1、1/6/2023模拟电子技术基础模拟电子技术基础北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院主讲主讲 ：赵建辉：赵建辉第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件(1)(1)1/6/20231.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 双极性晶体管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件 第1章 常用半导体器件本节课内容1/6/20231.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.1.3 PN结重点重点：PNPN结原理、伏安特性及电流方程结原理、伏安特性及电流方程。难点难点：1.1.两种载流子及其运动两种载流子
2、及其运动 2.PN 2.PN结的形成结的形成 3.PN 3.PN结单向导电性结单向导电性重点难点重点难点1/6/2023导体导体 自然界中容易导电的物质称为导体，如金、自然界中容易导电的物质称为导体，如金、银、铜、铝等金属（银、铜、铝等金属（p=p=）。）。绝缘体绝缘体 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体半导体 另有一类物质的导电特性处于导体和绝另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。化镓和一些硫化物、氧化物等。导体、
3、半导体与绝缘体u 本质本质:决定于原子结构决定于原子结构(最外层电子分布最外层电子分布)一、半导体一、半导体1/6/2023半导体半导体 的导电机理不同于其它物质，所以它的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：具有不同于其它物质的特点。例如：热敏热敏/光敏特性。光敏特性。当受外界当受外界热和光热和光的作用时，的作用时，它的导电能力明显变化。如制作它的导电能力明显变化。如制作CCD/CMOSCCD/CMOS光电光电耦合器件等（耦合器件等（优点优点）,受温度变化影响大受温度变化影响大(缺缺点点)。掺杂特性。掺杂特性。往纯净的半导体中掺入某些杂质，往纯净的半导体中掺入某些杂质
4、，使它的导电能力明显改变。如制作二极管、三使它的导电能力明显改变。如制作二极管、三极管器件极管器件(优点优点)，但是温度敏感（，但是温度敏感（缺点缺点）。）。半导体特性 可控性。可控性。外电压控制（外电压控制（单向导电、放大单向导电、放大）。）。1/6/20231.1.1 本征半导体二、本征半导体的原子结构二、本征半导体的原子结构GeSiSi纯净纯净的具有的具有晶体晶体结构的半导体为本征半导体。纯度：结构的半导体为本征半导体。纯度：99.9999999%（简称（简称9个个9）。常用材料是硅和锗。）。常用材料是硅和锗。Ge最外层电子分布最外层电子分布u 最外层电子（价电子）都是最外层电子（价电子
5、）都是四个（共价键）四个（共价键）。1/6/2023纯净半导体通过一纯净半导体通过一定工艺过程，可制成定工艺过程，可制成单单晶体晶体(本征半导体本征半导体)。每个原子与其相临的原每个原子与其相临的原子之间形成子之间形成共价键共价键，共用共用一对价电子一对价电子,结构稳定结构稳定。本征半导体晶体结构本征半导体晶体结构正方体正方体晶格点阵晶格点阵本征半导体本征半导体平面结构平面结构示意图示意图1/6/2023三、本征半导体的两种载流子三、本征半导体的两种载流子自由自由电子电子空穴空穴束缚电子束缚电子本征激发本征激发：在常温下，由于：在常温下，由于热激发热激发，使一些，使一些价电子价电子获得获得足够
6、的能量而脱离共价键的足够的能量而脱离共价键的束缚，成为束缚，成为自由电子自由电子，带，带负负电电，同时共价键上留下一个，同时共价键上留下一个空位，称为空位，称为空穴，空穴，带带正电正电。本征激发本征激发（自由电子（自由电子/孔穴）孔穴）？问题：？问题：整个半导体整个半导体电性电性（空穴（空穴自由电子自由电子成对成对出现出现或者消失）或者消失）视频视频1/6/2023本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理两种载流子：两种载流子：自由电子自由电子和和空空穴均穴均参与移动（导电）。参与移动（导电）。电子移动形成电子移动形成电子电流电子电流。空。空穴移动形成穴移动形成空穴电流空穴电流。移动。移动方向
7、相反，电流方向相同。方向相反，电流方向相同。本征半导体电流为二者之和。本征半导体电流为二者之和。本征半导体的本征半导体的导电能力很弱导电能力很弱（原因：本征激发少）。（原因：本征激发少）。+4+4+4+4两种载流子导电机理两种载流子导电机理视频视频1/6/2023典型值：典型值：T=0K，浓度，浓度 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。T=300K（室温）（室温）,硅：硅：1010 量级（硅原子：量级（硅原子：1022 量级）量级）一定温度下，一定温度下，本征激发与复合本征激发与复合动态平衡动态平衡，载流子浓度一，载流子浓度一定。定。且电子与空穴的浓度相等：且电子与空穴的浓度相等：本征半导体的导
8、电能力取决于本征半导体的导电能力取决于载流子载流子的的浓度浓度。四、本征半导体中载流子浓度四、本征半导体中载流子浓度载流子的浓度与环境密切相关。温度大载流子的浓度与环境密切相关。温度大浓度大浓度大本征本征半导体的导电能力越强。半导体的导电能力越强。优点优点：（热敏：（热敏/光敏器件）光敏器件）缺点：（温度稳定性差原因，缺点：（温度稳定性差原因，电子线路环境温度问题电子线路环境温度问题）)2/(2/31kTEiiGOeTKpn1/6/2023扩散（掺杂）扩散（掺杂）杂质半导体杂质半导体导电性能导电性能显著变化显著变化。原因：掺杂引起半导体原因：掺杂引起半导体某种某种载流子浓度大大增加，载流子浓度
9、大大增加，与与掺杂浓度掺杂浓度相关。相关。P 型半导体型半导体（空穴半导体）（空穴半导体）：空穴浓度空穴浓度大大增加。大大增加。N 型半导体型半导体（电子半导体）（电子半导体）：自由电子自由电子浓度大大增加。浓度大大增加。1.1.2 杂质半导体 根据掺杂物质不同分为根据掺杂物质不同分为2种种：1/6/2023一、一、N 型半导体型半导体在纯净半导体晶体中掺入少量的在纯净半导体晶体中掺入少量的五价五价元素磷（或锑），晶体中的某元素磷（或锑），晶体中的某些半导体原子被些半导体原子被杂质原子杂质原子取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形
10、成共价键，必定个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子多出一个电子，这个电子几乎，这个电子几乎不受束缚，常温下很容易被激发而成为不受束缚，常温下很容易被激发而成为自由电子自由电子，这样磷原子就成了不，这样磷原子就成了不能移动的能移动的带正电的离子（施主原子）带正电的离子（施主原子）。+4+4+5+4磷原子磷原子(施主施主原子原子)自由电子自由电子u 自由电子为自由电子为多子多子（同杂质浓度），空穴为（同杂质浓度），空穴为少子少子N 型半导体中的型半导体中的多数载多数载流子（少子）流子（少子）是什么？是什么？1/6/2023P 型半导体型半导体在纯净半导体晶体中掺入少量的在纯净半导体晶体
11、中掺入少量的3价价元素硼，晶体中的某些半导体原元素硼，晶体中的某些半导体原子被子被杂质原子杂质原子取代，硼原子的最外层有取代，硼原子的最外层有3个价电子，与相邻的半导体原子个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生形成共价键时，产生一个空位（电中性）一个空位（电中性），这个空位很容易吸附，这个空位很容易吸附电子形电子形成新的空穴成新的空穴，这样硼原子就成了不能移动，这样硼原子就成了不能移动带负电的离子（受主原子）带负电的离子（受主原子）。u空穴为空穴为多子多子（同杂质浓度），自由电子为（同杂质浓度），自由电子为少子少子P型半导体中的型半导体中的多数载多数载流子（多子）流子（多子）是什么？是
12、什么？+4+4+3+4空穴空穴（多子）（多子）硼原子硼原子（受主原子）（受主原子）1/6/2023杂质半导体杂质半导体的示意表示法的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质半导体中，杂质半导体中，多子多子和和少子少子的移动都能形成电流。的移动都能形成电流。多子：掺杂形成，多子：掺杂形成，浓度与杂质浓度相等浓度与杂质浓度相等。起。起主导电主导电作用。作用。少子：本征激发形成，浓度底，温度敏感，影响器件性能。少子：本征激发形成，浓度底，温度敏感，影响器件性能。1/6/2023 掺入杂掺入杂 质对本征半导体的导电性有质对本征半导体的导电性有很大很大的影响（相对本征激发），的影响（相对
13、本征激发），典型的数据典型的数据如下如下:T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.41010/cm31 本征硅的本征硅的原子原子浓度浓度:4.961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度:n=51016/cm3杂杂质对半导体导电性的影响质对半导体导电性的影响ppnnpnpn 在一定温度下,电子浓度与空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关。1/6/2023一、PN 结的形成一、PN 结的单向导电性一、PN 结电流方程一、PN 结伏安特
14、性一、PN 结电容效应1.1.3 PN结一、一、PN结的形成结的形成二、二、PN结单向导电性（重点）结单向导电性（重点）三、三、PN结电流方程结电流方程四、四、PN结的伏安特性结的伏安特性五、五、PN结的电容效应结的电容效应1/6/2023一、一、PN结的形成结的形成图图1.1.5 PN结的形成结的形成在同一片半导体基片上，在同一片半导体基片上，分别分别制造制造P 型半导型半导体和体和N 型半导体，经过多子的型半导体，经过多子的扩散扩散，少子的，少子的漂移漂移，在它们的交界面处就形成了在它们的交界面处就形成了PN 结结。1/6/2023P P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动
15、内电场内电场E漂移运动漂移运动多子多子浓度越高，浓度越高，扩散运扩散运动动越强，结果是使空间越强，结果是使空间电荷区电荷区越宽越宽。内电场内电场越强，就使越强，就使漂漂移运动移运动越强，而漂移越强，而漂移使空间电荷区使空间电荷区变薄变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称也称耗尽层耗尽层。一、一、PN结的形成结的形成视频视频1/6/2023PNPN结形成过程结形成过程（扩散扩散与与漂移漂移运动运动动态平衡动态平衡）因浓度差因浓度差 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 多子的扩散运动多子的扩散运动 由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 对于对于P
16、型半导体和型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形型半导体结合面，离子薄层形成的成的空间电荷区空间电荷区称为称为PN结结。在空间电荷区，由于在空间电荷区，由于缺少多子缺少多子，所以也称，所以也称耗尽层耗尽层。1/6/2023二二 PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PN结中结中P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为加区的电位，称为加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；反之；反之称为加称为加反向电压反向电压，简称简称反偏反偏。正偏、反偏正偏、反偏如何影响如何影响PNPN结的结的导电性能？导电性能？1/6/2023+RE二、二、PN 结单向导电性结单向导电性内电场内电场外
17、电场外电场变薄变薄PN+_内电场被内电场被削弱削弱，多子多子的扩散加强，的扩散加强，能够形能够形成较大的扩散电流。成较大的扩散电流。PN 结正向偏置（结正向偏置（正偏正偏）限流限流视频视频1/6/2023PN 结反向偏置结反向偏置（反偏）（反偏）+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被内电场被加强加强，多子的，多子的扩散受抑制扩散受抑制。少子。少子漂移漂移加强加强，但少子数量有限，但少子数量有限，只能形成较小的只能形成较小的反向电反向电流流。RE限流限流视频视频1/6/2023 PN结结正偏导通正偏导通，呈，呈低电阻低电阻，较大的，较大的正向扩散电流正向扩散电流；PN结结反偏截止反偏
18、截止，呈，呈高电阻高电阻，很小，很小反向漂移电流反向漂移电流。iD/mA 1.0 0.5 0.5 1.0 0.5 0 1.0 D/V 反偏反偏 u0u0u0PN 结单向导电性结单向导电性小结小结1/6/2023 三三 PN结的电流方程结的电流方程 PN结端电压与电流关系：结端电压与电流关系：其中：其中：iD/mA1.00.50.51.00.501.0 D/VPN结的伏安特性结的伏安特性iD/mA1.00.5iD=IS0.51.00.501.0 D/V)1(/SDTUueIiIS 反向饱和电流反向饱和电流UT 与温度相关的电压当量与温度相关的电压当量且在常温（且在常温（T=300K）V26mqk
19、TUT（记住！）（记住！）PN结结正向导通正向导通，电流，电流-电压近似电压近似指数指数关系；关系；PN结结反偏截止反偏截止，电流大小：，电流大小：-Is-Is，近似为近似为0。1/6/2023iDOVBR D四、四、PN结的伏安特性结的伏安特性正向（正向（u0）:电击穿电击穿可逆可逆热击穿热击穿不可逆不可逆反向特性反向特性u0Si材料：材料：4V7V7V：雪崩击穿雪崩击穿少子漂移加剧，碰撞共价键少子漂移加剧，碰撞共价键4-7V4-7V：二者兼而有之：二者兼而有之)1(/SDTUueIiTUueIi/SD反向（反向（u0）:SDIi反向击穿反向击穿:TUuu,0图图1.1.10 PN1.1.1
20、0 PN结伏安特性结伏安特性反向击穿反向击穿u反向击穿应用反向击穿应用：稳压稳压（源）作用，区别于恒流（源）（源）作用，区别于恒流（源）1/6/2023五、五、PN 结的电容效应结的电容效应 一定条件下，一定条件下，PN结具有一定的电容效应。结具有一定的电容效应。根据产生电容的机理分为根据产生电容的机理分为2种种：一是一是势垒电容势垒电容：Cb二是扩散电容二是扩散电容：Cd等效等效结电容结电容：Cj=Cb+Cd五、五、PN结的结的电容效应电容效应u应用应用：可变电容，电调谐。：可变电容，电调谐。1/6/2023(1)势垒电容势垒电容Cb（正向电压正向电压引起耗尽层宽度变化引起耗尽层宽度变化）势
21、垒电容势垒电容是由空间电荷区（耗尽层）形成的。是由空间电荷区（耗尽层）形成的。外加外加反向电压反向电压变化变化 PN结压降变化结压降变化 耗尽层耗尽层离子区宽度离子区宽度变化变化 等效等效PN结中结中存储的电荷量存储的电荷量也随之变化（电容的充也随之变化（电容的充放电）。放电）。图 01.09 势垒电容示意图图图1.1.11 势垒电容的示意图势垒电容的示意图1/6/2023 外加外加正向电压正向电压变化变化 非平衡少子非平衡少子浓度变化浓度变化 正向扩散正向扩散电流变化电流变化 扩散区内扩散区内电荷积累释放电荷积累释放形成梯度变化形成梯度变化 形成扩形成扩散电容。散电容。(2)扩散电容扩散电容
22、Cd（反向电压反向电压引起引起非非平衡少子平衡少子扩散形成扩散形成）扩散电容示意图扩散电容示意图uPNPN结电容效应结论：结电容效应结论：二者均是二者均是非线性电容非线性电容（可变可变电容）电容）受外加电压影响（受外加电压影响（工作点工作点影响）影响）C Cj=j=C Cb+b+C Cd d几几pFpF百百pFpF量级（低频忽略量级（低频忽略/高频考虑）高频考虑）1/6/2023本节小结本节小结1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间；2、在一定温度下，本征半导体有一定的导电能力 （本征激发引起，与温度有关）；3、杂质半导体导电能力主要由掺杂浓度决定。4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子
23、。N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关（概括为：光敏/温度/掺杂特性）。6、PN结具有单向导电性。1/6/20231.2 半导体二极管1.2.1 二极管常见结构1.2.2 二极管伏安特性1.2.3 二极管主要参数1.2.4 二极管等效电路1.2.5 稳压二极管1.2.6 其它二极管重点重点：二极管的二极管的单向导电性单向导电性（原理、伏安特性、电流方程（原理、伏安特性、电流方程二极管等效电路、二极管应用。二极管等效电路、二极管应用。重点难点重点难点1/6/2023常见半导体二极管常见半导体二极管1/6/20231.2.1 半导体二极管
24、常见结构 按结构分按结构分点接触型、面接触型点接触型、面接触型和和平面型平面型三大类。三大类。(a)(a)点接触型点接触型(b)(b)面接触型面接触型(c)(c)平面型平面型阴阴极极引引线线阳阳极极引引线线PNP 型型支支持持衬衬底底(d)代代表表符符号号k阴阴极极阳阳极极a 结面积小，结电结面积小，结电容小，容小，检波和高检波和高频频电路。电路。结面积结面积可大可可大可小小，高频整流，高频整流和开关电路。和开关电路。易于扩散工艺，易于扩散工艺，适合适合集成电路集成电路。PNPN结面积大，结面积大，用于用于工频大电工频大电流整流流整流电路。电路。(d)(d)符号符号 1/6/20231.2.2
25、 二极管伏安特性)1(/SDDTUueIi二、二、温度影响温度影响温度升高温度升高正向曲线左移正向曲线左移反向曲线下移反向曲线下移(逆时针逆时针转动转动)正向压降：正向压降：-2.5mV/o oC CIs:1倍倍/10oC一、一、伏安特性伏安特性uDiD开启电压开启电压UON硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降(U(UT T):硅管硅管0.60.8V,锗管锗管0.20.3V反向击穿反向击穿电压电压UBRUBR 图图1.2.3 1.2.3 二极管二极管伏安特性伏安特性曲线曲线反向特性曲线反向特性曲线 u0UT1/6/20231.2.3 二极管主要参数应用选型应用选型(1)最大最大
26、整流电流整流电流IF(与温度有关与温度有关)(2)最大最大反向工作电压反向工作电压(UR=1/2UBR)(3)反向电流反向电流I IR R(温度敏感温度敏感)(4)最高最高工作频率工作频率 fMax(C(Cj j=C=Cb b+C+Cd d)(5)其它参数其它参数:额定功耗额定功耗/极间电容极间电容/正向管压降正向管压降/动态电阻动态电阻/温度系数等温度系数等rd考虑以上考虑以上参数，如参数，如何何等效等效？1/6/20231.2.4 二极管等效电路等效电路等效电路(等效模型等效模型)外特性，便于电路外特性，便于电路定量分析定量分析rd理想模型理想模型恒压降模型恒压降模型折线模型折线模型交流小
27、信号交流小信号模型模型dIdUIUrd注意应用需求场合注意应用需求场合QDIUR 直流直流电阻电阻动态动态电阻电阻1/6/2023DQDTDTDUUTSUUSImVIUrdUUIdUeUIeIddITT)(26)1()1(/SDDTUueIi小信号交流等效电路小信号交流等效电路分析与计算分析与计算TDDUuTSDUuSDDUIdueUIdueIddudiTDTD/)1()()(26mAImViurDQDDDDDDDddudiuir1结论记住，会用！结论记住，会用！与与工作点工作点Q有关！有关！工作点工作点Q越高，越高，rD越小！越小！特性方程特性方程定义定义二极管特性曲线二极管特性曲线1/6/
28、20231.2.5 稳压二极管反向电击穿特性反向电击穿特性稳压管参数：稳压管参数：稳定电压：稳定电压：Uz 稳定电流：稳定电流：Iz(Iz(IzmaxIzmax、Izmin)Izmin)额定功耗：额定功耗：动态电阻：动态电阻：(1)(1)温度系数：温度系数：（%/%/）maxZZZMIUPZZIUZru注意注意：应用中需要：应用中需要限流限流电阻！电阻！1/6/2023稳压二极管的应用（例稳压二极管的应用（例1.2.21.2.2）uoiZDZRiLiuiRL5mA 20mA,V,10minmaxZZZWIIU稳压管的技术参数稳压管的技术参数:k10LR解：稳压管正常工作，流过的反向电流为：解：
29、稳压管正常工作，流过的反向电流为：IzIzmin min IzIzmax max 总电流：总电流：LiiiZLZWRUIiZ分别把分别把I Iz zmin Imin Iz zmaxmax带入（带入（1 1）得到输入电流范）得到输入电流范围，再带入（围，再带入（2 2）可得到）可得到R R范围。范围。Vui10iUURZWi（1 1）（2 2）求：限流电阻范围？求：限流电阻范围？1/6/2023 变容变容二极管（调谐电路）二极管（调谐电路）势垒电容势垒电容CT随外电压变化，注意随外电压变化，注意PN反偏反偏正向电流发光，注意限流，正向电流发光，注意限流，5-20mA1.2.6 其它类型二极管 发
30、光发光二极管（数码指示）二极管（数码指示）光致自由电子，注意光致自由电子，注意PN反偏。反偏。光电光电二极管（遥控通信）二极管（遥控通信）EDDRLUD输入输出 光电耦合光电耦合（隔离耦合）（隔离耦合）数字隔离数字隔离/模拟隔离模拟隔离1/6/2023二极管的用途：二极管的用途：整流、检波、限幅、箝位、开关、整流、检波、限幅、箝位、开关、元器件保护、温度补偿等。元器件保护、温度补偿等。1.2.7 二极管应用分析方法：利用分析方法：利用单向导电性。单向导电性。分析关键：判断二极管处于分析关键：判断二极管处于导通（短路），导通（短路），还是还是截止（开路）截止（开路）状态。状态。1/6/2023开
31、关电路开关电路（思路：先断开二极管，再接入，判断导通或截止思路：先断开二极管，再接入，判断导通或截止）UO11.3V，UO20，UO3-1.3V，UO42V，UO51.3V，UO6-2V。（P64 P64 第三题）第三题）导通导通截止截止导通导通截止截止导通导通截止截止1/6/2023RLuiuo半波整流电路uiuott1/6/2023 正半周：D1、D3 导通D2、D4 截止 负半周：D2、D4导通D1、D3截止全波整流电路1/6/2023模拟模拟限幅限幅（非线性）（非线性）/整流整流VDuiuoREtuiO(b)EuotOEtui(a)UmuoOtUmOtuiO(c)EuoEOt改变改变E
32、，可改变限幅值。原理？，可改变限幅值。原理？VD 1uiuoRE1VD 2E2双向限幅电路（课后分析）1/6/2023数字逻辑电路应用数字逻辑电路应用UAUoVD1RUCCVD2VD3UBUC二极管“与”门电路 二极管“或”门电路（思考）1/6/2023小小 结结 半导体半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。具有一系列特殊的性能，如质。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照掺杂、光照和和温度温度都都可以可以改变改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成半导体的导电性能。利用这些性能可制作成具有各种特性的具有各种特性的半导体器件半导体器件。PN结是构成半导体器件的基础，具有结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性单向导电性、非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。当当PN结加结加正向电压正向电压时，时，PN结导通，呈现结导通，呈现低阻低阻特性。特性。当当PN结加结加反向电压反向电压时，时，PN结截止，呈现结截止，呈现高阻高阻特性。特性。
