1、Chapter 3 固体表面结构3.1.表面不均匀性表面不均匀性3.2.表面二维晶体结构表面二维晶体结构3.3.清洁表面结构清洁表面结构3.4.化学吸附物的表面结构化学吸附物的表面结构1学习交流PPT3.1 3.1 表面不均匀性表面不均匀性现在已经知道很多肉眼看起来非常光滑的表面放大现在已经知道很多肉眼看起来非常光滑的表面放大后并不平坦，一种简单地导致不平坦的因素是后并不平坦，一种简单地导致不平坦的因素是位错位错。这种位错的结果是使得两个平坦面被阶梯错开。平这种位错的结果是使得两个平坦面被阶梯错开。平坦面称为平台。坦面称为平台。1.表面模型表面模型(1)位错导致平台被阶梯分开位错导致平台被阶梯
2、分开2学习交流PPT对于金属或离子晶体而言，这种位错的密度为对于金属或离子晶体而言，这种位错的密度为106108-2而位错密度较小的如半导体或绝缘体，其位错密度在而位错密度较小的如半导体或绝缘体，其位错密度在104106-2，那么每个平台大约含，那么每个平台大约含 1015/106109个原个原子子3学习交流PPTZn晶体表面用扫错电镜放大105倍图。可以很清楚地看到表面上平台由阶梯隔开 SEM picture of Zn crystal surface 4学习交流PPTSTM picture of the(0001)face of Re over a 4000-A2 area如果继续提高分辨
3、率或放大倍数，如用扫隧道电镜观看Re(0001)或石墨（0001）面，可以看到表面又趋于平坦，但平台、台阶和拐角位可显而易见。5学习交流PPT描述表面不均匀性常用的模型描述表面不均匀性常用的模型从更多的从更多的STM，LEED的观察事实，人们提出了被的观察事实，人们提出了被普遍接受的表面原子尺度的结构模型普遍接受的表面原子尺度的结构模型 6学习交流PPT2.2.固体表面缺陷类型和浓度固体表面缺陷类型和浓度(4)缺陷位的浓度与固体表面的制备密切相关。缺陷位的浓度与固体表面的制备密切相关。随制备方法不同，其相对浓度可以有很大差别。随制备方法不同，其相对浓度可以有很大差别。(1)在一个真实的固体表面
4、，拐角在一个真实的固体表面，拐角(kink)、台阶、台阶(step)及平台及平台(terrace)上的原子都有一定的平衡浓度。上的原子都有一定的平衡浓度。(2)对一个粗糙表面，对一个粗糙表面，10%20%原子在台阶，含原子在台阶，含5%左左 右的拐角右的拐角。台阶和拐角对应于线缺陷，而同时表。台阶和拐角对应于线缺陷，而同时表 面还存在吸附原子或原子空位，它们对应于点缺面还存在吸附原子或原子空位，它们对应于点缺 陷。陷。点缺陷的浓度一般低于点缺陷的浓度一般低于1%。(3)对于对于处于不同类型的表面位置的原子或分子处于不同类型的表面位置的原子或分子，其，其 具有不同的化学性质具有不同的化学性质，因
5、为它们的周边环境、配因为它们的周边环境、配 位数不同位数不同。而处于。而处于配位不饱和状态的位配位不饱和状态的位如如kink位位 对于化学反应具有较高的活性对于化学反应具有较高的活性。7学习交流PPT3.3.固体表面特有的结构变化固体表面特有的结构变化表面不均匀性除了表面不只是简单的平台位，还存在各表面不均匀性除了表面不只是简单的平台位，还存在各种缺陷位等低配位的位之外，在以后的章节中将详细介种缺陷位等低配位的位之外，在以后的章节中将详细介绍一些表面的特有现象：绍一些表面的特有现象：(2)对于多原子体系，表面组成不同于体相组成，出现表对于多原子体系，表面组成不同于体相组成，出现表面偏析面偏析(
6、1)表面驰豫和表面重构现象表面驰豫和表面重构现象(i)在表面垂直方向上，在接近表面时，层与层之间在表面垂直方向上，在接近表面时，层与层之间出现收缩等现象。而这些现象在有吸附原子或分子出现收缩等现象。而这些现象在有吸附原子或分子时又会变化时又会变化(ii)表面原子的排列方式与体相中不同表面原子的排列方式与体相中不同8学习交流PPT3.2 3.2 表面二维晶体结构表面二维晶体结构1.平移和点对称性平移和点对称性2.Miller指数指数3.从体相结构预测的表面结构从体相结构预测的表面结构4.二维表面结构的表示方法二维表面结构的表示方法5.低能电子衍射低能电子衍射6.倒易点阵倒易点阵7.从从LEED判
7、断吸附物的表面结构判断吸附物的表面结构8.高高Miller指数晶面指数晶面9学习交流PPT1.1.平移对称性和点对称性平移对称性和点对称性如同三维晶体结构一样，任何一个二维周期性结构如同三维晶体结构一样，任何一个二维周期性结构均可以用一个均可以用一个二维点阵二维点阵加上加上结构基元结构基元来描述。来描述。点阵点阵就是在一平面上点的无限排列，围绕每一点的就是在一平面上点的无限排列，围绕每一点的环境和围绕其它点的环境是相同的。环境和围绕其它点的环境是相同的。定义一个结构则是将每一个点阵点的位置与相等的定义一个结构则是将每一个点阵点的位置与相等的原子集合原子集合(称之为称之为结构基元结构基元)结合在
8、一起而考虑的。结合在一起而考虑的。结构基元结构基元可以是一个原子也可以是许多原子的组合。可以是一个原子也可以是许多原子的组合。10学习交流PPT三种对称操作三种对称操作二维晶体结构的对称性质可以用二维晶体结构的对称性质可以用三种对称操作三种对称操作来描来描述。所谓述。所谓对称操作对称操作就是能使结构复原的动作。三种就是能使结构复原的动作。三种对称操作为对称操作为平移、转动和反映平移、转动和反映(镜面镜面)。11学习交流PPT(1)(1)平移对称性平移对称性平移群平移群 abab为二维点阵的单位矢量，又被称为平移对称矢量为二维点阵的单位矢量，又被称为平移对称矢量平面点阵在数学上可用平面点阵在数学
9、上可用平移对称操作平移对称操作(平移群平移群)来描述来描述T=n1a+n2bn1,n2为整数为整数这个操作可将原点平移到点阵中任何一点，即可以形成整个点阵。如此进行的全部平移即为该平面点阵的平移群。平移群是点阵的数学表达式。它被用来定义结构的二维周期性。由 组成的平行四边形称为单位晶胞(Primitive cell)。ab12学习交流PPT(2)(2)点对称性点对称性点群点群点阵在转为后而保持不变，被称为最小旋转角 2n 点群包括使一点不动而维持结构不变的所有操作。结合旋转和反映对称操作，可以得到总数为结合旋转和反映对称操作，可以得到总数为10的二维点群。的二维点群。1，1m,2,2mm,3,
10、3m,4,4mm,6,6mm n为沿旋转轴转动一圈中重复的次数，称为沿旋转轴转动一圈中重复的次数，称n重旋转对称性。重旋转对称性。n=1,2,3,4,6 共共5种，对二维晶体不存在种，对二维晶体不存在n=5.(i)旋转对称操作旋转对称操作(ii)镜面镜面(反映反映)对称操作对称操作镜面(反映)对称操作用m表示。(三维32个点群)13学习交流PPT1010个二维点群个二维点群14学习交流PPT(3)(3)二维二维BravaisBravais点阵点阵对于一个给定的点群只有一定的点阵与之对应。点群数目只有10个，不重复的独立的点阵类型也应有限。可以证明二维只有可以证明二维只有5种不同的点阵，称之为种
11、不同的点阵，称之为 Bravais点阵。点阵。15学习交流PPT(a)平行四边形平行四边形 p 非直角非直角 a b 90o 点群点群:2 (b)正方形正方形 p 四方四方 a=b =90o 点群点群:4mm (c)60o菱形菱形 p 六角六角 a=b =120o 点群点群:6mm 5 5种独立的种独立的BravaisBravais点阵点阵16学习交流PPT(d)长方形长方形 p 矩形矩形 a b =90o 点群点群:2mm (e)长方形长方形 c 矩形矩形 a b =90o 点群点群:2mm (三维14种)5 5种独立的种独立的BravaisBravais点阵续点阵续17学习交流PPT(4)
12、(4)二维空间群二维空间群一个晶体表面总的对称性是用Bravais点阵和结构基元的结晶学点群相结合加以描述。5个Bravais点阵和10个点群唯一的和允许的结合共17个，这些结合被称为二维空间群。（三维230个）知道单胞及空间群就可以完整地描述表面结构。18学习交流PPT2.Miller2.Miller指数指数 同三维空间点阵一样，二维点阵可以用密勒指数同三维空间点阵一样，二维点阵可以用密勒指数(Miller indices)来表示。可以对一个晶体表面从各个方向划分成许多来表示。可以对一个晶体表面从各个方向划分成许多组平行且等距离的原子排，一经划定后，所有点阵点应当毫组平行且等距离的原子排，一
13、经划定后，所有点阵点应当毫无遗漏地全部包含在原子排里，密勒指数就是通过标记这些无遗漏地全部包含在原子排里，密勒指数就是通过标记这些原子排来描述晶体表面。原子排来描述晶体表面。19学习交流PPT二维二维MillerMiller指数指数设有一原子排与设有一原子排与a,b轴交于轴交于M1,M2点点 OM1=ha=3a;OM2=kb=4b 以以a、b为单位，截距为单位，截距h和和k可用来表示原子排可用来表示原子排(hk)=(43)这样的线也可以认为与单胞交于这样的线也可以认为与单胞交于a/4和和b/3(h k)为密勒指数，为整数为密勒指数，为整数为避免使用为避免使用，通常用，通常用h:k=1/h:1/
14、k来表示原子排来表示原子排但若原子排与但若原子排与a或或b平行，平行，则则h或或k=20学习交流PPT不同不同MillerMiller指数原子排举例指数原子排举例(01)(12)(13)21学习交流PPT典型金属的晶体结构典型金属的晶体结构 结结 构构金金 属属体心立方结构体心立方结构bcc(body centered cubic)Fe,W面心立方结构面心立方结构fcc(face centered cubic)Ag,Au,Co,Cu,Ni,Pt,Rh 3.从体相结构预测的表面结构从体相结构预测的表面结构22学习交流PPT(1)(1)从体心立方从体心立方bcc(Fe,Wbcc(Fe,W等等)预测
15、的相关面预测的相关面a(100)2a(110)1st layer2nd layer3rd layer6a2a(111)23学习交流PPT(2)(2)从面心立方从面心立方fcc(Pt,Au,Cufcc(Pt,Au,Cu等等)预测的相关面预测的相关面aa(100)(110)(111)24学习交流PPT4.4.二维表面结构的表示法二维表面结构的表示法若原子在表面的排列与底物不同时，称此为若原子在表面的排列与底物不同时，称此为表面结构或表面表面结构或表面网网(surface structure or surface net)，亦称，亦称重构结构重构结构。Wood在描述表面结构时，将表面结构与底物结构在
16、描述表面结构时，将表面结构与底物结构联系起来，该方法表示出表面结构或是来自于底物联系起来，该方法表示出表面结构或是来自于底物上其它原子的吸附或是底物的重组，并尽可能用平上其它原子的吸附或是底物的重组，并尽可能用平行表面的底物网眼作参考。行表面的底物网眼作参考。(1)Wood标记法标记法 当表面原子的排列与体相单胞的排列相同时，此表面结构当表面原子的排列与体相单胞的排列相同时，此表面结构被称为被称为底物结构底物结构(substrate structure)，用，用(1 1)表示。表示。如如Pt(111)(11)代表代表Pt(111)面上的底物结构面上的底物结构25学习交流PPTWoodWood标
17、记法标记法假如底物单胞在表面上的投影为假如底物单胞在表面上的投影为 T=na+mb而表面为而表面为Ts=nas+mbs如如as,bs分别与分别与a,b平行平行,且且as=qa,bs=rb,则表面结则表面结构可记为构可记为底物的某晶面底物的某晶面吸附物，如为底物的重组可不写吸附物，如为底物的重组可不写R(h k l)-(qr)-D26学习交流PPTWoodWood标记法例子标记法例子Pt(111)-(11)Pt(111)面的底物结构面的底物结构Pt(110)-(22)-O Pt(110)面上吸附氧原子结构面上吸附氧原子结构Si(111)-(77)Si(111)面上的结构，发生表面重构面上的结构，
18、发生表面重构Au(111)-(33)-Si Si在在Au(111)面上的吸附结构面上的吸附结构W(100)-(22)W(100)面上的结构，发生表面重构面上的结构，发生表面重构标记标记内容内容aW(100)-(2X2)2atop layer WaPt(110)-(2X2)-Oadsorbed oxygen atom27学习交流PPT(2)(2)复杂表面结构标记法复杂表面结构标记法(i)对对as,bs与与a,b不平行不平行,但但as,bs夹角与夹角与a,b夹角相等且夹角相等且表面结构只是相对体相单胞旋转了一夹角表面结构只是相对体相单胞旋转了一夹角a a可记为可记为R(h k l)-(as/a b
19、s/b)-Ra a-D Pt(100)-(2X 2)-R45o-Oadsorbed oxygen atomPt(100)-c(22)-O28学习交流PPT(2)(2)复杂表面结构标记法复杂表面结构标记法(ii)如如as,bs与与a,b间无简单规则时间无简单规则时,一般用矩阵表示一般用矩阵表示as=m11a+m12bbs=m21a+m22basbs =m11m12m21m22 ab对对(11)，矩阵表示为：，矩阵表示为：1001对对(22)，矩阵表示为：，矩阵表示为：200229学习交流PPT常见表面结构举例常见表面结构举例1 130学习交流PPT常见表面结构举例常见表面结构举例2 231学习交
20、流PPT5.5.低能电子衍射低能电子衍射 LEEDLEED(Low Energy Electron Diffraction)(Low Energy Electron Diffraction)研究三维空间晶体结构的方法是研究三维空间晶体结构的方法是X射线衍射，其原理是射线衍射，其原理是通过单色的通过单色的X射线射到晶体上，由于晶体的空间周期排列而射线射到晶体上，由于晶体的空间周期排列而产生衍射，从衍射峰位置来推测晶体结构。产生衍射，从衍射峰位置来推测晶体结构。同同XRD推测晶体在三维空间的原子排列一样，低能电推测晶体在三维空间的原子排列一样，低能电子衍射可以给出表面原子排列的信息。子衍射可以给出
21、表面原子排列的信息。32学习交流PPTLEED LEED 基本原理基本原理 要获得表面原子排列的周期性的信息必须入射源的能量较低，要获得表面原子排列的周期性的信息必须入射源的能量较低，不会穿透表面以下较深的区域，低能电子不会穿透表面以下较深的区域，低能电子(10500ev;电子电子波长波长3.90.5)同表面作用时，一般只能穿透几个原子层厚同表面作用时，一般只能穿透几个原子层厚度，平均自由程度，平均自由程1nm（510）。所以低能电子衍射）。所以低能电子衍射（LEED）只给出表面层结构信息。这种只给出表面层结构）只给出表面层结构信息。这种只给出表面层结构信息的手段称表面敏感手段。信息的手段称表
22、面敏感手段。LEED同同XRD非常类似，只不过入射源由非常类似，只不过入射源由X光换成了低能电子。光换成了低能电子。33学习交流PPTLEED LEED 基本原理基本原理 当低能电子射向晶体表当低能电子射向晶体表面时，会发生弹性散射与非面时，会发生弹性散射与非弹性散射。弹性散射。LEED研究的是前研究的是前者。者。EELS(Electron Energy Loss Spectroscopy)是后者。是后者。弹性散射线之间会相互叠加弹性散射线之间会相互叠加产生产生衍射衍射线，在接受电子的线，在接受电子的荧光屏上会产生亮点。很显荧光屏上会产生亮点。很显然亮点的排列与表面原子的然亮点的排列与表面原子
23、的周期性有关。我们从周期性有关。我们从LEED可可以得到一组亮点。以得到一组亮点。34学习交流PPT真实点阵与倒易点阵真实点阵与倒易点阵但是亮点或斑点的位置并不与真但是亮点或斑点的位置并不与真实空间的点阵点排列相同。实空间的点阵点排列相同。我们知道当我们知道当X射线与一个三维规射线与一个三维规则排列的晶体作用时，衍射图上则排列的晶体作用时，衍射图上出现的一个斑点都代表一个出现的一个斑点都代表一个倒易倒易点阵点点阵点（每一晶面给出一个斑（每一晶面给出一个斑点）。点）。与之类似，与之类似，LEED实验中，实验中，得到的都是倒易点阵的照片得到的都是倒易点阵的照片。35学习交流PPTLEED Patt
24、ern for Pt(111)LEED Pattern for Pt(111)36学习交流PPT6.6.倒易点阵倒易点阵对于一个表面结构，可用一平移矢量表示：对于一个表面结构，可用一平移矢量表示：12Tabmm该结构的倒易点阵，设为：该结构的倒易点阵，设为：按定义两点阵间应满足下列关系：按定义两点阵间应满足下列关系：*12T*a*b*mma*a2 b*a0 b*b2 a*b0 37学习交流PPT如何从真实点阵求倒易点阵如何从真实点阵求倒易点阵b za*2a(b z)azb*2a(b z)是垂直于是垂直于zab平面的单位矢量平面的单位矢量a*垂直于垂直于zbab*垂直于垂直于z将真实点阵表示成矩
25、阵：将真实点阵表示成矩阵：11122122xaaaaaby 11122122aaAaa是是x和和y方向的单位矢量方向的单位矢量x y38学习交流PPT如何从真实点阵求倒易点阵如何从真实点阵求倒易点阵110A A0111122122aaAaa是是A-1的转置矩阵的转置矩阵-1A2212-12111a-a1A-aaA11221221Aa a-a a倒易点阵可表示成矩阵：倒易点阵可表示成矩阵：-1xa*2Ab*y 2221-11211a-a1A-aaA22211211xa*a-a2-aaAb*y 22212a*(axa y)A 12112b*(a xa y)A A-1是是A的逆矩阵的逆矩阵39学习交
26、流PPTExamplesExamples23A40-1031A4212 A0 12=12xa*04326b*y -1041A3212 2a*y3 b*xy23 例例1 已知一表征表面结构的单胞矢量为已知一表征表面结构的单胞矢量为a2x3y;b4x计算倒易点阵矢量计算倒易点阵矢量a*b*a2x3y b4x真实点阵真实点阵 ab a*b*40学习交流PPTExamplesExamplesxa*1211b*y 例例2 自自LEED图像知图像知a*x2y;b*xy 计算真实点阵矢量计算真实点阵矢量a b 22axy3342 bxy33 真实点阵真实点阵-11/21/21A11/2A-1111A212A
27、3/4-1121A1121/21/24A11/23xa2/32/3-4/32/3by 41学习交流PPT7.7.从从LEEDLEED判断吸附物的表面结构判断吸附物的表面结构一般被吸附物的倒易点阵是以底物的倒易点阵作为参考而获一般被吸附物的倒易点阵是以底物的倒易点阵作为参考而获得的，即通过将清洁表面的衍射图象与同一表面但有吸附物得的，即通过将清洁表面的衍射图象与同一表面但有吸附物的衍射图象进行对照，观察其差别，而分辨出单纯被吸附物的衍射图象进行对照，观察其差别，而分辨出单纯被吸附物本身的衍射图象。以此再换算出真实被吸附物的表面结构。本身的衍射图象。以此再换算出真实被吸附物的表面结构。设被吸附物倒
28、易点阵与底物倒易点阵之关系可表达为：设被吸附物倒易点阵与底物倒易点阵之关系可表达为：11*12a*=m a*m b*2122b*=m a*m b*a*a*M*b*b*1112*2122mmM*mm1112a=m am b 2122b=m am b吸附物真实点阵与底物点阵之关系可表达为：吸附物真实点阵与底物点阵之关系可表达为：aaMbb 11122122mmMmm42学习交流PPT如何求吸附物表面结构如何求吸附物表面结构a*a*M*b*b*1112*2122mmM*mmaaMbb 11122122mmMmm可以证明：1M*M*2211*11222112mmm mm m*2112*11222112
29、mmm mm m*1221*11222112mmm mm m*1122*11222112mmm mm m因而从M*可以很方便地求M43学习交流PPTExampleExample例例 下图下图(a)和和(b)分别表示乙炔在清洁分别表示乙炔在清洁Pt(111)上的吸附前后的上的吸附前后的LEED图，推测吸附物乙炔的表面结构图，推测吸附物乙炔的表面结构由图可知由图可知(a)(b)a*a*1/2001/2b*b*2211*11222112m1/2m2m mm m1/4m12=m21=0m22=2aa2002bb Pt(111)-(22)-C2H244学习交流PPT8.8.高高MillerMiller指
30、数晶面指数晶面 前面介绍的晶面多是前面介绍的晶面多是Miller指数较低的晶面，指数较低的晶面，它们大多具有最低的表面自由能，结构稳定，便于它们大多具有最低的表面自由能，结构稳定，便于研究。但实际上在蒸发、凝聚、相转变，化学吸附研究。但实际上在蒸发、凝聚、相转变，化学吸附和催化反应中和催化反应中高高Miller指数表面指数表面起着极重要的作用。起着极重要的作用。45学习交流PPT什么是高什么是高MillerMiller指数晶面？指数晶面？高高Miller指数表面是指由平台、台阶和拐角组成的指数表面是指由平台、台阶和拐角组成的表面，这些面呈周期性排列。表面，这些面呈周期性排列。Pt(755)高密
31、勒指数面可以分解成低密勒指数面来表示高密勒指数面可以分解成低密勒指数面来表示例如例如=Pt(S)5(111)+2(100)=Pt(S)7(111)+2(100)+(110)S表示带有阶梯Pt(10.8.7)其特征是其特征是LEED的衍射点会变长，分成一对或更多个。的衍射点会变长，分成一对或更多个。如有阶梯的表面均能观察到双衍射点，这是由于阶梯平面如有阶梯的表面均能观察到双衍射点，这是由于阶梯平面有序排列的结果。阶梯的周期性叠加到平台周期性上造成有序排列的结果。阶梯的周期性叠加到平台周期性上造成平台衍射点的分裂。平台衍射点的分裂。46学习交流PPT这些面中的这些面中的Pt原原子具有不同的子具有不
32、同的配配位环境位环境，Pt(111)平台上的平台上的Pt是是9配配位，台阶上位，台阶上7，拐，拐角上角上6。可以预期。可以预期不同配位环境的不同配位环境的Pt中心原子会表中心原子会表现出不同的反应现出不同的反应性能。性能。47学习交流PPT3.3 3.3 清洁表面结构清洁表面结构1.表面结构变化模式表面结构变化模式2.典型体系的表面结构典型体系的表面结构3.表面重构机理表面重构机理48学习交流PPT1.1.表面结构变化模式表面结构变化模式由于表面原子的二维及各相异性的特殊环境，表由于表面原子的二维及各相异性的特殊环境，表面原子排列常不同于体相中原子排列。表面结构常面原子排列常不同于体相中原子排
33、列。表面结构常发生以下两种变化模式。发生以下两种变化模式。49学习交流PPT(1)(1)表面弛豫表面弛豫 (Relaxation)(Relaxation)这是表面层与层之间距离发生收缩的现象这是表面层与层之间距离发生收缩的现象(Bond-Length Contraction)。这种现象不改变表面原子的最近邻数目和转动。这种现象不改变表面原子的最近邻数目和转动对称性。在层中的原子排列仍基本上保持从体相结构预测的对称性。在层中的原子排列仍基本上保持从体相结构预测的表面结构。表面结构。实验结果表明收缩或弛豫的实验结果表明收缩或弛豫的大小与表面原子排列的紧密程大小与表面原子排列的紧密程度有关，密度越小
34、，结构越松度有关，密度越小，结构越松散，弛豫程度越大。这种弛豫散，弛豫程度越大。这种弛豫作用会涉及到表层向下好几层。作用会涉及到表层向下好几层。50学习交流PPT表面弛豫的可能原因表面弛豫的可能原因较一般易于接受的解释为较一般易于接受的解释为：当一个晶体劈裂形成新表面时，：当一个晶体劈裂形成新表面时，表面原子原来的成键电子部分地从断开的键移到未断的键上表面原子原来的成键电子部分地从断开的键移到未断的键上去，从而增加了未断键的电荷含量或键级去，从而增加了未断键的电荷含量或键级(bond order)，因而，因而必然会减少键长。必然会减少键长。表面收缩的原因常有好几种解释可以预见，一旦被吸附原子或
35、分子出现在表面，键长的收可以预见，一旦被吸附原子或分子出现在表面，键长的收缩应减少或消失。缩应减少或消失。事实也是如此。弛豫作用通常在高真空中观察到，它对杂事实也是如此。弛豫作用通常在高真空中观察到，它对杂质、缺陷、外来吸附物很敏感。质、缺陷、外来吸附物很敏感。51学习交流PPT(2)(2)表面重构表面重构(Reconstruction)(Reconstruction)同具有非局部性质的金属键相比，因半导体中主要是更同具有非局部性质的金属键相比，因半导体中主要是更为局部化和方向特性的共价键，因而在表面出现悬空键时，为局部化和方向特性的共价键，因而在表面出现悬空键时，表面原子排列变化较大，导致面
36、内原子排列的周期性偏离理表面原子排列变化较大，导致面内原子排列的周期性偏离理想情况。因而半导体更易出现表面重构现象。想情况。因而半导体更易出现表面重构现象。表面原子的排列方式与从体相所预测的完全不同表面原子的排列方式与从体相所预测的完全不同52学习交流PPTSchlier-Farnsworth模模型：在表面，每个原型：在表面，每个原子有两个未饱和的悬子有两个未饱和的悬空键空键(dangling bond)，最近邻的两个表面原最近邻的两个表面原子彼此相向做一定的子彼此相向做一定的弯曲，从而使各自的弯曲，从而使各自的一个悬空键配对成键。一个悬空键配对成键。这种成键的弯曲导致这种成键的弯曲导致了表面
37、重构为了表面重构为(21)的的结构。结构。例：例：Si(100)表面易呈现表面易呈现(21)结构结构 53学习交流PPT2.2.典型体系的表面结构典型体系的表面结构 热力学适宜的稳定的表面是那些具有紧密堆积的原子平热力学适宜的稳定的表面是那些具有紧密堆积的原子平面。通常低密勒指数面的金属表面，特别是原子排列较紧，面。通常低密勒指数面的金属表面，特别是原子排列较紧，密度较大的面如密度较大的面如fcc(111),bcc(110)面，经面，经LEED研究表明，多研究表明，多为为(11)结构，也就是表面单胞与体相单胞在表面上的投影相结构，也就是表面单胞与体相单胞在表面上的投影相等，表面弛豫现象也不明显
38、，最上层与第二层间距接近体相等，表面弛豫现象也不明显，最上层与第二层间距接近体相值。（值。（5%变动）变动）(1)金属表面金属表面(A)(1 11 1)结构结构54学习交流PPTfcc金属金属 Ag，Al，Pt,Ni,Cu,Ir,Rh等（等（111）hcp金属金属 Be,Cd,Co,Ti,Zn（0001）面）面bcc 金属金属 Fe,Na,W（110）面）面 对堆集不太紧密的面，如对堆集不太紧密的面，如Ag,Al(110)面，面，Mo,W（100）面，）面，300 K以上虽均保持（以上虽均保持（11）表面单胞，但）表面单胞，但Z方向收缩变得明显，方向收缩变得明显，Al（110）515%，W(1
39、00)6%。5%变动变动(A)(A)(1 11 1)结结构构515%变动变动55学习交流PPT(B)(B)重构重构fcc Ir(100)(15)fcc Au(100)(520)但对于四方排列的表面，原子排列不十分松懈，也会发生重构，形成更稳定的密堆积的表面。一般地说，对于某些原子密度小的金属表面会发生表面重构现一般地说，对于某些原子密度小的金属表面会发生表面重构现象。象。当有吸附气体如CO出现时，表面很快就回复到与体相结构相似的四方排列的(11)表面单胞。56学习交流PPT(B)(B)重构重构bcc,Mo和W(100)在300K以上时均为（11），降温后变为C（22）或（22）R45o，这种转
40、变是可逆的。57学习交流PPT(2)(2)半导体表面半导体表面 和金属表面不同，半导体表面发生重构是很普遍的现和金属表面不同，半导体表面发生重构是很普遍的现象。一般来讲，半导体的成键具有更为局部化和方向特性，象。一般来讲，半导体的成键具有更为局部化和方向特性，而金属则为非局部化的键合，所以半导体表面比金属表面而金属则为非局部化的键合，所以半导体表面比金属表面需要较大的重新排列是自然的。需要较大的重新排列是自然的。如在以上提到的如在以上提到的Si（100）表面常取）表面常取(21)结构，以使表面悬结构，以使表面悬空键得到部分缓和。空键得到部分缓和。58学习交流PPT(3)(3)离子晶体表面离子晶
41、体表面 离子晶体由带正、负电荷的离子交替排列组成。体相内离子晶体由带正、负电荷的离子交替排列组成。体相内聚能是离子之间的库仑作用。在表面，因为表面下的离子的聚能是离子之间的库仑作用。在表面，因为表面下的离子的半空间会产生一个净的电场，该电场可极化表面层的离子。半空间会产生一个净的电场，该电场可极化表面层的离子。这个电场对正、负离子的影响常常不同，会造成表面的起伏这个电场对正、负离子的影响常常不同，会造成表面的起伏不平。不平。大多时候会发生阳离子和阴离子不在同一平面上的现象。大多时候会发生阳离子和阴离子不在同一平面上的现象。一般来讲较大的阴离子会浮上，而较小的阳离子会在下面。一般来讲较大的阴离子
42、会浮上，而较小的阳离子会在下面。这种现象称起皱这种现象称起皱(rumpling)，也属于弛豫的一种形式。，也属于弛豫的一种形式。59学习交流PPT(4)(4)氧化物表面氧化物表面 对于氧化物表面重构可能由两方面造成：一是非化学计对于氧化物表面重构可能由两方面造成：一是非化学计量；二是氧化态变化。量；二是氧化态变化。例如例如TiO2(金红石金红石)（100）面）面将样品加热，表面氧易失去，从而导致表面周期性的变化，将样品加热，表面氧易失去，从而导致表面周期性的变化，形成一系列（形成一系列（13），（），（15），（），（17）单胞形式。在氧）单胞形式。在氧气中加热时会可逆地转变。如将（气中加热时
43、会可逆地转变。如将（17）结构在氧气中加热）结构在氧气中加热可回复到（可回复到（13）结构。即）结构。即表面结构的变化与表面层失去氧表面结构的变化与表面层失去氧而形成有序氧空位有关而形成有序氧空位有关。60学习交流PPT(5)(5)分子晶体表面分子晶体表面Somorjai等研究了运用蒸气沉积的方法在金属表面生长的分等研究了运用蒸气沉积的方法在金属表面生长的分子晶体如冰、苯、萘、环已烷等的结构。子晶体如冰、苯、萘、环已烷等的结构。例如将例如将Pt(111)表面在表面在125155K下暴露在水蒸气中，冰可在下暴露在水蒸气中，冰可在Pt(111)面上生长起来，得到结构为面上生长起来，得到结构为Pt(
44、111)(33)30可见冰沿着可见冰沿着Pt(111)面生长。面生长。同样萘也可沿着同样萘也可沿着Pt(111)面生长。面生长。由研究发现，其表面结构与底物结构、温度、暴露时间等密由研究发现，其表面结构与底物结构、温度、暴露时间等密切相关。切相关。61学习交流PPT分子晶体表面分子晶体表面另一方面，在一有序晶体表面上，低温时可以生长另一方面，在一有序晶体表面上，低温时可以生长Xe,Kr,Ar等单晶薄膜，但与上不同的是，等单晶薄膜，但与上不同的是，不管底物是什么，定向如何，不管底物是什么，定向如何，生长起来的惰性气体晶面一直保持为（生长起来的惰性气体晶面一直保持为（111）面）面。即在该体系。即
45、在该体系中，中，被吸附物与被吸附物之间的相互作用被吸附物与被吸附物之间的相互作用控制了晶体生长的控制了晶体生长的形态。形态。此外，该研究小组用蒸气沉积技术还在金属底物上作了一此外，该研究小组用蒸气沉积技术还在金属底物上作了一些有机物的有序薄膜。些有机物的有序薄膜。以上研究表明：要生长单分子单晶薄膜关键是生长一个有序以上研究表明：要生长单分子单晶薄膜关键是生长一个有序的单层相，该单层相的结构控制随后层的生长和定向。这就的单层相，该单层相的结构控制随后层的生长和定向。这就说明说明底物和第一层分子层之间的作用底物和第一层分子层之间的作用比较重要。比较重要。62学习交流PPT3.3.表面重构机理表面重
46、构机理 表面弛豫作用较强时，特别是带有起皱机制的表面弛豫现表面弛豫作用较强时，特别是带有起皱机制的表面弛豫现象，会导致表面重构。象，会导致表面重构。(1)表面弛豫作用表面弛豫作用63学习交流PPT(2)(2)表面相转变表面相转变fcc Ir(100)应为四方结构。其原子排列虽不是很松散，但有应为四方结构。其原子排列虽不是很松散，但有强烈倾向变成六方密堆积的形式，结果出现了强烈倾向变成六方密堆积的形式，结果出现了(51)结构。结构。表面重构也可以由表面相变造成。前面提到原子排列密表面重构也可以由表面相变造成。前面提到原子排列密度较小的金属表面会发生重构度较小的金属表面会发生重构如如Ir（100）
47、（51）结构）结构64学习交流PPT表面相转变导致表面重构模型表面相转变导致表面重构模型65学习交流PPT(3)(3)表面化学组成变化表面化学组成变化如前面提到的如前面提到的TiO2表面，将样品在真空中加热，因氧丢表面，将样品在真空中加热，因氧丢失会导致表面周期性变化，形成一系列（失会导致表面周期性变化，形成一系列（13），），（15），（），（17）等结构，这是由于表面化学组成变）等结构，这是由于表面化学组成变化所引起的。化所引起的。66学习交流PPT3.4 3.4 化学吸附物的表面结化学吸附物的表面结构构1.规则性规则性2.吸附物诱导的表面重构吸附物诱导的表面重构3.吸附原子结构吸附原子结
48、构4.吸附分子结构吸附分子结构67学习交流PPT1.1.规则性规则性 吸附在规则的晶体表面的原子或分子，它们通常在吸附在规则的晶体表面的原子或分子，它们通常在较宽的温度和表面覆盖度范围内形成较宽的温度和表面覆盖度范围内形成规则的表面结构规则的表面结构，这种规则性的动力来源于这种规则性的动力来源于原子（或分子）间的相互作用原子（或分子）间的相互作用。(1)规则性的动力规则性的动力在表面吸附时，常需要考虑两种作用：在表面吸附时，常需要考虑两种作用：(1)吸附物同吸附物的作用；吸附物同吸附物的作用；(2)吸附物同底物的相互作用。吸附物同底物的相互作用。在化学吸附时，一般只需考虑吸附物同底物的相互作在
49、化学吸附时，一般只需考虑吸附物同底物的相互作用，而忽略吸附物之间的相互作用。因而吸附物的结用，而忽略吸附物之间的相互作用。因而吸附物的结构常与底物类似。构常与底物类似。68学习交流PPT(2)(2)覆盖度与规则结构覆盖度与规则结构 表面结构随表面覆盖度不同而改变。表面结构随表面覆盖度不同而改变。当覆盖度增加，吸附物之间的平均距离降到大约当覆盖度增加，吸附物之间的平均距离降到大约510（0.51.0nm）时，会形成规则的结构。）时，会形成规则的结构。如如Ni（100）上的吸附氧原子在）上的吸附氧原子在单层时，形成单层时，形成（22）四方结构；当覆盖度增加一倍变为）四方结构；当覆盖度增加一倍变为单
50、单层时，形成层时，形成C（22）结构。）结构。在较低的表面覆盖度时，一些吸附物会聚集成二在较低的表面覆盖度时，一些吸附物会聚集成二维的岛状结构。维的岛状结构。69学习交流PPT(3)不同吸附物所表现的不同的规律性不同吸附物所表现的不同的规律性(A)大多数大多数非金属原子吸附物非金属原子吸附物，在紧密堆积的金属表，在紧密堆积的金属表面都不易挤满成一个单层。这是因为原子之间太接近，面都不易挤满成一个单层。这是因为原子之间太接近，会形成较强的斥力。而当采用增加吸附物压力试图导会形成较强的斥力。而当采用增加吸附物压力试图导致单层或以上吸附时，通常是到某一程度不再吸附或致单层或以上吸附时，通常是到某一程
