1、單位單位:2LCD 工程一部工程一部報告者報告者:林吉宏林吉宏液晶滴下式注入液晶滴下式注入(ODF)(ODF)介紹介紹VLA-7000CVLA-7000C報告內容大綱報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹裝置構成及各部機構介紹*製程主要參數製程主要參數*ODFODF製程相關不良製程相關不良加壓&注入口封口 Alignment Alignment&Pressure&PressureVAC.VAC.液晶注入液晶注入 CF/TFT基板對組後利用液晶通過注入口之方式注入現有方式大氣壓放置大氣壓放置&UV&UV照射照射VAC.ChamberVAC.Chamber Alignment Alignment&P
2、ressure&Pressure LC Drop LC Drop CF/TFT基板對組前利用液晶Drop方式注入Panel內LDF方式ODF注入方式介紹真空貼合部UV照射部 控制台LC DP部基板搬送部(2枚搬送)Loader部Power supply大氣Alignment 部Unloader 部VAC PumpUVPower supplyUV BlowerINOUT裝置構成(VLA-7000C)LCLC滴下部滴下部對位對位/組立部組立部框膠硬化部框膠硬化部LC LC 滴下部滴下部:Dispenser:DispenserDispenser Dispenser 構成構成:Dispenser Di
3、spenser 作動程序作動程序:Dispenser Layout:Supply ValveLimit ValvePlungerSyringeLC bottleNozzleFilterSupply Valve OpenPlunger上升至原點上升至原點(補充補充LC)Supply Valve Off Limit Valve Open Plunger步進下降步進下降(LC滴下滴下)Plunger下降至下降至LC滴完位置滴完位置 Limit Valve Off DispenserDispenser精度及精度及LCLC比抵抗維護比抵抗維護精度精度:LCLC比抵抗比抵抗:*液晶移載方式液晶移載方式*D
4、ispenser Dispenser 存放環境存放環境*PartsParts清潔組立程序清潔組立程序*LC LC 脫泡程序脫泡程序*DispenserDispenser脫泡程序脫泡程序*精度確認精度確認(0.5%)(0.5%)LC滴下滴下Pattern 及及Seal PatternSeal Pattern:LC Pattern:abcdefgabcdefgPattern Pattern 設計重點設計重點:1.1.頭尾結合點位置點頭尾結合點位置點2.Main seal to BM 2.Main seal to BM 距離距離3.Dummy to main seal 3.Dummy to main
5、 seal 距距離離LC pattern LC pattern 設計重點設計重點:1.1.滴下點至滴下點至 main seal main seal 距離距離(25-30mm)(25-30mm)2.2.滴下點間間距滴下點間間距:(30-40 mm):(30-40 mm)3.3.滴下點大小滴下點大小:(80-100 Pulse):(80-100 Pulse)LC滴下滴下MARGIN The following examinations are performed for bubbles The following examinations are performed for bubbles and
6、 the gap Mura checked.and the gap Mura checked.AutoclaveAutoclave High temp testHigh temp test Low temp testLow temp test Low Atm.testLow Atm.testLCquantity vs cell gap3.7003.8003.9004.0004.1004.2004.300420430440450460470480490500LC quantity(mg)cell gap(m）bubblegap mura marginLIGHT ONGAP MURARAGAP M
7、URACELL GAP 4.2 umRABubblecell gap 3.85umvisiblebubble對位組立部機構對位組立部機構:CFTFT靜電靜電chuckchuckMLOAD CELLCC真空真空CHAMBERCHAMBER加壓機構加壓機構ESC ESC 靜電吸著板構造靜電吸著板構造A A電極電極B B電極電極TOP VIEWTOP VIEW對位組立程序說明對位組立程序說明:Chamber上蓋下降上蓋下降ESC ON-同壓配管同壓配管ON,CHAMBER 抽真空抽真空真空度真空度 1 pa 時時-上上ESC下降下降執行粗對位執行粗對位真空度真空度0.8 pa 時時-上上ESC下降至
8、微對位置下降至微對位置,執行微執行微對位對位,加壓力加壓力對位完成對位完成-最終加壓力最終加壓力,脫離除電脫離除電-真空開放真空開放(N2 Purge)(N2 Purge)大氣加壓大氣加壓保持保持Chamber上蓋上升上蓋上升UV seal UV seal 硬化製程硬化製程對位組立製程主參數及設備對位組立製程主參數及設備ISSUE:ISSUE:*壓合壓合STEPSTEP/壓合壓力壓合壓力*靜電靜電ESCESC施加電壓值施加電壓值*電壓電壓Type(A-/B)Type(A-/B)及電壓施加時機及電壓施加時機*ChamberChamber真空度真空度*ESCESC靜電消除靜電消除電壓值及電壓施加時
9、機電壓值及電壓施加時機.製程主參數製程主參數:設備設備Main Issue:Main Issue:*ChamberChamber真空度維護真空度維護*上下上下ESC StageESC Stage平面度及平行度維護平面度及平行度維護*ESC MaintenanceESC Maintenance*製程製程 Tact timeTact timeUVUV照射部構造照射部構造基板基板DUV cut filterIR cut filterMirrorUV Lamp*UVUV波長波長cut(300 nmcut(300 nm以下以下cut).cut).*UVUV照射強度照射強度(80160mw/cm2).(8
10、0160mw/cm2).*UVUV照射能量照射能量(SEAL(SEAL種類種類:協立協立,三井三井).).*UVUV照射照度照射照度/照射時間照射時間(段階段階,積算光量積算光量)*UVUV照射均勻性照射均勻性(20%20%以下以下).).UVUV照射部相關參數照射部相關參數:ODF ODF 製程相關不良製程相關不良(1):(1):靜電靜電chuckchuck平行度平行度 :SPEC:SPEC 15 um 15 um chamber chamber 真空度真空度Seal Seal 斷膠斷膠/貫通貫通/局細局細/剝離等異常剝離等異常Bubble:Air Bubble:Vacuum Bubble:
11、液晶滴下量不足液晶滴下量不足PS 高度異常高度異常Dispenser 精度精度ODF ODF 製程相關不良製程相關不良(2):(2):Gravity Mura:LC Dispenser 精度管理精度管理:0.5%LC quantity V.S.PS height PS DensityODF相關相關seal defect:Seal in BM:結合點結合點,塗佈塗佈Shift,膠寬過大膠寬過大 Main seal 異物壓寬異物壓寬:ESC 上異物上異物LC 貫穿貫穿:滴下點至滴下點至main seal 距離距離,ESC平坦度平坦度/平行度平行度空氣貫穿空氣貫穿:斷膠斷膠,框膠局細框膠局細,UV硬
12、化前置時間過長硬化前置時間過長Seal 剝離剝離:ESCESC靜電殘留靜電殘留,真空壓殘留真空壓殘留ODF ODF 製程相關不良製程相關不良(3):(3):ESCESC除電不完全除電不完全:除電時間除電時間同壓配管閥動作不良同壓配管閥動作不良:同壓配管內殘壓影響對位完成基板同壓配管內殘壓影響對位完成基板基板基板PURGEPURGE壓力高壓力高oror流量大流量大:PURGE:PURGE壓力壓力,流量調整流量調整對位對位SOFTSOFT不良不良:對位完成後再補正對位完成後再補正ESCESC和基板吸著力不足和基板吸著力不足:ESC:ESC電壓電壓/STAGE/STAGE平行度平行度UVUV照射前基
13、板移載不良照射前基板移載不良Mis-assembly:ODF ODF 製程相關不良製程相關不良(4):(4):Ring Mura:.上下上下ESC ESC 內異物內異物 .UV Stage.UV Stage 內異物內異物 .AL/UV.AL/UV部頂部頂PinPin壓傷壓傷 .PS density.PS densityODF ODF 製程相關不良製程相關不良(5):(5):.上下上下 ESC Chuck ESC Chuck 值值.電壓施加方式電壓施加方式.ESC Chuck.ESC Chuck 吸附時間及時機吸附時間及時機.Oven keep time.Oven keep timeChuck Mura:Chuck Mura:谢谢观看！2020
