1、第三章第三章 存储器存储器2022年11月28日星期一2目录目录3.1 存储器概述存储器概述（理解）（理解）3.2 SRAM存储器存储器（理解）（理解）3.3 DRAM存储器存储器（掌握）（掌握）3.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器（理解）（理解）3.5 并行存储器并行存储器（理解）（理解）3.6 CACHE存储器存储器（掌握）（掌握）2022年11月28日星期一3学习要求学习要求l理解存储系统的基本概念理解存储系统的基本概念l熟悉主存的主要技术指标熟悉主存的主要技术指标l掌握主存储器与掌握主存储器与CPUCPU的连接方法的连接方法l理解理解CacheCache的基本概念及工作
2、原理的基本概念及工作原理l掌握掌握Cache-Cache-主存地址映射方法主存地址映射方法 2022年11月28日星期一43.1 存储器概述存储器概述l3.1.1 存储器分类存储器分类 l3.1.2 存储器的分级结构存储器的分级结构l3.1.3 存储器的技术指标存储器的技术指标2022年11月28日星期一53.1.1 存储器分类（存储器分类（1/3）l按存储介质分按存储介质分半导体存储器：用半导体器件半导体存储器：用半导体器件(MOS管管)组成的存储器；组成的存储器；磁表面存储器：用磁性材料磁表面存储器：用磁性材料(磁化作用磁化作用)做成的存储器；做成的存储器；光盘存储器：用光介质光盘存储器：
3、用光介质(光学性质光学性质)构成的存储器；构成的存储器；l按存取方式分按存取方式分随机存储器：存取时间和存储单元的物理位置无关；随机存储器：存取时间和存储单元的物理位置无关；顺序存储器：存取时间和存储单元的物理位置有关；顺序存储器：存取时间和存储单元的物理位置有关；半顺序存储器：存取时间部分地依赖于存储单元的物理位置；半顺序存储器：存取时间部分地依赖于存储单元的物理位置；系统主存、系统主存、Cache软盘软盘硬盘硬盘磁带磁带光盘光盘半导体半导体存储器存储器磁带磁带磁盘存储器磁盘存储器2022年11月28日星期一63.1.1 存储器分类（存储器分类（2/3）l按存储内容可变性分按存储内容可变性分
4、只读存储器只读存储器(ROM)u只能读出而不能写入的半导体存储器；只能读出而不能写入的半导体存储器；随机读写存储器随机读写存储器(RAM)：u既能读出又能写入的半导体存储器；既能读出又能写入的半导体存储器；l按信息易失性分按信息易失性分易失性存储器：断电后信息即消失的存储器；易失性存储器：断电后信息即消失的存储器；非易失性存储器：断电后仍能保存信息的存储器；非易失性存储器：断电后仍能保存信息的存储器；半导体半导体存储器存储器半导体半导体存储器存储器磁盘磁盘光盘光盘2022年11月28日星期一73.1.1 存储器分类（存储器分类（3/3）l按在计算机系统中的作用分按在计算机系统中的作用分主存储器
5、主存储器u能够被能够被CPU直接访问，速度较快，用于保存系统当前运行直接访问，速度较快，用于保存系统当前运行所需的所有程序和数据；所需的所有程序和数据；辅助存储器辅助存储器u不能被不能被CPU直接访问，速度较慢，用于保存系统中的所有直接访问，速度较慢，用于保存系统中的所有的程序和数据；的程序和数据；高速缓冲存储器（高速缓冲存储器（Cache）u能够被能够被CPU直接访问，速度快，用于保存系统当前运行中直接访问，速度快，用于保存系统当前运行中频繁使用的程序和数据；频繁使用的程序和数据；控制存储器控制存储器uCPU内部的存储单元。内部的存储单元。半导体存储器半导体存储器磁盘、光盘存储器磁盘、光盘存
6、储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器2022年11月28日星期一83.1.2 存储器的分级结构存储器的分级结构动画演示：动画演示：3-1.swf2022年11月28日星期一9CPU缓存缓存主存主存辅存辅存缓存主存层次缓存主存层次主存辅存层次主存辅存层次3.1.2 存储器的分级结构（存储器的分级结构（1/2）l系统对存储器的要求：系统对存储器的要求：大容量、高速度、低成本大容量、高速度、低成本l三级存储系统结构三级存储系统结构1 1、加上、加上cachecache的目的为提高速度的目的为提高速度2 2、内存包括、内存包括cachecache和主存和主存1 1、降低了成本，扩大了容
7、量、降低了成本，扩大了容量2 2、虚存系统包括主存和辅存、虚存系统包括主存和辅存在在CPUCPU看来，容量相当于辅存容量，速度相当于看来，容量相当于辅存容量，速度相当于CACHECACHE速度。速度。2022年11月28日星期一103.1.2 存储器的分级结构（存储器的分级结构（2/2）l存储器分级结构中应解决的问题：存储器分级结构中应解决的问题：当需从辅存中寻找指定内容调入主存时，如何准确定位？当需从辅存中寻找指定内容调入主存时，如何准确定位？u依靠相应的辅助软硬件。依靠相应的辅助软硬件。当当CPU访问访问cache，而待访问内容不在，而待访问内容不在cache中时，应如何中时，应如何处理？
8、处理？u从主存向从主存向cache中调入相应内容。中调入相应内容。l以上过程均由操作系统管理。以上过程均由操作系统管理。2022年11月28日星期一113.1.3 主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储容量存储容量l存储容量：指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量：指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长u用用ab表示表示存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长/8 u单位为单位为B（字节）（字节）l要求：要求：已知存储容量，能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。已知存储容量，能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。l例
9、如例如某机存储容量为某机存储容量为 2K16，则该系统所需的地址线为，则该系统所需的地址线为 根，根，数据线位数为数据线位数为 根。根。11162022年11月28日星期一123.1.3 主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储速度存储速度l存取时间存取时间(访问时间访问时间)从启动一次访问操作到完成该操作为止所经历的时间；从启动一次访问操作到完成该操作为止所经历的时间；以以ns为单位，存取时间又分读出时间、写入时间两种。为单位，存取时间又分读出时间、写入时间两种。l存取周期存取周期存储器存储器连续启动两次独立的访问操作连续启动两次独立的访问操作所需的最小间隔时所需的最小间隔时间。间。以以ns
10、为单位，为单位，存取周期存取周期=存取时间存取时间+复原时间复原时间。l存储器带宽存储器带宽每秒从存储器进出信息的最大数量；每秒从存储器进出信息的最大数量；单位为位单位为位/秒或者字节秒或者字节/秒。秒。2022年11月28日星期一13求存储器带宽的例子求存储器带宽的例子l设某存储系统的存取周期为设某存储系统的存取周期为500ns，每个存取周期可，每个存取周期可访问访问16位，则该存储器的带宽是多少？位，则该存储器的带宽是多少？存储带宽存储带宽=每周期的信息量每周期的信息量/周期时长周期时长 =16位位/(500 10-9)秒秒 =3.2 107 位位/秒秒 =32 106 位位/秒秒 =32
11、M位位/秒秒2022年11月28日星期一143.2 SRAM存储器存储器l3.2.0 主存储器的构成主存储器的构成l3.2.1 基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列l3.2.2 基本的基本的SRAM逻辑结构逻辑结构l3.2.3 读读/写周期波形图写周期波形图2022年11月28日星期一153.2.0 主存储器的构成主存储器的构成l静态静态RAM（SRAM）由由MOS电路构成的电路构成的双稳触发器双稳触发器保存二进制信息；保存二进制信息；优点：优点：访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；缺点：缺点：集成度低，功耗大，价格高；集成度低，功耗大，价格高；
12、l动态动态RAM（DRAM）由由MOS电路中的电路中的栅极电容栅极电容保存二进制信息；保存二进制信息；优点：优点：集成度高，功耗约为集成度高，功耗约为SRAM的的1/6，价格低；，价格低；缺点：缺点：访问速度慢，电容的放电作用会使信息丢失，要长访问速度慢，电容的放电作用会使信息丢失，要长期保存数据必须期保存数据必须定期刷新定期刷新存储单元；存储单元；主要种类有：主要种类有：SDRAM、DDR SDRAM主要用于构成主要用于构成CacheCache主要用于构成系统主存主要用于构成系统主存2022年11月28日星期一16主存和主存和CPU的联系的联系MDRMARCPU主存主存地址总线地址总线数据总
13、线数据总线读读写写2022年11月28日星期一17l基本存储元基本存储元6个个MOS管形成一位存储元管形成一位存储元；非易失性的存储元非易失性的存储元l644位的位的SRAM结构图结构图存储体排列成存储元阵列，不一定以存储单元形式组织；存储体排列成存储元阵列，不一定以存储单元形式组织；l芯片封装后，芯片封装后，3种外部信号线种外部信号线地址线地址线：2n个单元，对应有个单元，对应有n根地址线；根地址线；u地址信号经过译码电路，产生每个单元的字线选通信号；地址信号经过译码电路，产生每个单元的字线选通信号；数据线数据线：每个单元：每个单元m位，对应有位，对应有m根数据线；根数据线；控制线控制线：读
14、写控制信号：读写控制信号u =1，为读操作；，为读操作；=0，为写操作；，为写操作；3.2.1 基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列动画演示：动画演示：3-2.swf3-2.swfR/WR/WR/W2022年11月28日星期一18六管六管SRAM存储元电路存储元电路 位线位线/D位线位线D2022年11月28日星期一192022年11月28日星期一20l译码驱动方式译码驱动方式方法方法1：单译码：单译码u被选单元由字线直接被选单元由字线直接选定；选定；u适用容量较小的存储适用容量较小的存储芯片。芯片。方法方法2：双译码：双译码u被选单元由被选单元由X、Y两个两个方向的地址决定。方向的地址决
15、定。3.2.2 基本基本SRAM存储器逻辑结构存储器逻辑结构动画演示：动画演示：双地址译码器双地址译码器.swf2022年11月28日星期一21SRAM存储器的组成（存储器的组成（1/2）l存储体存储体存储单元的集合，按位将各存储元组织成一个存储单元的集合，按位将各存储元组织成一个存储矩阵存储矩阵；大容量存储器中，通常用大容量存储器中，通常用双译码方式双译码方式来选择存储单元。来选择存储单元。l地址译码器地址译码器将将CPU发出的地址信息转换成发出的地址信息转换成存储元选通信号存储元选通信号的电路。的电路。l译码驱动器译码驱动器X选择线上用于增强驱动能力的电路。选择线上用于增强驱动能力的电路。
16、lI/O电路电路一般包括读写电路和放大电路。一般包括读写电路和放大电路。2022年11月28日星期一22SRAM存储器的组成（存储器的组成（2/2）l片选片选用于决定当前芯片是否被用于决定当前芯片是否被CPU选中，进行访问。选中，进行访问。l读读/写控制电路写控制电路决定对选中存储单元所要进行访问的类型决定对选中存储单元所要进行访问的类型(读读/写写)。l 输出驱动电路输出驱动电路增强数据总线的驱动能力。增强数据总线的驱动能力。2022年11月28日星期一23存储体存储体读读写写电电路路MDR数据总线数据总线驱动器驱动器译码器译码器MAR 地址总线地址总线 控制电路控制电路读读写写SRAM存储
17、器的逻辑结构简图存储器的逻辑结构简图2022年11月28日星期一2432K8位的位的SRAM逻辑结构图逻辑结构图动画演示：动画演示：3-3.swfX X方向：方向：8 8根地址线根地址线输出选中输出选中256256行行Y Y方向：方向：7 7根地址线根地址线输出选中输出选中128128列列输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器读写、读写、选通选通控制控制三维存储三维存储阵列结构阵列结构2022年11月28日星期一25lIntel 2114静态静态RAM芯片是芯片是1K4的存储器的存储器l外部结构外部结构地址总线地
18、址总线10根（根（A0A9）数据总线数据总线4根（根（D0D3）片选信号片选信号/CS，写允许信号，写允许信号/WEu0写，写，1读读l内部存储矩阵结构内部存储矩阵结构6464方阵方阵，共有，共有4096个六管存储元电路；个六管存储元电路；l采用采用双译码方式双译码方式A3A8（6根）用于行译码根）用于行译码64行选择线行选择线;A0A2,A9用于列译码用于列译码16条列选择线条列选择线;每条列选择线同时接每条列选择线同时接4个存储元（共个存储元（共164=64列）列）静态静态RAM芯片举例芯片举例Intel 2114Intel2114ABA0A9DBD0D3CSWE2022年11月28日星期
19、一262114逻辑结构图逻辑结构图2022年11月28日星期一273.2.3 读、写周期波形图读、写周期波形图l存储器读存储器读/写的原则写的原则读读/写信号要在地址和片选均起作用，并经过一段时间写信号要在地址和片选均起作用，并经过一段时间后有效；后有效；读写信号有效期间不允许地址、数据发生变化；读写信号有效期间不允许地址、数据发生变化；地址、数据要维持整个周期内有效；地址、数据要维持整个周期内有效；l读周期时间（读周期时间（tRC）、写周期时间（）、写周期时间（tWC）存储器进行两次连续的读存储器进行两次连续的读/写操作所必须的间隔时间；写操作所必须的间隔时间；大于实际的读出大于实际的读出/
20、写入时间；写入时间；2022年11月28日星期一28SRAM存储器的读周期存储器的读周期l读周期操作过程读周期操作过程CPU发出有效的发出有效的地址信号地址信号 译码电路延迟产生有效的译码电路延迟产生有效的片选信号片选信号 在在读信号读信号控制下，从存储单元中控制下，从存储单元中读出数据读出数据 各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间l读出时间（读出时间（tAQ）从从地址有效地址有效到外部数据总线上的到外部数据总线上的数据信息稳定数据信息稳定所经历的时间所经历的时间l片选有效时间（片选有效时间（tEQ）、读控制有效时间（）、读控制有效时
21、间（tGQ）片选信号、读控制信号所需要维持的最短时间，二者相等；片选信号、读控制信号所需要维持的最短时间，二者相等；从地址译码后，到数据稳定的时间间隔；从地址译码后，到数据稳定的时间间隔；存储器的读周期时序存储器的读周期时序2022年11月28日星期一292022年11月28日星期一30SRAM存储器的写周期存储器的写周期l写周期操作过程写周期操作过程CPU发出有效的发出有效的地址信号地址信号，并提供所要写入的，并提供所要写入的数据数据 译码电路延迟产生有效的译码电路延迟产生有效的片选信号片选信号 在在写信号写信号控制下，将数据写入存储单元中控制下，将数据写入存储单元中 各控制信号撤销（地址信
22、号稍晚），数据维持一段时间各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间l写入时间（写入时间（tWD）地址控制信号稳定后，到数据写入存储器所经历的时间；地址控制信号稳定后，到数据写入存储器所经历的时间；l维持时间（维持时间（thD）读控制信号失效后的数据维持时间；读控制信号失效后的数据维持时间；存储器的写周期时序存储器的写周期时序2022年11月28日星期一312022年11月28日星期一32课本课本P70【例例1】下图是下图是SRAM的写入时序图。的写入时序图。R/W是读是读/写命令控制线，当写命令控制线，当R/W线线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。为低电平时，存储
23、器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出下图写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。请指出下图写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。R/W#信号必须在地址信号必须在地址和数据稳定时有效和数据稳定时有效一个写周期一个写周期中地址不允中地址不允许改变许改变一个写操作一个写操作中数据不允中数据不允许改变许改变2022年11月28日星期一33正确的正确的SRAM的写入时序图的写入时序图2022年11月28日星期一343.3 DRAM存储器存储器 l动态动态RAM（DRAM）因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；lDRAM的存储元
24、的存储元由由MOS晶体管和电容组成的记忆电路；晶体管和电容组成的记忆电路；u电容上的电量来表现存储的信息；电容上的电量来表现存储的信息；u充电充电1，放电，放电0。结构形式结构形式u四管存储元四管存储元u单管存储元单管存储元2022年11月28日星期一35四四管管存存储储元元单管存储元单管存储元2022年11月28日星期一363.3.1 DRAM存储元的记忆原理存储元的记忆原理1.读出时位线有电流读出时位线有电流 为为“1”位线位线（数据线）（数据线）CsT行线（字线）行线（字线）0 12.写入时写入时CS 充电为充电为“1”放电放电 为为“0”T无电流无电流有电流有电流动画演示：动画演示：3
25、-6.swf2022年11月28日星期一373.3.2 DRAM芯片的逻辑结构芯片的逻辑结构l外部地址引脚比外部地址引脚比SRAM减少一半减少一半;送地址信息时，分行地址和列地址分别传送；送地址信息时，分行地址和列地址分别传送；l内部结构：比内部结构：比SRAM复杂复杂刷新电路：用于存储元的信息刷新；刷新电路：用于存储元的信息刷新；行、列地址锁存器：用于保存完整的地址信息；行、列地址锁存器：用于保存完整的地址信息；u行选通信号行选通信号 （Row Address Strobe）u列选通信号列选通信号 （Columns Address Strobe）lDRAM的读写周期的读写周期与与SRAM的读
26、写周期相似，只是地址总线上的信号有所不同；的读写周期相似，只是地址总线上的信号有所不同；在同一个读写周期内发生变化，分别为行地址、列地址；在同一个读写周期内发生变化，分别为行地址、列地址；存储芯片集成存储芯片集成度高，体积小度高，体积小RASCAS2022年11月28日星期一38DRAM控制电路的构成控制电路的构成l地址多路开关地址多路开关刷新时需要提供刷新地址，非刷新时需提供读写地址；刷新时需要提供刷新地址，非刷新时需提供读写地址；l刷新定时器刷新定时器 间隔固定的时间提供一次刷新请求；间隔固定的时间提供一次刷新请求；l刷新地址计数器刷新地址计数器刷新按行进行，用于提供对所要刷新的行进行计数
27、；刷新按行进行，用于提供对所要刷新的行进行计数；l仲裁电路仲裁电路对同时产生的来自对同时产生的来自CPU的访问存储器的请求和来自刷新定的访问存储器的请求和来自刷新定时器的刷新请求的优先权进行裁定；时器的刷新请求的优先权进行裁定；l定时发生器定时发生器提供行地址选通提供行地址选通/RAS、列地址选通、列地址选通/CAS和写信号和写信号/WE。动画演示：动画演示：3-7.swf3-7.swf2022年11月28日星期一39写时序写时序行地址行地址 RAS 有效有效WE 为高电平为高电平，读有效，读有效数据数据 DOUT OUT 有效有效数据数据 DIN IN 有效有效读时序读时序行地址行地址 RA
28、S 有效有效写允许写允许 WE 有效有效(低低)列地址列地址 CAS 有效有效列地址列地址 CAS 有效有效行、列地址分开传送行、列地址分开传送1）/CAS滞后于滞后于/RAS的时间必须要超过规定值；的时间必须要超过规定值；2）/RAS和和/CAS的正负电平的宽度应大于规定值；的正负电平的宽度应大于规定值；动画演示：动画演示：3-8.swf3.3.3 读读/写周期写周期2022年11月28日星期一40读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器06364127128 根行线根行线CS01271128列列选选择择读读/写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动DOUT
29、DINCS4116(16K 1位位)芯片芯片 读读 过程过程630I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动OUTD读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器2022年11月28日星期一41读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器06364127128 根行线根行线CS01271128列列选选择择读读/写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动DOUTDINCS4116(16K 1位位)芯片芯片 写写 过程过程数据输入数据输入I/O缓冲缓冲I/O缓冲缓冲DIN读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器6302022年11月28日星期一423.3.3 刷新周期
30、刷新周期l刷新的原因刷新的原因 DRAM的基本存储元的基本存储元电容，会随着时间和温度而减少；电容，会随着时间和温度而减少；必须定期地对所有存储元刷新，以保持原来的信息。必须定期地对所有存储元刷新，以保持原来的信息。l刷新（刷新（再生再生）在固定时间内对所有存储单元，通过在固定时间内对所有存储单元，通过“读出读出(不输出不输出)写入写入”的方式恢复信息的操作过程；的方式恢复信息的操作过程；l刷新方式刷新方式 以存储矩阵的行为单位刷新；以存储矩阵的行为单位刷新；u故刷新计数器的长度与故刷新计数器的长度与DRAM的行数相同；的行数相同；l刷新周期刷新周期 从上一次对整个从上一次对整个M刷新结束到下
31、一次对整个刷新结束到下一次对整个M全部刷新一遍全部刷新一遍为止的时间。为止的时间。刷新过程中存储刷新过程中存储器不能进行正常器不能进行正常的读写访问的读写访问2022年11月28日星期一43DRAM的刷新方式的刷新方式l集中式刷新集中式刷新在一个刷新周期内，利用一段在一个刷新周期内，利用一段固定时间固定时间，依次对存储矩阵的，依次对存储矩阵的所有行逐一刷新，在此期间停止对存储器的读所有行逐一刷新，在此期间停止对存储器的读/写操作；写操作；存在存在死区时间死区时间，会影响，会影响CPU的访存操作；的访存操作；l分散式刷新分散式刷新将每个系统工作周期分为两部分，前半部分用于将每个系统工作周期分为两
32、部分，前半部分用于DRAM读读/写写/保持，后半部分用于刷新存储器的一行；保持，后半部分用于刷新存储器的一行；系统存取时间延长一倍，导致系统变慢；系统存取时间延长一倍，导致系统变慢；l异步式刷新异步式刷新在一个刷新周期内，分散地刷新存储器的所有行；在一个刷新周期内，分散地刷新存储器的所有行；既不会产生明显的读写停顿，也不会延长系统的存取周期；既不会产生明显的读写停顿，也不会延长系统的存取周期；2022年11月28日星期一44【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新周期为2ms，若采用集中，若采用集中式刷新方式，试
33、分析其刷新过程。式刷新方式，试分析其刷新过程。“死时间率死时间率”为为 128/4000 100%=3.2%“死区死区”时间为时间为 0.5 s 128=64 s周期序号周期序号tc012387138720tctctctc399901127读读/写或维持写或维持刷新刷新3872个周期（个周期（1936s）刷新时间间隔刷新时间间隔（2m s）tctc 128个周期个周期(64s)2022年11月28日星期一45【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新周期为2ms，若采用分散，若采用分散式刷新方式，试分析其刷新过程。
34、式刷新方式，试分析其刷新过程。l存取周期延长一倍，为存取周期延长一倍，为1s；前前0.5s用于读写，后用于读写，后0.5s用于刷新一行用于刷新一行W/RREF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新间隔刷新间隔 128 个读写周期个读写周期存取周期存取周期t tC C=t tM M+t tR R读写读写 刷新刷新无无“死区死区”时间时间刷新周期为刷新周期为1s128行行128s1 1行的刷行的刷新时间新时间存储体存储体的行数的行数远小于远小于2ms2ms，没有必要没有必要2022年11月28日星期一46【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵
35、为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新周期为2ms，若采用异步，若采用异步式刷新方式，试分析其刷新过程。式刷新方式，试分析其刷新过程。l若每隔若每隔 2ms/128=15.6 s 刷新一行刷新一行l每隔每隔15.6s产生一个刷新请求信号；产生一个刷新请求信号；每每31.2（31）个工作周期中做刷新一行存储器的操作。）个工作周期中做刷新一行存储器的操作。周期序号周期序号012 30tMtR 读读/写写3030周期，刷新周期，刷新1 1周期周期31个周期个周期（15.5s）tMtM 29012 30tMtR31个周期个周期（15.5s）tMtM 29 读读/写写303
36、0周期，刷新周期，刷新1 1周期周期2022年11月28日星期一47DRAMSRAM存储原理存储原理集成度集成度芯片引脚芯片引脚功耗功耗价格价格速度速度刷新刷新电容电容触发器触发器高高低低少少多多小小大大低低高高慢慢快快有有无无动态动态 RAM 和静态和静态 RAM 的比较的比较2022年11月28日星期一483.3.4 存储器容量的扩充存储器容量的扩充l单个存储芯片的容量有限，实际存储器由多个芯片扩展而成；单个存储芯片的容量有限，实际存储器由多个芯片扩展而成；l存储器（存储芯片）与存储器（存储芯片）与CPU的连接的连接数据、地址、控制三总线连接；数据、地址、控制三总线连接；多个存储芯片多个存
37、储芯片 CPUu不是一一对应连接不是一一对应连接l关注关注存储芯片与存储芯片与CPU的外部引脚的外部引脚l存储器容量扩充方式存储器容量扩充方式位扩展、字扩展、字位扩展位扩展、字扩展、字位扩展MDRMARCPU主存主存 地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写SRAM、DRAM、ROM均可进行容量扩展均可进行容量扩展2022年11月28日星期一49存储芯片与存储芯片与CPU的引脚的引脚l 存储芯片的外部引脚存储芯片的外部引脚数据总线数据总线：位数与存储单元字长相同，用于传送数据信息；：位数与存储单元字长相同，用于传送数据信息；地址总线地址总线：位数与存储单元个数为：位数与存储单元个数为2n关系，
38、用于选择存储单元；关系，用于选择存储单元；读写信号读写信号/WE：决定当前对芯片的访问类型；：决定当前对芯片的访问类型；片选信号片选信号/CS：决定当前芯片是否正在被访问决定当前芯片是否正在被访问；l CPU与存储器连接的外部引脚与存储器连接的外部引脚数据总线数据总线：位数与机器字长相同，用于传送数据信息；：位数与机器字长相同，用于传送数据信息；地址总线地址总线：位数与系统中可访问单元个数为：位数与系统中可访问单元个数为2n的关系，用于选择的关系，用于选择访问单元；访问单元；读写信号读写信号/WE：决定当前：决定当前CPU的访问类型；的访问类型；访存允许信号访存允许信号/MREQ：决定是否允许
39、：决定是否允许CPU访问存储器；访问存储器；2022年11月28日星期一50存储器容量的位扩展存储器容量的位扩展l存储单元数不变，每个单元的位数（字长）增加；存储单元数不变，每个单元的位数（字长）增加；l例如：由例如：由1K4的存储芯片构成的存储芯片构成1K8的存储器的存储器l存储芯片与存储芯片与CPU的引脚连接方法：的引脚连接方法：地址线地址线：各芯片的地址线：各芯片的地址线直接直接与与CPU地址线连接；地址线连接；数据线数据线：各芯片的数据线：各芯片的数据线分别与分别与CPU数据线的不同位连接数据线的不同位连接；片选及读写线片选及读写线：各芯片的片选及读写信号：各芯片的片选及读写信号直接直
40、接与与CPU的访存及读的访存及读写信号连接；写信号连接；l注意：注意：CPU对该存储器的访问是对该存储器的访问是对各位扩展芯片的同一单元的同时访问对各位扩展芯片的同一单元的同时访问。1K4存储芯片存储芯片A0A9D0D31K8存储器存储器A0A9D0D72022年11月28日星期一51D7D0CSWEA9A01K41K41010由由1K4的存储芯片构成的存储芯片构成1K8的存储器的存储器2022年11月28日星期一52由由8K1位的芯片构成位的芯片构成8K8位的存储器位的存储器2022年11月28日星期一53存储器容量的字扩展存储器容量的字扩展l字扩展：每个单元位数不变，总的单元个数增加。字扩
41、展：每个单元位数不变，总的单元个数增加。l例如：用例如：用1K8的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器l存储芯片与存储芯片与CPU的引脚连接方法：的引脚连接方法：地址线地址线：各芯片的地址线与：各芯片的地址线与CPU的的低位地址线直接连接低位地址线直接连接；数据线数据线：各芯片的数据线：各芯片的数据线直接直接与与CPU数据线连接；数据线连接；读写线读写线：各芯片的读写信号：各芯片的读写信号直接直接与与CPU的读写信号连接；的读写信号连接；片选信号片选信号：各芯片的片选信号：各芯片的片选信号由由CPU的高位地址和访存信号产生的高位地址和访存信号产生；l注意：注意：CPU对该存储器的访
42、问是对该存储器的访问是对某一字扩展芯片的一个单元的访问对某一字扩展芯片的一个单元的访问。1K8存储芯片存储芯片A0A9D0D72K8存储器存储器A0A10D0D72022年11月28日星期一54 1K8 1K8 1D7D0A0A9108A10l低位的地址线与各芯片的地址线并联；低位的地址线与各芯片的地址线并联；l多余的高位地址线用来产生相应的片选信号。多余的高位地址线用来产生相应的片选信号。WE由由1K8的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器CSCS2022年11月28日星期一55l16K8的存储芯片：的存储芯片：地址线地址线14根，数据线根，数据线8根，根，/CS，/WElCPU
43、的引脚：的引脚：地址线地址线16根，数据线根，数据线8根，根，/MERQ，/WElCPU的最高的最高2位地址和位地址和/MREQ信号产生信号产生4个芯片的片选信号；个芯片的片选信号；l4个存储芯片构成存储器的地址分配：个存储芯片构成存储器的地址分配：第第1片片 00 00 0000 0000 0000 00 11 1111 1111 1111 即即 0000H3FFFH第第2片片 01 00 0000 0000 0000 01 11 1111 1111 1111 即即 4000H7FFFH第第3片片 10 00 0000 0000 0000 10 11 1111 1111 1111 即即 80
44、00HBFFFH第第4片片 11 00 0000 0000 0000 11 11 1111 1111 1111 即即 C000HFFFFH 用用16K8的芯片构成的芯片构成64K8的存储器的存储器16K816K816K816K80000H3FFFH4000H7FFFH8000H0BFFFH0FFFFH0C000H2022年11月28日星期一56译译码码器器/MREQA14A15/CS16K8 /WE/CS16K8 /WE/CS16K8 /WE/CS16K8 /WEA0A13/WED0D7D0D7D0D7D0D7D0D7存储芯片的字扩展连接图存储芯片的字扩展连接图作为译码器作为译码器的使能信号的
45、使能信号作为译码器的作为译码器的地址输入信号地址输入信号2022年11月28日星期一57l字位扩展：每个单元位数和总的单元个数都增加。字位扩展：每个单元位数和总的单元个数都增加。l例如：用例如：用1K4的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器l扩展方法扩展方法先进行位扩展，形成满足位要求的存储芯片组；先进行位扩展，形成满足位要求的存储芯片组；再使用存储芯片组进行字扩展。再使用存储芯片组进行字扩展。l要求：能够计算出字位扩展所需的存储芯片的数目。要求：能够计算出字位扩展所需的存储芯片的数目。例如：用例如：用LK的芯片构成的芯片构成MN的存储系统；的存储系统；u所需芯片总数为所需芯片总数
46、为M/LN/K 片。片。存储芯片的字位扩展存储芯片的字位扩展1K4存储芯片存储芯片A0A9D0D32K8存储器存储器A0A10D0D72022年11月28日星期一581.共需要几块芯片，进行如何扩展？共需要几块芯片，进行如何扩展？8片片2M8的的SRAM芯片进行字扩展；芯片进行字扩展；2.数据线怎么连？数据线怎么连？各芯片的数据线均直接与各芯片的数据线均直接与CPU的的8位数据总线连接；位数据总线连接；3.地址线怎么连？地址线怎么连？各芯片的地址线均直接与各芯片的地址线均直接与CPU的最低的最低21位地址线连接；位地址线连接；4.控制线怎么连？控制线怎么连？读写信号直接连接；读写信号直接连接；
47、剩余的高剩余的高3位地址线和位地址线和/MREQ和译码产生各芯片的片选和译码产生各芯片的片选信号信号/CS；【练习练习】用用2M8的的SRAM芯片构成一个芯片构成一个16M8的存储器，请回答以下问题：的存储器，请回答以下问题：2022年11月28日星期一59存储器与存储器与CPU的连接补充例子的连接补充例子做题思路：做题思路：l审题确定所需扩展的类型，选择合适的存储芯片；审题确定所需扩展的类型，选择合适的存储芯片；原则：尽量作简单的扩展（位扩展原则：尽量作简单的扩展（位扩展字扩展字扩展字位扩展）字位扩展）l分析存储芯片和分析存储芯片和CPU的引脚特性（地址范围、地址线数目、容的引脚特性（地址范
48、围、地址线数目、容量要求等），确定引脚的连接；量要求等），确定引脚的连接；尤其是在进行字扩展时，特别注意片选信号的产生。尤其是在进行字扩展时，特别注意片选信号的产生。u3-8译码器译码器74LS138、双双2-4译码器译码器74LS139l画出逻辑连接图，作必要的分析说明。画出逻辑连接图，作必要的分析说明。2022年11月28日星期一6074LS138译码器译码器l用于地址译码的用于地址译码的3-8译码器译码器；输入输入3位地址信号，译码产生位地址信号，译码产生8个不同的选通输出；个不同的选通输出；l外部的结构图外部的结构图l引脚作用：引脚作用：输入信号输入信号A、B、C引入所要译码的三位地址
49、信号引入所要译码的三位地址信号输出信号输出信号/Y0 /Y7 对应每一个存储单元，低电平有效对应每一个存储单元，低电平有效使能信号使能信号G1、/G2A、/G2B：当且仅当当且仅当G11、/G2A 0、/G2B 0时，译码器正常工作时，译码器正常工作Y5Y6G2BG2AG1ABCY0Y1Y2Y3Y4Y7使能使能控制端控制端地址地址输入端输入端选选通通输输出出端端2022年11月28日星期一6174LS138译码器逻辑功能表译码器逻辑功能表2022年11月28日星期一6274LS138译码器内部结构图译码器内部结构图2022年11月28日星期一6374LS139译码器译码器l用于地址译码的用于地
50、址译码的2-4译码器译码器；输入输入2位地址信号，译码产生位地址信号，译码产生4个不同的选通输出；个不同的选通输出；l外部的结构图外部的结构图l引脚作用：引脚作用：输入信号输入信号A、B引入所要译码的两位地址信号；引入所要译码的两位地址信号；输出信号输出信号/Y0 /Y3 对应每一个存储单元，低电平有效；对应每一个存储单元，低电平有效；使能信号使能信号/G：当且仅当当且仅当/G0时，译码器正常工作；时，译码器正常工作；使能使能控制端控制端地址地址输入端输入端选选通通输输出出端端2Y12Y2G1G21A1B1Y01Y11Y21Y32Y02Y32A2B2022年11月28日星期一6474LS139
