1、封装与失效分析封装与失效分析本章围绕非气密封装技术、气密封装技术、常见封装形式、混合电路常见失效模式与分析等方面进行介绍。当将有源器件和无源元件组装到已完成膜层印烧/蒸发/溅射的基片上以后，这个混合微电路就可以进行封装了。组装和封装作为产品开发中的关键技术在业界引起人们日益增多的关注。广义的封装是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为适用于设备或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学技术。狭义的封装(Packaging,PKG)是指裸芯片与布线板实现微互连后，将其密封在塑料、玻璃、金属或陶瓷外壳中，以确保半导体集成电路芯片在各种恶劣条件下正常工作。l无论是单芯片封装前的裸芯片
2、，还是多个裸芯片装载在多层布线板上的多芯片组件(MCM),在不经封装的状态下，由于空气中湿气和氧的影响，半导体集成电路元件表面及多层布线板表面的导体图形及电极等，会随时受到氧化的腐蚀，使其性能退化。因此，无论是单芯片封装还是MCM制造，在整个工艺过程中，应避免在空气中放置，而应在氮气气箱等非活性气氛中加以保护。否则，会出现半导体元件的内侧引线凸点因氧化而难以键合，多层布线板的导体电极因氧化而不能钎焊等问题。l即使已完成了微互连，不经封装而在含有湿气的空气中工作加之迁移现象，半导体元件及多层布线板上的导体电路会发生突然短路。因此，多层布线板及半导体元件表面露出的导体图形必须与外界气氛隔绝。无论对
3、于单个使用的裸芯片还是MCM，封装都是必不可少的。l封装除对混合电路起机械支撑、防水和防磁、隔绝空气等的作用外，还具有对芯片及电连接的物理保护、应力缓和、散热防潮、尺寸过渡、规格标准化等多种功能。n非气密性树脂封装技术一、单芯片封装 单芯片封装分气密性封装型和非气密性封装型两大类：前者包括金属外壳封接型、玻璃封接型(陶瓷盖板或金属盖板)、钎焊(Au/Sn共晶焊料)封接型；后者包括传递模注塑封型、液态树脂封装型、树脂块封装型等。其中传递模注塑封法价格便宜，便于大批量生产，目前采用最为普遍。传递模注塑封技术a.模注树脂成分及特性 树脂通常是指受热后有软化或熔融范围，软化时在外力作用下有流动倾向，常
4、温下是固态、半固态，有时也可以是液态的有机聚合物。广义地讲，可以作为塑料制品加工原料的任何聚合物都称为树脂。树脂有天然树脂和合成树脂之分。天然树脂是指由自然界中动植物分泌物所得的有机物质，如松香、琥珀、虫胶等。合成树脂是指由简单有机物经化学合成或某些天然产物经化学反应而得到的树脂产物。按树脂分子主链组成分类:按此方法可将树脂分为碳链聚合物、杂链聚合物和元素有机聚合物。碳链聚合物是指主链全由碳原子构成的聚合物，如聚乙烯、聚苯乙烯等。杂链聚合物是指主链由碳和氧、氮、硫等两种以上元素的原子所构成的聚合物，如聚甲醛、聚酰胺、聚醚等。元素有机聚合物是指主链上不一定含有碳原子，主要由硅、氧、铝、钛、硼、硫
5、、磷等元素的原子构成，如有机硅。ex:环氧树脂是泛指分子中含有两个或两个以上环氧基团的有机高分子化合物。环氧树脂的分子结构是以分子链中含有活泼的环氧基团为其特征，环氧基团可以位于分子链的末端、中间或成环状结构。由于分子结构中含有活泼的环氧基团，使它们可交联反应而形成不溶、不熔的具有网状结构的高聚物。传递模注树脂封装的可靠性取决于模注树脂的可靠性。标准模注树脂的组成，按其配比质量分数，从高到低依次为填充料(filler)(约70%),环氧树脂(约18%以下)，固化剂(约9%以下)等。填充料的主要成分是二氧化硅。晶态二氧化硅 有利于提高模注树脂的导热性，熔凝态(非晶)二氧化硅有利于降低模注树脂的热
6、膨胀系数及吸湿性。图中可见随熔凝二氧化硅含量的增加，封装树脂热膨胀系数降低最多，从而对模注塑封中的热应力缓和更为有效。环氧树脂的组成，一般都采用甲酚-酚醛系(C6H3OHCH2n)。环氧树脂具有保护芯片、使其于外部气体隔绝，确保成形时的流动性外，还对模注树脂的机械、电气、热等基本特性起决定性作用。固化剂的主要成分为苯酚-酚醛系树脂，其与环氧树脂一起对成形时的流动性及树脂特性起作用。此外，模注树脂中还含有如下成分：促进固化反应的固化促进剂(触媒)；树脂在注模内固化后，为使其便于取出的脱模剂；为阻止燃烧，满足阻燃特性规定的阻燃剂；以黑色炭粉及各种颜料进行着色的着色剂等。b.传递模注工艺过程先将模具
7、预热，将经过微互连的芯片框架插入上下模具中，上模具下降，将芯片框架固定。注塑压头按设定程序下降，树脂料饼经预加热器加热，粘度下降，在注塑压头压力作用下，由料筒经流道，通过浇口分配器进入浇口，最后注入到型腔中。注入中不加压力，待封装树脂基本上填满每个型腔之后再加压力。在加压状态下保持数分钟，树脂聚合而硬化。上模具提升，取出模注好的封装体。切除流道、浇口等不必要的树脂部分。此时树脂聚合仍不充分，特性也不稳定，需要在160180摄氏度经数小时的高温加热，使聚合反应完结。由于模注时树脂可能从模具的微细间隙流出，故最后还要利用高压水及介质(玻璃粉等)的冲击力，使残留在外引脚表面的树脂溢料(又称毛边、飞边
8、等)剥离。外引脚经过电镀焊料或电镀Sn等处理，以改善引脚的耐蚀性及微互连时焊料与它的浸润性。至此，传递模注封装全部完成。问题1：随着芯片封装规模及相应模具的大型化，往往会发生树脂注入型腔的不均匀化问题。从树脂注入每个型腔的过程看，离注塑压头远的型腔注入树脂前，离注塑压头近的型腔中树脂已开始硬化；离注塑压头远的型腔填充完毕开始增加注入压力时，离注塑压头近的型腔中的树脂已经硬化，残留的气体会产生气孔或气泡。解决方法是采用多个注塑压头，以保证树脂在每个型腔内处于均衡的流入状态。问题2：一般的模注采用下浇口注入树脂，这在芯片和封装尺寸较小时没有问题，但随着芯片和封装尺寸变大，离浇口远的封装上部，往往出
9、现树脂未填充的部分。解决方法是通过将浇口设置在封装中部，保证注入树脂在型腔内芯片的上面、下面均衡流动，从而避免树脂未填充问题。c.模注树脂流速及粘度对Au丝偏移(冲丝)的影响 封装树脂在型腔内流动会造成微互连Au丝的偏移(冲丝)。为了减小Au丝偏移，应降低封装树脂的粘度，并控制封装树脂尽量缓慢的在型腔内流动。二、多芯片封装 MCM封装也可按其气密性等级，分为气密封装和非气密封装两大类。非气密封装的代表是树脂封装法，依树脂的加入方式不同，进一步还可分为注型(casting)法、浸渍(dipping)法、滴灌(potting)法及流动浸渍法(粉体涂装法)等；气密性封装包括低熔点玻璃封接法、钎焊封接
10、法、缝焊封接法及激光熔焊法等。封装可靠性与其价格具有明显的关系，可靠性越高则封装价格越贵。树脂封装价格低，但从可靠性角度，特别是耐湿性存在问题，对于可靠性要求高的大型电子计算机等领域，必须采用气密性封装。采用钎焊密封法，可以做到完全的气密性封接，金属性腔体内还可封入氦气、氮气等非活性气体。但这种方法存在焊料与多层布线板上导体层之间的扩散问题，若在高温环境下使用，则耐热性及长期使用的可靠性都不能保证。对可靠性有更高要求的应用，需采用熔焊法。其中之一是缝焊封接(seamweld),但现有缝焊焊机的功率有限，只能焊比较薄(厚度约0.15mm)的金属盖板，不能用于大型MCM。为了能对大型MCM中采用比
11、较厚(0.250.5mm)的金属盖板进行熔焊封接，需要采用激光熔焊法。采用缝焊封接时，先用环氧树脂及焊料等粘结剂，将陶瓷布线板支持固定在金属外壳中，而粘结剂在散热性及耐机械冲击性等方面都存在问题。为解决这些问题，可以在陶瓷布线板上，通过银浆料，粘结固定与布线板热膨胀系数基本相等的可伐或Fe/Ni42合金等密封环，并作为激光熔焊时的金属基体。耐湿性试验：耐湿性试验：为了比较各种封装方法的可靠性，一般以耐湿性为代表，耐湿性试验最常使用压力锅试验。近30年前的DIP封装(传递模注塑封法)，由于塑封材料耐湿性差，在121摄氏度，202kPa的压力锅中，只能维持70h左右；随着塑封材料耐湿性的逐步改善，
12、目前的可靠性已达200h.对MCM封装，大多数塑封MCM，例如滴灌法COB(chip on board)、流动浸渍法的SMT模块、浸渍法、注型法等制作的HIC，仅能维持小于70h的可靠性；而气密性MCM封装，几乎能维持无限长时间，显示出高可靠性。无论是非气密树脂封装，还是其他几种气密性封装，都具有各自优势，但从可靠性比较，气密封装明显优于非气密封装。a.非气密多芯片树脂封装技术 常用于MCM的非气密性树脂封装法，一般是采用环氧树脂、塑料、硅树脂等有机树脂，覆盖在微互连于多层布线板之上的半导体芯片上，使其与外界隔绝。覆盖树脂的方法有以下五种。涂布(coating)法用笔或毛刷等蘸取环氧树脂或硅树
13、脂，直接在半导体芯片及片式元件上涂布，经加热固化完成封装。用于这种方法的涂布树脂粘度要适中略低。滴灌(potting)法又称滴下法。用注射器及布液器将粘度比较低的环氧树脂、硅树脂等液态树脂滴灌在微互连于多层布线板之上的半导体芯片上，经加热固化完成封装。浸渍(dipping)法将完成微互连的MCM浸入装满环氧树脂或酚树脂液体的浴槽中，浸渍一定时间后向上提拉，经加热固化完成封装。此方法要搭配掩模等方法避免树脂在不需要的部位上附着。注型(casting)法 又称模注法。将完成微互连的MCM置入比其尺寸略大的模具或树脂盒中，在它们的间隙中注入环氧树脂或酚树脂等液体树脂，经加热固化完成封装。流动浸渍法
14、又称粉体涂装法。将完成微互连的多层布线板在预加热的状态，浸入装满环氧树脂与氧化硅粉末的混合粉体中，并处于流动状态的流动浴槽中，浸渍一段时间，待粉体附着达一定厚度后，经加热固化完成封装。在对树脂封装进行结构设计时，应重点考虑耐湿性和减小内应力这两个问题。对于前者应减少可能漏气的环节，加强从外气到半导体元件的密封措施；对于后者应正确把握封装树脂热膨胀系数、填充量等的关系，减少容易发生应力集中的环节等。在有些情况下，可以采用从里到外三层树脂封装的结构，靠近芯片为一层柔软层，中间为一层缓冲层，外部为一层致密层。这样既可提高耐湿性，又可减小内应力。以上几种方法都属于树脂封装，不可避免都会浸入一定程度的湿
15、气，导致可靠性也短，一般只有23年的保质时间；封装之后，当发现不合格或出现故障，需要剥离树脂，找出不合格芯片，但剥离液对正常芯片会产生影响，因此，出现故障的塑封元件一般以废品处理。这些方法适合于规模较小，价格比较低的一般民用器件。b.树脂封装中湿气侵入路径及防止措施 树脂材料作为有机物，都或多或少存在耐湿性较差的问题。树脂封装中湿气的来源主要有三条：一是树脂自身的吸湿性；二是树脂自身的透水性；三是通过树脂与多层布线板之间的间隙，以及通过封装与MCM引脚之间的间隙发生渗漏。液态树脂的固化条件(温度和时间)对吸水性、透水性有决定性的影响，必须严格保证。还要注意树脂的保质期及冷藏保管，使用前要进行脱
16、泡处理，严禁粉尘和气泡混入。经生产厂家多年努力，树脂的吸水性和透水性已明显改善。关于密封性，不单单取决于树脂材料，还取决于引脚的表面状态，以及树脂材料同氧化铝陶瓷多层布线板等基体材料的匹配情况。对于耐湿性良好而密封性不太理想的树脂，可以通过增加基体材料表面粗糙度的方法，增加整体的密封性。树脂封装法中，芯片周围包围的树脂材料越多、有效隔离长度越长、耐湿性越好。但另一方面，随着封装树脂量的增加及树脂中内应力的增加，会造成陶瓷布线板发生翘曲，致使芯片布线板上搭载的芯片部件剥离、引起WB电气连接破坏、造成布线板上膜电阻出现裂纹等。故应正确把握树脂填充量、有效绝缘长度、内应力等因素的关系。热膨胀系数是否
17、匹配为内应力产生的重要起因之一。应通过改进树脂添加成分，使树脂与电路材料热膨胀系数尽量匹配。c.树脂未填充起因及解决办法由于模具温度过高，预热后的塑封料在高温下反应加快，会造成型腔还未充满时，塑封料粘度急剧上升，流动阻力增大，注塑压力无法传递，形成有趋向性的未填充。这种现象在大体积电路中容易出现，因为其每模塑封料用量较多，为使塑封料在短时间内受热均匀，设定的模温一般较高。有趋向性未填充主要是塑封料流动不充分引起的，可采用提高塑封料预热温度和增加注塑速度使塑封料流动加快，同时降低模具温度，减缓反应速度，可以使流动时间延长，填充更充分。由于模具的浇口堵塞，使塑封料无法注入，以及排气口堵塞造成型腔气
18、体残留，从而阻碍了型腔的填充。这种未填充在型腔位置分布上无规律性，小体积电路出现的几率较高，因为小型封装的浇口、排气口相对较小而容易引起堵塞。对于浇口和排气口的堵塞，可用工具刮去堵塞物并涂上脱模剂，每模封装后，用气枪和刷子清扫模具。d.冲丝 塑封料在注塑成形时是有粘度的运动流体，因此具有一定的冲力。冲力作用在金丝上，使金丝产生偏移，极端情况下金丝冲断，这就是所谓的冲丝。冲丝是塑封产品的一个通病，无法完全消除，它必须借助专用的X射线仪才能观察到，在生产中无法做到全检，一般只做少量的抽检。如何通过抽检来判断冲丝程度就非常重要了。a/b越大，冲丝程度越严重；当a/b20%时可判为不良品；a/b12%
19、15%时，必须引起重视并进行调整；a/b10%时，情况较好。一般来说，塑封料粘度越大，速度越快，对键合丝的冲击角度越接近于90度，冲力越大。n气密性封装技术a.钎焊气密封接技术 钎焊气密封接是通过钎焊将金属外壳固定在多层布线板上，将IC芯片与外气绝缘。为了利用钎焊实现气密封接的目的，要求焊料与被钎焊材料之间具有良好的浸润性。通常采用Sn63/Pb37焊料。为了钎焊金属封装外壳，需要在多层布线板表面的四周，形成与外壳相匹配、用于钎焊连接的导体图形。该导体图形与焊料间应有良好的浸润性，且与焊料的互扩散尽量小。一般是通过厚膜法，采用Cu浆料印刷。对于氧化铝陶瓷多层共烧基板来说，一般在W导体层上电镀N
20、i/Au层，以达到良好的浸润性。金属外壳与多层布线板的热膨胀系数一般是不同的，因此对氧化铝布线板来说，最好选用可伐合金外壳。但可伐合金与焊料间的浸润性不好，通常金属外壳也需要电镀Ni/Au或Sn，以改善其浸润性。可伐合金可伐合金（Kovar）:本合金含镍29%，钴17%的铁基封接合金。该合金在20450范围内具有与陶瓷相近的热膨胀系数，和相应的陶瓷能进行有效封接匹配，此容易焊接和熔接，有良好可塑性，可切削加工，广泛用于制作电真空元件，发射管，显像管，开关管，晶体管以及密封插头和继电器外壳等。用可伐合金对工件进行封接 时，一般工件表面要求镀金。钎焊封接时，将金属外壳扣在预钎焊的封接图形上，在大约
21、240摄氏度下进行回流焊，此时外壳内的空气会膨胀，因此需要在金属外壳上制作空气向外逃逸用的小孔，而后，在氦气或氮气等非活性气氛中，用共晶焊料对小孔进行封接。钎焊封接的金属外壳封装便于分解、重装，一般可保证在10次以上。因此，这种封接可用做通常气密性封装后半导体元件的初期不良品筛选。钎焊封接中采用助焊剂，焊接过程中产生残渣，清洗助焊剂的三氯乙烷等有机清洗剂破坏臭氧层，不利于环保。b.激光熔焊封接技术 激光熔焊适用于大型MCM及外形复杂的MCM，并能保证高可靠性。其工艺过程如下：先在多层布线板的设定位置上，由Ag焊料固定作为熔焊金属基体的焊接环，将金属外壳扣在焊接环上，使两者处于紧密接触状态，用激
22、光束照射密接部位，焊接环及与其密接部位的外壳金属同时熔化，经冷却完成气密封接。由于相同金属间便于熔焊，一般情况下焊接环与外壳都采用可伐合金。激光熔焊封接法仅使焊接环与金属外壳间需要密封连接的部位瞬时达到高温再冷却。不像焊料封接那样，需要使多层布线板达到高温，因此，不必考虑金属外壳内部空气的膨胀问题，不需要在金属外壳上设置气孔。激光熔焊法可以在非活性气氛封接箱内完成气密性封接。对熔焊封接外壳进行拆卸、重装是比较困难的，一般采取的是拆卸、重装焊接环的方式。因此，焊接环的高度一般保持在0.75mm以上，在每一次拆卸、重装过程中，焊接环需要研磨掉约100200 的高度，总共可进行23次返修、重装操作。
23、m 与钎焊封接法相比，激光熔焊法允许的拆卸、返修次数少，故在正式封装前，需要对半导体元件进行老化筛选，以去除初期不良的器件。将无Pb的激光熔焊封接技术和无铅的芯片微互连技术相结合，就可以在完全不必采用Sn-Pb系焊料，实现封装的真正无无铅化。n常见封装形式及性能 表面贴装元器件的发展导致了安装方式从通孔插装到表面贴装的变化。相应的元器件封装形式也发生了变化。lTo封装 To封装是混合微电路最早的封装形式之一。有罐形、碟形、两面形、平台形等外壳。To封装最初被用作上面有厚膜电阻、电容、芯片-线焊半导体器件的多层陶瓷基板的封装外壳。To99是低矮款式的To5封装，其常用于封装中等复杂程度的单层基片
24、电路。To形式的封装成本最低，且封装合格率较好，在半导体工业界曾广泛使用。lDIP封装(dual in-line package,双列直插封装)上世纪70年代开始流行DIP，其针脚分布于两侧，且呈直线平行布置，直插入印制线路板，以实现机械固定和电气连接。a.DIP封装比To封装易于对基板布线，操作方便b.DIP引脚数一般不超过100个c.DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。d.以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式(PDIP)的CPU为例，芯片面积/封装面积=1:86。所以，这种封装效率很低，占去了很多有效安装面积。e.很多中小规模集
25、成电路采用这种封装形式，现在一些主板的BIOS芯片还采取这种封装形式。Intel公司在这段时间推出的CPU如8086，80286都采用PDIP封装。衡量芯片封装技术先进与否的一个重要指标是芯片面衡量芯片封装技术先进与否的一个重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。越好。lPGA(Pin grid array package,针栅阵列插入式封装)此封装形式是在DIP的基础上，为适应高速度、多针脚化(提高端子密度)而出现的。针脚不是单排或双排，而是在整个平面呈栅阵排布。a.与DIP相比，在不增加针脚间距的情况下，可以按近似平方的关系提高针脚数。若采用
26、导热性良好的陶瓷基板，还可以适应高速度、大功率器件的要求。b.这种封装具有向外伸出的针脚，一般采用插入式实装而不宜采用表面实装，采用陶瓷基板，价格相对较高。l芯片载体封装 上世纪80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless ceramic chip carrier),塑料无引线芯片载体PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier),小尺寸封装SOP(Small Outline Package),塑料四边扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)等。a.芯片载体封装适合用表面安装技术在基板上安装布线。b.封装外
27、形尺寸小，寄生参数小，可靠性进一步提高，适合高频应用。c.以208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28mm*28mm,芯片尺寸10mm*10mm，则芯片面积/封装面积=1：7.8。d.在此期间，Intel公司的CPU如80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP QFP由SOP发展而来，其外形呈扁平状，鸟翼形引线端子的一端由PKG的四个侧面引出，另一端沿四边布置在同一平面上。由QFP派生出LCCC、PLCC以及TCP等。e.QFP实装在基板上不是靠针脚插入通孔中，而是采用SMT方式，即通过焊料等粘附在基板表面相应的电路图形上。因此，基板两面可以形成不同的电路，采用整体回流焊等方式
28、使两面上搭载的全部元器件一次键合完成，便于自动化操作，可靠性也有保证，是目前最常采用的PKG形式。f.由于QFP的引线端子四周边布置，且伸出PKG之外，若引线间距过窄，引线过细，则端子更为柔嫩，难免制造及实装过程中造成变形。当端子数超过几百个，端子间距等于或小于0.3mm时，要精确的搭载在电路图形上并与其它元件一起采用再流焊一次完成，难度极大，需采用专用搭载机，致使封装价格剧增。lBGA(ball grid array,球栅阵列封装)上世纪90年代，随着集成技术的进步，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增大，功耗随之增大，对集成电路封装要求更加严格。B
29、GA最早由摩托罗拉公司开发，曾称为bump grid array.它实际是在PGA和QFP的基础上发展而来：取前者端子平面阵列布置，将插入式的针脚改换成键合用的微球；取后者可采用SMT等由一次回流焊完成实装等优点。目前，从形式上看BGA主要有下面几种类型：PBGA(Plastic ball grid array),以印制线路板为封装基板的BGA；CBGA(Ceramic ball grid array),以陶瓷基板为封装基板的BGA；TBGA(Tape ball grid array),带载BGA；SBGA(Super ball grid array),以覆铜基板为封装基板的BGA。最早开发并
30、推广应用的BGA形式为PBGA。所谓PBGA是把PGA的针脚端子变成便于表面实装的球形端子，封装基板不采用高价的陶瓷，而采用价格便宜、跟印制电路板相同的、加入玻璃纤维的环氧树脂基板，芯片电极与封装基板布线的连接一般采用WB方式，BGA与实装基板的连接采用回流焊的方式。按封装基板的层数，PBGA又有单层和多层之分，后者有EBGA(enhanced BGA)、ABGA(advanced BGA)等之分，但结构大同小异，芯片采用电极面朝下方式，芯片背面粘附散热板，有利于高频信号的传输，热阻小，基板及封装设计的自由度大。第二种BGA形式为TBGA，它可以进一步的实现多端子化和小型化。它采用便于封装基板
31、布线图形微细化及半导体芯片键合焊盘微细化的TCP(TAB)技术。TBGA具有薄型，低热阻，有利于高频信号传输，便于更精细布线，适合多端子封装等优点。还有一种BGA形式为FCBGA(flip chip BGA)，即倒装芯片BGA，主要适应1000引脚以上的多端子封装。a.BGA的I/O引脚虽然继续增多(400引脚以上并不困难)，但引脚间距大于QFP，提高了组装成品率；b.BGA厚度比QFP减少1/2以上，重量轻3/4以上；c.寄生参数小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；d.现在的BGA，从技术上看正向两级化领域发展，一极以满足多功能、高性能的电子设备为主要目标，以多引脚、高速化为其主要特征；另
32、一极以满足多功能、小型化、便携式的电子设备为主要目标，以小型化为其主要特征。e.仍与QFP一样，BGA占用基板面积还是较大；Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出一种 封装技术，芯片面积/封装面积=1：4。BGA一经出现，便成为CPU，南北桥芯片封装的最佳选择。典型的如Pentium采用陶瓷球栅阵列封装CBGA,并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的可靠稳定工作。BGA 开发BGA最早，最积极的是美国的公司。日本一些大公司曾想依靠其高超的操作技能固守QFP不放，但由于BGA具有与电路图形自对准功能、所占实装面积小、对端子间距要求不苛刻、便于实现高密度封装等优点，日本各大电子公司
33、后起直追，投入相当大力量开发各种类型的BGA。由于CSP的开发成功，日本在超小型封装方面后来居上。虽然BGA封装价格比QFP高，但由于实装可靠(日本微机厂商主板中采用的200端子PBGA，实装不合格率仅为百万分之六)，因实装不良造成的返修价格几乎为零，按总的封装价格相比，BGA占优势。lCSP(chip size package,芯片尺寸封装)1996年可以称为CSP封装元年，当年CSP技术的公开发表在电子封装工程的发展史上具有划时代的意义。这种封装与半导体芯片尺寸几乎同样大小。如三菱电气研制的CSP芯片面积/封装面积=1：1.1。CSP具有各种各样的结构，并不是一种新的封装类型。但CSP应具
34、有下述特征：1)CSP就是与芯片尺寸等同或略大的封装的总称。2)就封装形式而论，属于已有封装形式的派生品，因此可 以按现有封装形式来分类，如BGA型，LGA型，SON型等。3)从1996年起，CSP逐渐向便携式信息电子设备推广，其标准化、一次回流焊特性及价格等与QFP不相上下。4)目前的CSP，不仅从外观，而且从内部连接方式上都有多种不同结构。各大电子公司为了在包括低档产品在内的一般便携式信息设备中实现超高密度化，都在积极开发极限超小型封装，CSP发展极为迅速，各种新型的CSP结构会不断出现。关于CSP的类型，日本电子机械工业协会(EIAJ)打算按CSP外形分为平面阵列端子型和周边布置端子型两
35、大类。在平面阵列端子型CSP中，目前世界上开发、应用最广泛的是FBGA或称FLGA。EIAJ正在对端子间距小于0.8mm,外形尺寸421mm的这种超小型封装进行标准化。CSP封装现已用于内存条和便携电子产品，如数字电视、手机芯片、蓝牙等新型产品中。nHIC失效类型及原因 为了生产可靠的混合微电路且具有高的成品率，对发生的任何失效都必须进行分析，找出原因，进行工艺改进，防止失效再次发生。混合微电路中的失效可以归结为以下六类原因中的一个或多个：器件、线焊、芯片贴装、基片、封装、玷污。由美国罗姆航空发展中心搜集的数据表明，有缺陷的有源器件、边缘质量的线焊和玷污是造成失效的主要原因。专题：金属互连电迁
36、移可靠性问题研究专题：金属互连电迁移可靠性问题研究 电迁移现象是由于在电流作用下金属中的原子定向迁移所致，是金属互连中的原子受到运动电子作用引起的物质输运现象。图1 电迁移作用下金属原子受力图SEM下下Al电迁移损伤形貌电迁移损伤形貌l 产生电迁移失效的内因，是薄膜导体内结构的非均匀性，外因是电流密度。(b)晶界三相点由电迁移而引起的铝导体的平均失效时间由black方程预测：MTTF=A*A为比例常数，J是电流密度，n是电流密度指数，是电迁移失效活化能。电迁移传统表征参量：1）1968年，Rosenberg和Berenbau首次提出通过电阻测量研究电迁移过程。优点优点：方法简单，直观明了。缺点
37、缺点：需要较强的应力与较长的应力作 用时间；实验对样品具有不可逆的破坏性；电阻测量对温度控制要求较高。KTAEneJ/AE2）1976年，Celasce等人提出可通过噪声测量来研究电迁移。Simoen等人通过老化试验得出经验公式：其中，为样品失效时间；为与电迁移相关的 噪声电压的均方值。Feng等人指出 噪声与互连的普适电导波动（universal conductance fluctuation）密切相关。212loglogTTFZZvTTF2v2/1 f1/rfSatoshi等人认为 噪声对温度的反应比电阻更加敏感，他们测得铝互连中 噪声与温度的关系,最低已可测至11k的温度。Cottle等
38、人指出 噪声与电迁移关系密切,激活能值的不同反映了不同的电迁移机制。1/rf1/rf1/rf老化实验结果分析及机理探讨老化实验结果分析及机理探讨l电迁移空位聚集阶段的电阻变化 （a）（b）图1 电迁移过程中的电阻突变（a）Doan实验结果 引自Ref.13；（b）本文实验结果RbEIRsCv(t)1:TLabVIEW 虚拟测试平台微计算机数据输出A/D卡低噪声前置放大器V0(t)阻抗匹配变压器偏置电路PAR1900PARC113图5 噪声测试系统老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（2）l电迁移空位聚集阶段的噪声变化图2 电阻突变前的噪声时间序列与功率谱图（a）加速电迁移实验
39、3小时；（b）加速电迁移实验24小时 （a）（b）相关积分的定义如下：设有时间序列为 测量时间 ，通过时间延迟，定义一个维数为m的嵌入空间的矢量：，那么相关积分表示为：，不难看出相关积分是在嵌入空间统计所有相互之间距离小于r的点的个数。Nxxx,.,21ttti0)1(,.2,(TmxTxTxxviiiiiNnnNiinivvrHNNrC112)(2),(相关积分 和 有如下幂函数的关系：对于确定性信号，幂指数 随m的增加而趋于一个稳定值，这个值与m无关;对于随机信号，幂指数 值将随m值变化不会达到饱和，而有 成正比关系。()mCrr)()(mmrrC)(mvmmv)()(mv老化实验结果分析
40、及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（3）l电迁移空位聚集阶段的相关积分变化（a）（b）图3 电阻突变前相关积分图 （a）加速电迁移实验3小时；（b）加速电迁移实验24小时老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（3）l电迁移空位聚集阶段失效机理分析 晶界处空位浓度随时间线性增加。20(/)VCC vD t32VPC T空位浓度调制空位对电子的散射几率*qqmPm空位浓度调制电子的迁移率 JnqE2()HISfIfN0S2200()()()HHISfJSnqESfNfN电迁移前期的电流噪声是大量空位随机散射过程产生的。电迁移前期的电流噪声是大量空位随机散射过程产生的。老化实验结
41、果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（4）l空洞成核阶段的电阻变化 （a）（b）图1 电迁移过程中的电阻突变（a）Doan实验结果 引自Ref.13；（b）本文实验结果老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（5）l空洞成核阶段的相关积分变化（a）（b）图3 电阻突变前相关积分图 （a）加速电迁移实验3小时；（b）加速电迁移实验24小时 图4 加速电迁移实验54小时相关积分图老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（6）l空洞成核阶段失效机理分析1/331exp4mfVBt自由体积模型1 expmvoidVVBt相关积分结果显示信号具有确定性相关积分结果显示
42、信号具有确定性 空洞尺寸与介观混沌腔尺寸同为微米量级空洞尺寸与介观混沌腔尺寸同为微米量级空洞与混沌腔进行类比空洞与混沌腔进行类比老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（7）l空洞成核阶段的失效机理分析 图5 开放型混沌腔 引自Ref.15 图6 Buerke的空洞扫描电镜成像图 引自Ref.16老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（9）l电迁移相关维数重构电迁移动力系统的空间维数最少为重构电迁移动力系统的空间维数最少为3维。维。老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（10）l蝴蝶效应老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（11）
43、决定论性混沌的起源：决定论性混沌的起源：不是内在随机力，不是外在噪声源，不是无穷大自由度相互作用，不是量子力学不确定性。而是 非线性系统对于初始条件的敏感依赖性非线性系统对于初始条件的敏感依赖性什么是决定论性混沌？什么是决定论性混沌？l 决定论性规律所产生的随机行为l 简单的（非线性）规律反复作用后形成的不可预测结果。l决定论性是指经典轨道的存在性和唯一些。随机性是指混沌轨道与掷钱币一类随机过程完全对应。l并不自相矛盾：在宏观尺度上，我们的确生活在既是决定论性的又是随机性的世界中。老化实验结果分析及机理探讨（老化实验结果分析及机理探讨（12）l电迁移信号相图）(b)图9 电迁移噪声混沌信号三维相图（a）样品g；（b）样品w
