1、.第第3章章 真空技术基础与等离子体真空技术基础与等离子体.第第3章章(1)真空技术基础真空技术基础Elements of vacuum technology.真空的定义真空真空：密闭容器内低于一个大气压的空间（1.01105Pa）绝对真空永远无法达到绝对真空永远无法达到气体状态方程：P=n k T体积分子数：n=7.21022P/T20C时，若 P=1.33 10-4 Pa则n=3.2 1010 个/cm3.真空的表示：真空度气体的压强(Pa)蒸发镀：Ti(约约103 K)Tg(约约103 K)整体温度低整体温度低Te Ti Tg104 K整体温度高整体温度高等离子体密度等离子体密度约约10
2、12cm-31014/cm-3放电气体压力放电气体压力Dr D 的尺度看等离子体才是电中性的.等离子体的时间条件等离子体的时间条件epn3109.8等离子体的时间条件为：t tp t p1t tp时的等离子体才是电中性的ppt1.等离子体判据等离子体判据nTND331038.1等离子体判据：L D t p 1ND 1.什么是等离子体什么是等离子体等离子体表面工程等离子体表面工程气体分子电离，带电粒子密度达到一定数值的电离气体闪电和极光，太阳，日光灯，电弧.第第3章章(3).离子渗.等离子渗氮的化学反应 载能电子产生电离和中性氮原子e-N2=N+N+2e-氮离子溅射N+工件表面被溅射的铁和污染物
3、 被溅射的铁原子与氮原子形成氮化铁Fe+N=FeN FeN 在工件表面的沉积和分解FeNFe2N+NFe2NFe3N+N Fe3NFe4N+NFe4NFe+N.离子注入l 非平衡过程，高固溶度l 低热过程l 无变形，不改变精度l 无界面l 能量和剂量可控性好l 高真空，无污染l 对材料无限制 直射性 处理深度浅 注入元素离子化需专门设备 设备价格贵，加工成本高.离子束注入系统的两种主要类型离子束注入系统的两种主要类型.离子引出系统示意图离子引出系统示意图.带质量分析的离子注入机带质量分析的离子注入机.离子束与离子源离子注入的比较离子束与离子源离子注入的比较.离子在固体中形成的位移峰离子在固体中
4、形成的位移峰.注入剂量低时，浓度分布满足高斯分布 注入剂量高时，峰值向表面移动 能量损失-2 2exp 2pppRRXRNnchendxdEdxdEdxdEdxdE.蒸发镀膜（蒸镀）.溅射沉积.金属原子金属原子ArAr离子离子电子电子Ar离子轰击负电位的金属表面.影响溅射率S的主要因素 入射离子种类：大质量、稀有气体S高 入射离子能量：阈值、注入 入射离子角度：4050o 靶材种类：周期变化，d层充满，溅射率大 工作气压：气压低，S不变，气压高，S随之减小 表面温度：一定温度内不变，温度过高，急剧增大.氩离子对不同元素的溅射产额.磁控溅射.等离子体等离子体磁道磁道靶靶冷却水冷却水磁体磁体磁控溅
5、射靶磁控溅射靶.平衡和非平衡磁控溅射的比较非平衡技术提高轰击工件的离子电流.Mag 4 Ti Mag 1 Mag 2 Ti Mag 3 Ti target N polar S polar 1 fold 3 fold .Teer 1996 CFUBMSIP 0 50 100 150 200 250 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 偏偏压压(V)离离子子电电流流(A)Teer 1995 CFUBMSIP 不不平平衡衡磁磁控控溅溅射射 传传统统磁磁控控溅溅射射 100 7mA/cm2.0 240 680 100 5 112Loa Friction force 1st derivative 划
6、划痕痕临临界界载载荷荷 60N 0 2468100 0 5 10 15 20 Load Friction force 划划痕痕临临界界载载荷荷 90N 1st derivative 柱状晶柱状晶致密等轴晶致密等轴晶.离子镀.离子镀：镀膜的同时用载能离子轰击基体和镀层表面的技术在蒸发或溅射沉积基础上而不是独立的沉积方式.阴极电弧等离子体沉积阴极电弧等离子体沉积 靶材料在真空电弧作用下蒸发。靶材料在真空电弧作用下蒸发。电弧点仅数微米，时间仅几纳秒，温度极电弧点仅数微米，时间仅几纳秒，温度极高，材料几乎百分之百离化。高，材料几乎百分之百离化。离子垂直向外发射，微颗粒以一定角度射离子垂直向外发射，微颗
7、粒以一定角度射出。出。一些离子被阴极吸引，打回到阴极，使电一些离子被阴极吸引，打回到阴极，使电弧持续进行。弧持续进行。电弧电压为电弧电压为1550V，电流可达到数百。，电流可达到数百。.金属表面产生电弧时，金属在电弧的高温金属表面产生电弧时，金属在电弧的高温中气化，喷出金属蒸汽。此蒸汽中金属分中气化，喷出金属蒸汽。此蒸汽中金属分子在等离子体中离化成金属离子。同时还子在等离子体中离化成金属离子。同时还产生一定量不同大小的液滴。产生一定量不同大小的液滴。.液滴形态及不同的粒子角分布液滴形态及不同的粒子角分布离子垂直向外发射，离子垂直向外发射，微颗粒以一定角度射出微颗粒以一定角度射出.用屏蔽法减少颗
8、粒用屏蔽法减少颗粒百叶窗式遮板 工件前简单挡板.在输出通道中进行在输出通道中进行重力和磁过滤重力和磁过滤S型和弯曲型过滤器.弧镀的局限性弧镀的局限性 金属颗粒的减少和离化率、容积矛盾。金属颗粒的减少和离化率、容积矛盾。需要用合金靶，不同元素有不同溅射需要用合金靶，不同元素有不同溅射率，不同部位溅射材料量不同。率，不同部位溅射材料量不同。溅射清洗和薄膜沉积过程难以控制。溅射清洗和薄膜沉积过程难以控制。.离子束增强沉积（IBED）.GGGGG注入表面溅射反冲反应气相沉积VVG+电荷交换与中和离子.接真空机组水冷工作台试样中高能轰击离子源真空室水冷溅射靶溅射离子源低能辅助离子源磁控溅射靶.离子轰击过
9、程对IBED膜基结合强度的影响 界面展宽 5 10 10 20 30 轰击能量(kV)离子轰击能量对界面宽度的影响.优点：l(1)沉积与离子轰击相对独立，便于控制镀层成分及组织；l(2)沉积温度低，可避免温度对材料及尺寸的影响。l(3)膜基间为连续界面，对所有基材均有较好的结合强度。l(4)可与高真空相容，污染少，有利于提高镀层质量；不足：n(1)离子束直射性；n(2)离子源尺寸限制，生产效率很低；n(3)镀膜速度慢，成本较高。.化学气相沉积（CVD）.1-炉体炉体 2-加热体加热体 3-进气管进气管 4-工件工件 5-阴极阴极 6-脉脉冲电源冲电源 7-加热控制柜加热控制柜 8-观察窗观察窗 9-热电偶热电偶 10-气气源柜源柜 11-冷阱冷阱 12-机械真空泵机械真空泵.
