1、第四章 半导体单晶和薄膜制造技术 4.1 半导体单晶的制造半导体单晶的制造 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸 （450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成 本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体 生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、 区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅 主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶 体直径可控制在38英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器 件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一
2、体化、 节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在36英寸。外延片 主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工 业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光 片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造 中有更好的适用性并具有消除Latchup的能力。 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。 单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿 美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成 电路用硅。 区熔法（FZ法） 优缺点： 可以制备大分
3、解压 化合物半导体单晶 避免熔体挥发 质量大为提高 4.2 半导体外延制造技术 半导体的外延根据向衬底输送原子的方式可分 为三种：液相外延、气相外延和真空外延。 MOCVD是一种典型的气相外延，而MBE又是 一种典型的真空外延。由于MOCVD既可以生 长组份突变的异质结，又可以生长组份渐变的 异质结，因此到目前为止，在半导体外延领域， MOCVD技术仍然是外延技术的主流。另外降 低反应室压力可以增加反应剂的流速，易于生 长突变异质结。再有在低压下，反应剂的浓度 可以控制得很低，因此外延生长的速率也可以 控制得很低。正因MOCVD在低压下外延具有 更多的优点，所以目前的MOCVD实际上都是 低压
4、MOCVD，即LP MOCVD。 常用外延材料及其工艺 砷化镓材料的制备砷化镓材料的制备 与硅相仿，砷化镓材料也可分为体单晶和外延 材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料， 也可以采用离子注入掺杂工艺离子注入掺杂工艺直接制造集成电 路（采用高质量、大截面、半绝缘砷化镓单 晶）。重点是液封直拉法（即液封乔赫拉斯基 法，简称LEC法）,但水平舟生长法（即水平布 里其曼法）因制出的单晶质量和均匀性较好， 仍然受到一定的重视。液封直拉法的一个新发 展是在高压单晶炉内用热解氮化硼 (PBN)坩埚 和干燥的氧化硼液封剂直接合成和拉制不掺杂、 半绝缘砷化镓单晶。另外，常压下用石英坩埚 和含水氧化硼为液封剂的
5、方法也已试验成功。 不论水平舟生长法或是液封直拉法，晶体的直 径均可达到100150毫米而与硅单晶相仿。 砷化镓的外延生长外延生长按工艺可分为气相和液相外 延，所得外延层在纯度和晶体完整性方面均优 于体单晶材料。通用的汽相外延工艺为 Ga/AsCl3/H2法,这种方法的变通工艺有 Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。为了改 进Ga/AsCl3/H2体系气相外延层的质量，还研 究出低温和低温低压下的外延生长工艺。液相 外延工艺是用 Ga/GaAs熔池覆盖衬底表面,然 后通过降温以生长外延层,也可采用温度梯度生 长法或施加直流电的电外延法。在器件(特别是 微波器件)的制造方面,
6、汽相外延的应用比液相 外延广泛。液相外延可用来制造异质结异质结(如 GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是制造砷化镓双 异质结激光器和太阳电池等的重要手段。 砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化 合物汽相沉积外延。分子束外延是在超高真空 条件下，使一个或多个热分子束与晶体表面相 作用而生长出外延层的方法。对入射分子或原 子束流施加严格的控制，可以生长出超晶格结 构，例如由交替的GaAs和AlxGa As薄层（厚 度仅10埃）所组成的结构。金属有机化合物汽 相沉积外延是用三甲基镓或三乙基镓与砷烷相 作用而生长外延层。用这种方法也能适当地控 制外延层的浓度、厚度和结构。与分子束外延 相比，
7、金属有机化合物汽相沉积外延设备和工 艺均较简单，但分子束外延层的质量较高。 采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相 外延;采用从气相中生长单晶原理的称气相外延。 液相外延就是将所需的外延层材料液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例作为溶质，例 如如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和 溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度， 溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶 出单晶薄层。出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料 为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原 等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为 源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使 源材料变为气态，再在衬底上凝聚。分子束外延 是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法 可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度 只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料 不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半 导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上 述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄 膜非晶材料。
