态的特性1、完全导电性、完全导电性 进入超导态的超导体中有电流没有电阻，即超导体是进入超导态的超导体中有电流没有电阻，即超导体是等电位的，体内没有电场。等电位的，体内没有电场。2、完全抗磁性、完全抗磁性迈斯纳效应迈斯纳效应(Meissener)处于超导态的材料，不管经历如何，磁感应强度处于超导态的材料，不管经历如何，磁感应强度H始始终为零，也就是说超导体为抗磁性。此时，超导体具有屏终为零，也就是说超导体为抗磁性。此时，超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。蔽磁场和排除磁通的功能。3、通量、通量(flux)量子化量子化 根据量子力学原理，这个磁通是量子化的，为根据量子力学原理，这个
47、磁通是量子化的，为n*h/(2e),n是整数，是整数，h普朗克常数，普朗克常数，e电荷量。电荷量。62编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象比热比热l 与正常传导状态相比，超导状态在低温时比热小，而在高温与正常传导状态相比，超导状态在低温时比热小，而在高温时比热变大。在转变温度时发生比热跃迁。时比热变大。在转变温度时发生比热跃迁。l 正常态转变为超导态是一种无序的高能态向有序的低能态正常态转变为超导态是一种无序的高能态向有序的低能态“凝聚凝聚”的过程。的过程。l 在磁场下超导转变是电子在磁场下超导转变是电子系统的二级相变，无磁场系统的二级相变，无磁场下的转变为一级相变。下的转变为一级相变。6
48、3编辑版ppt6.2.1 超导现象超导现象隧道效应隧道效应不同金属间的隧道效应不同金属间的隧道效应虚线为正常传导的虚线为正常传导的I-V关系，实线为超导状态下的关系，实线为超导状态下的I-V关系关系由于隧道效应，中间夹有绝缘薄膜两金属有电流通过。由于隧道效应，中间夹有绝缘薄膜两金属有电流通过。超导状态下，电压从超导状态下，电压从VC开始不随电流增大而增加。开始不随电流增大而增加。应用：可制成约瑟夫森器件，进行微瓦级小功率的超高速（应用：可制成约瑟夫森器件，进行微瓦级小功率的超高速（10-12s）开关动作，应用于超高速计算机等场合。）开关动作，应用于超高速计算机等场合。A,B 两金属夹两金属夹一
49、绝缘薄膜并一绝缘薄膜并施加电压施加电压V，由于隧道效应由于隧道效应有电流通过。有电流通过。正常传导和超导状态正常传导和超导状态的的I-V关系不同。超导关系不同。超导状态下电压到某临界状态下电压到某临界值时突然产生电流。值时突然产生电流。（Josephson 约瑟夫森效应）约瑟夫森效应）64编辑版ppt6.2.2 超导理论超导理论Q：超导由何种机制产生？临界温度：超导由何种机制产生？临界温度 超导由何种机制产生？超导由何种机制产生？临界温度临界温度Tc的极限是多高？能否获得室温的超导体？的极限是多高？能否获得室温的超导体？需要理论。但需要理论。但90年来仍未找到令人信服的理论。年来仍未找到令人信
50、服的理论。1957 年，年，J.Bardeen,L.N.Cooper and Schrieffer 提出提出BCS理论，基本思想：理论，基本思想：65编辑版ppt6.2.2 超导理论超导理论超导性的微观理论超导性的微观理论超导状态在下欧姆定律不适用。超导状态在下欧姆定律不适用。伦敦方程伦敦方程：AJL2011935年伦敦兄弟发现在超导下，电流密度和相关磁场的矢年伦敦兄弟发现在超导下，电流密度和相关磁场的矢量势成正比：量势成正比：)/exp()0()(LxBxB经推导得：经推导得：L是伦敦穿透深度，表示磁场穿透深度的参量。是伦敦穿透深度，表示磁场穿透深度的参量。66编辑版ppt6.2.2 超导理
