1、7.1 7.1 透射电子的结构及应用透射电子的结构及应用7.2 7.2 电子衍射电子衍射7.3 7.3 透射电子显微分析样品制备透射电子显微分析样品制备7.4 7.4 薄晶体样品的衍射成像原理薄晶体样品的衍射成像原理 7.2.1 7.2.1 电子衍射基本公式和相机常数电子衍射基本公式和相机常数 7.2.2 7.2.2 选区电子衍射选区电子衍射 7.2.3 7.2.3 常见的几种电子衍射谱常见的几种电子衍射谱 7.2.4 7.2.4 电子衍射花样的标定电子衍射花样的标定 电镜中的电子衍射，其衍射几何与电镜中的电子衍射，其衍射几何与X X射线完全相射线完全相同，都遵循布拉格方程所规定的衍射条件和几
2、何同，都遵循布拉格方程所规定的衍射条件和几何关系，衍射方向可以由厄瓦尔德球关系，衍射方向可以由厄瓦尔德球(反射球反射球)作图作图求出。因此，许多问题可用与求出。因此，许多问题可用与X X射线衍射相类似射线衍射相类似的方法处理，即的方法处理，即2sind电子衍射与电子衍射与X X射线衍射相比的优点射线衍射相比的优点电子衍射能在同一试样上将形貌观察与结构分析电子衍射能在同一试样上将形貌观察与结构分析结合起来。结合起来。电子波长短，单晶的电子衍射花样婉如晶体的倒电子波长短，单晶的电子衍射花样婉如晶体的倒易点阵的一个二维截面在底片上放大投影，从底易点阵的一个二维截面在底片上放大投影，从底片上的电子衍射
3、花样可以直观地辨认出一些晶体片上的电子衍射花样可以直观地辨认出一些晶体的结构和有关取向关系，使晶体结构的研究比的结构和有关取向关系，使晶体结构的研究比X X射线简单。射线简单。物质对电子散射主要是核散射，因此散射强，约物质对电子散射主要是核散射，因此散射强，约为为X X射线一万倍，曝光时间短。射线一万倍，曝光时间短。电子衍射强度有时几乎与透射束相当，以致两者电子衍射强度有时几乎与透射束相当，以致两者产生交互作用，使电子衍射花样，特别是强度分产生交互作用，使电子衍射花样，特别是强度分析变得复杂，不能像析变得复杂，不能像X X射线那样从测量衍射强度来射线那样从测量衍射强度来广泛的测定结构。广泛的测
4、定结构。由于电子波长短，由于电子波长短，角小，测量斑点位置精度远远角小，测量斑点位置精度远远比比X射线低，因此很难用于精确测定点阵常数射线低，因此很难用于精确测定点阵常数。散射强度高导致电子透射能力有限，要求试样薄，散射强度高导致电子透射能力有限，要求试样薄，这就使试样制备工作较这就使试样制备工作较X X射线复杂。射线复杂。gR 物镜后焦面上形物镜后焦面上形成一幅斑点花样成一幅斑点花样经物镜下面的各经物镜下面的各透镜再次放大后透镜再次放大后投射到观察屏上，投射到观察屏上，形成我们观察到形成我们观察到的的衍射花样衍射花样。电子衍射基本公式：电子衍射基本公式：Rhkldhkl=L (7-5)或或
5、Rhkl=L ghkl (7-6)Rhkl：衍射斑与透射斑距离：衍射斑与透射斑距离dhkl:(hikili)晶面间距晶面间距：入射电子束波长：入射电子束波长L：样品到照相底板的距离：样品到照相底板的距离ghkl:倒易矢量倒易矢量令令K=LK=L 为相机常数，通常可为相机常数，通常可以利用金膜衍射花样或者利以利用金膜衍射花样或者利用已知晶体结构单晶体的衍用已知晶体结构单晶体的衍射花样测定（具体见衍射花射花样测定（具体见衍射花样分析部分）。样分析部分）。获取衍射花样的方法是获取衍射花样的方法是光阑选区衍射光阑选区衍射和和微束选微束选区衍射区衍射，前者多在，前者多在5 5平方微米以上，后者可在平方微
6、米以上，后者可在0.50.5平方微米以下，这里主要讲述前者。平方微米以下，这里主要讲述前者。光阑选区衍射是通过在物镜像平面上插入选区光阑选区衍射是通过在物镜像平面上插入选区光阑限制参加成像和衍射的区域来实现的。另光阑限制参加成像和衍射的区域来实现的。另外，电镜的一个特点就是能够做到选区衍射和外，电镜的一个特点就是能够做到选区衍射和选区成像的一致性。选区成像的一致性。选选区区成成像像选选区区衍衍射射选区形貌选区形貌选区衍射斑点选区衍射斑点选区衍射操作步骤：选区衍射操作步骤：1.1.插入选区光栏，套住欲分析的物相，调整中插入选区光栏，套住欲分析的物相，调整中间镜电流使选区光栏边缘清晰，此时选区光栏
7、平间镜电流使选区光栏边缘清晰，此时选区光栏平面与中间镜物平面相重合；面与中间镜物平面相重合；2.2.调整物镜电流，使选区内物像清晰，此时样调整物镜电流，使选区内物像清晰，此时样品的一次像正好落在选区光栏平面上，即物镜像品的一次像正好落在选区光栏平面上，即物镜像平面、中间镜物面、光栏面三面重平面、中间镜物面、光栏面三面重合；合；3.3.抽出物镜光栏，减弱中间镜电流，使中间镜抽出物镜光栏，减弱中间镜电流，使中间镜物平面移到物镜背焦面，荧光屏上可观察到放大的物平面移到物镜背焦面，荧光屏上可观察到放大的电子衍射花样；电子衍射花样；4.4.用中间镜旋钮调节中间镜电流，使中心斑最用中间镜旋钮调节中间镜电流
8、，使中心斑最小最圆，其余斑点明锐，此时中间镜物面与物镜背小最圆，其余斑点明锐，此时中间镜物面与物镜背焦面相重合；焦面相重合；5.5.减弱第二聚光镜电流，使投影到样品上的入减弱第二聚光镜电流，使投影到样品上的入射束散焦（近似平行束），摄照（射束散焦（近似平行束），摄照（30s30s左右）。左右）。1.1.单晶电子衍射谱单晶电子衍射谱2.2.多晶电子衍射谱多晶电子衍射谱3.3.复杂电子衍射花样复杂电子衍射花样100nm167 mabcFig.6 TEM microstructure of No.2 alloys after 350/6h homogenizationa-dark field ima
9、ge b-bright field image c-electron diffraction pattern 花样分析分为两类：花样分析分为两类：结构已知结构已知，确定晶体缺陷及有关数据或相关过程，确定晶体缺陷及有关数据或相关过程中的取向关系；中的取向关系；结构未知结构未知，利用它鉴定物相。指数标定是基础。，利用它鉴定物相。指数标定是基础。多晶体电子衍射花样的标定多晶体电子衍射花样的标定单晶体电子衍射花样的标定单晶体电子衍射花样的标定复杂电子衍射花样分析复杂电子衍射花样分析 a.a.花样花样 与与X X射线衍射法所得花样的几何特征相似，由射线衍射法所得花样的几何特征相似，由一系一系列不同半径的
10、同心圆环列不同半径的同心圆环组成，是由辐照区内大量取组成，是由辐照区内大量取向杂乱无章的细小晶体颗粒产生。向杂乱无章的细小晶体颗粒产生。多晶体金试样的衍射花样多晶体金试样的衍射花样 d d值相同的同一值相同的同一(hkl)(hkl)晶面族所晶面族所产生的衍射束，构成以入射束产生的衍射束，构成以入射束为轴，为轴，2 2为半顶角的圆锥面，为半顶角的圆锥面，它与照相底板的交线即为半径它与照相底板的交线即为半径为为R=LR=L/d/dK/dK/d的圆环。的圆环。R R和和1/d1/d存在简单的正比关系。存在简单的正比关系。对立方晶系：对立方晶系：1/d1/d2 2=(h=(h2 2+k+k2 2+l+
11、l2 2)/a)/a2 2=N/a=N/a2 2，由，由R R2 2比值确定环指数和点阵类型。比值确定环指数和点阵类型。b.b.分析方法分析方法1)1)晶体结构已知：测晶体结构已知：测R R、算、算R R2 2、分析、分析R R2 2比值的递增比值的递增规律、定规律、定N N、求、求(hkl)(hkl)和和a a。如已知如已知K K，也可由，也可由d=K/Rd=K/R求求d d对照对照ASTMASTM求求(hkl)(hkl)。2)2)晶体结构未知：测晶体结构未知：测R R、算、算R R2 2、R Ri i2 2R R1 12 2，找出最，找出最接近的整数比规律、根据消光规律确定晶体结构接近的整
12、数比规律、根据消光规律确定晶体结构类型、写出衍射环指数类型、写出衍射环指数(hkl)(hkl)，算，算a a。如已知如已知K K，也可由，也可由d=K/Rd=K/R求求d d对照对照ASTMASTM求求(hkl)(hkl)和和a a，确定样品物相。确定样品物相。c.c.主要用途主要用途已知晶体结构，标定相机常数，一般用已知晶体结构，标定相机常数，一般用AuAu，FCCFCC，a=0.407nma=0.407nm，也可用内标。，也可用内标。物相鉴定物相鉴定：大量弥散的萃取复型粒子或其它粉末粒子。：大量弥散的萃取复型粒子或其它粉末粒子。d d值比较法值比较法 标定步骤标定步骤1 1、测量圆环半径、
13、测量圆环半径R Ri i（通常（通常是测量直径是测量直径D Di i，R Ri i=D=Di i/2/2，这样测量的精度较高）。这样测量的精度较高）。2 2、由、由d=Ld=L/R/R式，计算式，计算d d，并与已知晶体粉末卡片或并与已知晶体粉末卡片或d d值表上的值表上的d d比较，确定各比较，确定各环环hklhkli i。R2比值规律对比法比值规律对比法 R R2 2比值规律对比法与我们在前面德拜花样标定中比值规律对比法与我们在前面德拜花样标定中介绍的方法完全相同介绍的方法完全相同其实德拜花样就是多晶衍射环被矩形截取的部分其实德拜花样就是多晶衍射环被矩形截取的部分例例:标定标定TiCTiC
14、多晶电子衍射图多晶电子衍射图 编号编号 1 2 3 4 51 2 3 4 5 Di 19.0 Di 19.0 22.2 31.6 36.6 38.522.2 31.6 36.6 38.5 18.5 18.5 21.5 30.0 35.0 21.5 30.0 35.0 37.0 37.0 Ri 9.38 Ri 9.38 10.93 15.36 17.88 18.88 10.93 15.36 17.88 18.88 Ri Ri2 2 87.89 119.36 236.39 319.52 356.27 87.89 119.36 236.39 319.52 356.27 Ri Ri2 2/R/R1 1
15、2 2 1 1 1.36 2.69 3.64 4.05 1.36 2.69 3.64 4.05(Ri(Ri2 2/R/R1 12 2)3 3 3 3 4.07 8.07 10.91 4.07 8.07 10.91 12.1612.16 N 3 N 3 4 4 8 11 8 11 12 12 hkli hkli 111 111 200 200 220 311 220 311 222 222 微区晶体分析往往是单晶或为数不多的几个微区晶体分析往往是单晶或为数不多的几个单晶复合衍射花样。单晶复合衍射花样。a.a.花样特征花样特征规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵原点的规则排列的衍射斑点。它是过倒易点
16、阵原点的一个二维倒易面的放大像。一个二维倒易面的放大像。R RKgKg大量强度不等的衍射斑点。有些并不精确落在大量强度不等的衍射斑点。有些并不精确落在EwaldEwald球面上仍能发生衍射，只是斑点强度较弱。球面上仍能发生衍射，只是斑点强度较弱。倒易杆存在一个强度分布。倒易杆存在一个强度分布。b.b.花样分析花样分析任务：确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向任务：确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向uvwuvw，并确定样品的点阵类型和位向。，并确定样品的点阵类型和位向。方法：有三种，指数直接标定法、比值法方法：有三种，指数直接标定法、比值法(尝试尝试校核法校核法)、标准衍射图法。、标准衍射图法。选
17、择靠近中心透射斑且不在一条直线上的斑点，选择靠近中心透射斑且不在一条直线上的斑点，测量它们的测量它们的R R，利用，利用R R2 2比值的递增规律确定点阵比值的递增规律确定点阵类型和这几个斑点所属的晶面族指数类型和这几个斑点所属的晶面族指数(hkl)(hkl)等。等。(1)(1)指数直接标定法指数直接标定法：(已知样品和相机常数已知样品和相机常数L L)可分别计算产生这几个斑点的晶面间距可分别计算产生这几个斑点的晶面间距d=Ld=L/R/R并并与标准与标准d d值比较直接写出值比较直接写出(hkl)(hkl)。也可事先计算。也可事先计算R R2 2R R1 1，R R3 3R R1 1，和，和
18、R R1 1、R R2 2间夹角，据此进行标定。间夹角，据此进行标定。111lkh222lkh333lkh222lkh1R1j2R333lkh111lkh11113382024133000111204能使斑点花样指数化的两个特征量能使斑点花样指数化的两个特征量根据根据d=Ld=L/R/R查查PDFPDF卡片得出花样指卡片得出花样指数标定的结果数标定的结果(1)(1)指数直接标定法指数直接标定法：(已知样品和相机常数已知样品和相机常数L L)可分别计算产生这几个斑点的晶面间距可分别计算产生这几个斑点的晶面间距d=Ld=L/R/R并并与标准与标准d d值比较直接写出值比较直接写出(hkl)(hkl
19、)。也可事先计算。也可事先计算R R2 2R R1 1，R R3 3R R1 1，和，和R R1 1、R R2 2间夹角，据此进行标定。间夹角，据此进行标定。(2)(2)比值法比值法(尝试校核法尝试校核法)：物相未知：物相未知根据根据R Ri i/R/R1 1比值查表或比值查表或R Ri i2 2/R/R1 12 2比值查表，再利用比值查表，再利用R Ri i之之间的夹角来校验。任取间的夹角来校验。任取(h(h1 1k k1 1l l1 1)，而第二个斑点的，而第二个斑点的指数指数(h(h2 2k k2 2l l2 2)，应根据，应根据R R1 1与与R R2 2之间的夹角的测量值是之间的夹角
20、的测量值是否与该两组晶面的夹角相符来确定。夹角公式为：否与该两组晶面的夹角相符来确定。夹角公式为：12121 2222222111222cosh hk kl lhklhkl再根据矢量加和公式，求出全部的斑点指数。再根据矢量加和公式，求出全部的斑点指数。R3R3R1R1R2R2，R3R3R3R3任取不在一条直线上的两斑点确定晶带轴指数任取不在一条直线上的两斑点确定晶带轴指数B B=r r=R RB B R RA A ACDB011211411004002000低碳合金钢基体的电子衍射花样低碳合金钢基体的电子衍射花样底版负片描制图底版负片描制图 例：例：例例：上图是由某低碳合金钢薄膜样品的区域记录
21、：上图是由某低碳合金钢薄膜样品的区域记录的单晶花样，以这些说明分析方法：的单晶花样，以这些说明分析方法：选选中心附近中心附近A A、B B、C C、D D四斑点，四斑点，测测得得R RA A7.1mm7.1mm，R RB B10.0mm10.0mm，R RC C12.3mm12.3mm，R RD D21.5mm21.5mm，同时用量角器测得同时用量角器测得R R之间的夹角分别为之间的夹角分别为(R(RA A,R,RB B)90900 0，(R(RA A,R,RC C)55550 0，(R(RA A,R,RD D)71710 0求求得得R R2 2比值为比值为2:4:6:182:4:6:18，R
22、 RB B/R/RA A=1.408=1.408，R RC C/R/RA A=1.732=1.732，R RB B/R/RA A=3.028=3.028，表明，表明样品该区为样品该区为体心立方体心立方点阵，点阵，A A斑斑N N为为2 2，110110，假定，假定A A为为(1,-1,0)(1,-1,0)。B B斑点斑点N N为为4 4，表明属于，表明属于200200晶面族，初选晶面族，初选(200)(200)，代入晶面代入晶面夹角公式夹角公式得夹角为得夹角为45450 0(实际为实际为90900 0)，不符，发现，不符，发现(002)(002)与之相符，所以与之相符，所以B B为为(002)
23、(002)。R RC C=R=RA AR RB B，C C为为(1,-2,1)(1,-2,1)，N N6 6与实测与实测R R2 2比值的比值的N N一致，一致，查表或计算夹角为查表或计算夹角为54.7454.740 0，与实测的，与实测的55550 0相符，相符，R RE E2R2RB B，E E为为(004)(004)R RD DR RA AR RE E(1,-1,4)(1,-1,4)，查表或计算（查表或计算（1,-1,01,-1,0）与）与(1,-1,4)(1,-1,4)的夹角为的夹角为70.5370.530 0，依此类推可标定其余点。，依此类推可标定其余点。已知已知K K14.1mmA
24、14.1mmA，用公式，用公式 d=K/Rd=K/R，得，得 d dA A=1.986A=1.986A，d dB B=1.410A=1.410A，d dC C=1.146A=1.146A，d dD D=0.656A=0.656A，查查PDFPDF卡卡发现与发现与-Fe-Fe的标准的标准d d值相符，由此确定样品上该值相符，由此确定样品上该微区为铁素体。微区为铁素体。选取选取R R1 1=R=RB B=(002)=(002)，R R2 2=R=RA A=(1,-1,0)=(1,-1,0)，求求得晶带轴指数得晶带轴指数B B=R RB B R RA A=110110一般要有几套斑点才能分析未知物相
25、：一般要有几套斑点才能分析未知物相：(P92(P92表表7 71)1)衍射花样为平行四边形，七个晶系衍射花样为平行四边形，七个晶系均可均可 正方形，可能为四方或立方正方形，可能为四方或立方 六角形，可能晶系为六方、三角、立方六角形，可能晶系为六方、三角、立方 如果上述三个花样均由同一试样同一部位产生，如果上述三个花样均由同一试样同一部位产生，则此晶体只能属于立方晶系则此晶体只能属于立方晶系表现形式：表现形式：同一衍射花样有不同的指数化结果同一衍射花样有不同的指数化结果产生原因：产生原因：头两个斑点的任意性头两个斑点的任意性二次对称性二次对称性偶合不唯一性，常出现于立方晶系的中高偶合不唯一性，常
26、出现于立方晶系的中高指数，如指数，如(352)(352)和和(611)(611)，(355)(355)和和(173)(173)影响影响：物相分析，可不考虑；但作取向关系、计算缺陷矢物相分析，可不考虑；但作取向关系、计算缺陷矢量分析时必须考虑。量分析时必须考虑。消除办法：消除办法：转动晶体法，让斑点自洽。借助复杂电子衍射花样转动晶体法，让斑点自洽。借助复杂电子衍射花样分析，如双晶带衍射花样、高阶劳厄带花样分析。分析，如双晶带衍射花样、高阶劳厄带花样分析。简单花样：单质或均匀固溶体的散射，由近似简单花样：单质或均匀固溶体的散射，由近似 平行于平行于B B的晶带轴所产生。的晶带轴所产生。复杂花样：在
27、简单花样中出现许多复杂花样：在简单花样中出现许多“额外斑点额外斑点”，分析目的在于辩认额外信息，排除干扰。分析目的在于辩认额外信息，排除干扰。原因原因：EwaldEwald球是一个有一定曲率的球面，可能使两球是一个有一定曲率的球面，可能使两个晶带轴指数相差不大的晶带的个晶带轴指数相差不大的晶带的0 0层倒易面同时与球层倒易面同时与球面相截，产生分属于两个晶带的两套衍射斑点。产面相截，产生分属于两个晶带的两套衍射斑点。产生些情况必须具备的条件为：生些情况必须具备的条件为：r r1 1,r,r2 2夹角很小；夹角很小；g g1 1.r.r2 2 0,g0,g2 2.r.r1 100现象现象：一边一
28、套衍射斑（见下页）：一边一套衍射斑（见下页）标定方法标定方法：同简单花样。验证标定结果采用上述必：同简单花样。验证标定结果采用上述必备条件。备条件。a 双晶带引起的斑点花样双晶带引起的斑点花样O*r r1r r2 2g g2 2g g1 1g g3 3入射束入射束B BFBOGDCEHA矩形格子矩形格子平形四边形格子平形四边形格子AlNAlN双晶带双晶带电子衍射花样电子衍射花样原理图原理图b 高阶劳厄带高阶劳厄带通过倒易原点的零层倒易平面上的倒易阵点通过倒易原点的零层倒易平面上的倒易阵点与反射球相截，相应的晶面将产生衍射，这些衍与反射球相截，相应的晶面将产生衍射，这些衍射斑点称为零阶劳厄区斑点
29、或零阶劳厄带斑点。射斑点称为零阶劳厄区斑点或零阶劳厄带斑点。在有些情况下，除零层倒易平面与反射球相截外，在有些情况下，除零层倒易平面与反射球相截外，与此平行的高层倒易平面上的阵点也可能与反射与此平行的高层倒易平面上的阵点也可能与反射球相截，从而产生相应的衍射称这些衍射斑点球相截，从而产生相应的衍射称这些衍射斑点为高阶劳厄斑点或高阶劳厄带斑点。为高阶劳厄斑点或高阶劳厄带斑点。高阶劳厄带斑点可以给出三维倒易点阵的资料，高阶劳厄带斑点可以给出三维倒易点阵的资料，是晶体相分析和取向分析中非常有用的信息。是晶体相分析和取向分析中非常有用的信息。标定方法：采用广义晶带定律标定方法：采用广义晶带定律:hu+
30、kv+lw=N N=0 1 -1 2 -2 hu+kv+lw=N N=0 1 -1 2 -2 标定，标定，只要标定出高阶劳厄带的一个斑点指数，就可只要标定出高阶劳厄带的一个斑点指数，就可参照零阶劳厄带中的斑点指数，将高阶劳厄带参照零阶劳厄带中的斑点指数，将高阶劳厄带中的其它斑点指数标定出来。中的其它斑点指数标定出来。c 二次衍射二次衍射原理原理：电子通过晶体时，产生的较强，它们常常：电子通过晶体时，产生的较强，它们常常可以作为新的入射线，在晶体中再次产生衍射。可以作为新的入射线，在晶体中再次产生衍射。现象现象：重合：强度反常；不重合：多出斑点或出：重合：强度反常；不重合：多出斑点或出现现“禁止
31、斑点禁止斑点”。场合场合：多发生在两相合金衍射花样内，如基体与：多发生在两相合金衍射花样内，如基体与析出相；同结构不同方位的晶体之间，如孪晶，析出相；同结构不同方位的晶体之间，如孪晶，晶界附近；同一晶体内部。晶界附近；同一晶体内部。判断判断：二次衍射起因于花样的对称性，所以：二次衍射起因于花样的对称性，所以可以通过将试样绕强衍射斑点倾斜可以通过将试样绕强衍射斑点倾斜1010左右左右以产生双束条件，即透射束和一强衍射束。以产生双束条件，即透射束和一强衍射束。若起因于二次衍射，在双束条件政斑点就会若起因于二次衍射，在双束条件政斑点就会消失；若部分强度起因于这种作用，强度就消失；若部分强度起因于这种
32、作用，强度就会减弱。也可用二次衍射斑形成中心暗场象会减弱。也可用二次衍射斑形成中心暗场象来区分，如晶界会亮。来区分，如晶界会亮。d 孪晶孪晶原理原理：在凝固、相变和再结晶变形过程中，晶体内：在凝固、相变和再结晶变形过程中，晶体内的一部分相对于基体按一定的对称关系成长，即形的一部分相对于基体按一定的对称关系成长，即形成孪晶。如以孪晶面为镜面反映，或以孪晶面的法成孪晶。如以孪晶面为镜面反映，或以孪晶面的法线为轴，旋转线为轴，旋转6060、9090、120120、180180，多数为，多数为180180，可以与另一晶体相重。晶体中的这种孪晶关，可以与另一晶体相重。晶体中的这种孪晶关系自然也反映在相应
33、的倒易点阵中，从而由相应的系自然也反映在相应的倒易点阵中，从而由相应的衍射花样中反映出来。衍射花样中反映出来。现象现象：出现的额外孪晶斑与基体斑有一定的距离，：出现的额外孪晶斑与基体斑有一定的距离，如立方晶系中为如立方晶系中为1/31/3。判断判断：倾斜试样或用暗场。：倾斜试样或用暗场。e 有序化与长周期结构有序化与长周期结构原理原理：无序、有序转变时出现反常衍射。如面心立：无序、有序转变时出现反常衍射。如面心立方简单立方。有序合金的衍射花样中出现的超点方简单立方。有序合金的衍射花样中出现的超点阵阵(超结构超结构)衍射斑是有序的确凿证据。超点阵反向衍射斑是有序的确凿证据。超点阵反向强度取决于所
34、含异类原子散射振幅之差，一般较弱。强度取决于所含异类原子散射振幅之差，一般较弱。长周期长周期：有序畴在某方向的规则排列。其衍射花样：有序畴在某方向的规则排列。其衍射花样的特征是，除基体衍射斑点外，还出现一系列间隔的特征是，除基体衍射斑点外，还出现一系列间隔较密的微弱斑点。较密的微弱斑点。f 调幅结构调幅结构原理原理：在某些稳定的第二相生成之前，固溶体中常：在某些稳定的第二相生成之前，固溶体中常常产生不均匀的现象，溶质原子在某些特定的晶面常产生不均匀的现象，溶质原子在某些特定的晶面上偏聚。这样在每个溶质原子富集区两侧就有可能上偏聚。这样在每个溶质原子富集区两侧就有可能出现溶质原子的贫乏区，形成相继交替的周期性层出现溶质原子的贫乏区，形成相继交替的周期性层状结构。状结构。特征特征：只在：只在hkl斑点两侧出现卫星斑，在透射斑两斑点两侧出现卫星斑，在透射斑两侧不产生。侧不产生。
