1、第二章第二章2.1 2.1 电子元器件电子元器件2.2 2.2 元器件的修理常识元器件的修理常识2.1.1 2.1.1 晶体二极管晶体二极管 1.1.二极管的结构、符号、分类和型号二极管的结构、符号、分类和型号 （1）二极管的结构、电路符号 二极管的内部结构如图2-1（a）所示。采用掺杂工艺，使锗或硅晶体的一边形成P型半导体区域，另一边形成N型半导体区域，在P型半导体与N型半导体的交界面会形成一个具有特殊电性能的薄层，即PN结。从P区引出的电极为正极（或阳极），从N区引出的电极为负极（或阴极）。二极管一般用金属、塑料或玻璃材料作为封装外壳，外壳上印有标记便于区分正负电极。二极管的电路符号如图2
2、-1（b）所示，箭头所指的方向为正向电流流通的方向，习惯用字母V（或D）代表二极管。PN(阳极)外壳阴极引线阳极引线(阳极)(阴极)(阴极)(a)(b)V图2-1 （a）二极管的内部结构 （b）二极管的电路符号 稳压电源、收音机、电视机等电子产品中各种不同外形的二极管如图2-2所示。2AP2CP2CZ542CZ132CZ30(c)图2-2 常见二极管外形图 （2）二极管的分类、型号 常见的二极管分类如下：按材料分为硅二极管和锗二极管；按PN结面积大小分为点接触型、面接触型和平面型；按功能分为整流、稳压、发光、光电、检波、激光和变容二极管等。各种不同类型的二极管，国内外都采用规定型号来区分。如2
3、CW53表示硅稳压二极管，2AC1表示锗变容二极管等等。根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-1。例如：2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。表2-1国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别符号意义符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZ普通管微波管稳压管参量管整流管LSNUK整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合
4、物材料XGDAUK低频小功率管（fT3MHz,PC1W）高频小功率管（fT3MHz,PC1W）低频大功率（fT3MHz,PC1W）高频大功率（fT3MHz,PC1W）光电器件开关管开关管 由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。例如：3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-2所示。例如：1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。表22美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的
5、等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号用字母表示同一器件的不同档次符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义J军 品 1二极管N表示不加热即半导体器件24位数字登记顺序号A、B、C表 示器 件改 进型无非军品 2三极管 3四极管日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如表2-3。表2-3 日本半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 用数字表示器 件的电极数目用字母表示半导体器件 用拉丁字母表示器件的结构和类型符号意义符号意义 符号意义 0光电器件S半导体器件A高频PNP型三极管快速开关三极管三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结的器件C高频及快速开关NPN三极
6、管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅 2.2.二极管的重要特性二极管的重要特性单向导电性单向导电性 (1)加正向电压导通 如果将电源正极与二极管正极相连，电源负极与二极管负极相连，称为正向偏置，简称正偏。此时二极管内部呈现较小的电阻，有较大电流通过，二极管状态为正向导通状态。(2)加反向电压截止 如果将电源正极与二极管负极相连，电源负极与二极管正极相连，称为反向偏置，简称反偏。此时二极管内部呈现较大的电阻，几乎无电流通过，二极管状态为反向截止状态。由上可知，二极管加正偏压时导通，加反偏压时截止，即单向导电性是二极管最重
7、要的特性。3.3.二极管的伏安特性二极管的伏安特性 加在二极管两端的电压VD和流过二极管的电流ID之间的关系称为二极管的伏安特性，利用晶体管特性图示仪能方便地测出VD与ID关系曲线，即伏安特性曲线，见图2-3。0.20.40.60.8O5101530 U(BR)CCDDIRAABB硅锗iV/mAuV/V(A)5 图2-3 二极管的伏安特性曲线 （1）正向特性 正向伏安特性曲线指VVIV坐标系的第一象限部分，其主要特点是：外加电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA（或OA）段称为死区，对应的死区电压值，硅管为0.5伏左右，锗管为0.2伏左右。正向电压VV超过死区电压时，PN
8、结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流ID增长很快，二极管正向导通。AB（或AB）段特性曲线陡直，VVIV关系近似于线性，此段称为导通区。导通后二极管两端的正向压降（或管压降）近似认为是导通电压。一般硅管为0.7伏左右，锗管为0.3伏左右。这个电压较稳定，几乎不随流过的电流变化。（2）反向特性 反向伏安特性曲线指VVIV坐标系的第三象限部分，它的主要特点是：当二极管承受反向电压VR时，加强了PN结内电场，使二极管呈现很大电阻，此时仅有极小的反向电流IR。曲线OC（或OC）段称为反向截止区，此处的IR称为反向饱和电流或反向漏电流。实际应用中IR越小越好。一般硅二极管的IR在几十微安以
9、下，锗二极管的IR达几百微安，大功率二极管则更大些。反向击穿区 当反向电压增大到超过某个值（图中C或C点），反向电流急剧增大，这种现象叫反向击穿。CD（或CD）段称为反向击穿区，C（或 C）点对应的电压叫反向击穿电压VBR。击穿后电流过大将使管子损坏，所以除稳压管外，加在二极管上的反向电压不允许超过击穿电压。4.4.二极管的主要技术参数及选择二极管的主要技术参数及选择 （1）主要参数 不同类型的二极管有不同参数供选用者参考，在实际应用中最主要的参数如下：最大整流电流IFM 又称为额定工作电流，是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。如果实际工作时的正向平均电流值超过IFM，二极管内的PN
10、结会过分发热而损坏。不同型号的二极管IFM参数悬殊很大。一些大电流的二极管要求使用散热片，且它的IFM是指带有规定散热片条件下的参数值，选用时要注意实际工作电流要比IFM小得较多才安全。最高反向工作电压VRM又称为额定工作电压，是二极管允许承受的反向工作电压峰值。为了确保二极管安全稳定工作，通常标定的VRM是反向击穿电压的1/3至1/2。反向饱和电流IR又称为反向漏电流，指管子未进入击穿区时的反向电流，其值越小管子的单向导电性能越好。温度增加时，二极管的反向电流会急剧增大。一般硅二极管超过150、锗二极管超过90时，会因反向电流急剧增大而造成热击穿，因此使用时要注意温度对管子的影响。最高工作频
11、率fM是保证管子正常工作时的最高频率。二极管的PN结具有结电容，随着工作频率的升高结电容充放电的影响将加剧，进而影响二极管的单向导电性。一般小电流二极管的fM高达几百MHZ，而大电流的整流管仅有几KHZ。（2）器件手册的使用 二极管类型非常多，并且有很多的参数都可从不同侧面反映管子的性能。从晶体管手册中可以查出常用国产、进口二极管的技术参数和使用资料，这些是正确使用二极管的依据。通常晶体管手册包含以下基本内容：器件型号、主要参数、主要用途和器件外形等。表2-5列举了几种典型二极管的技术参数。表2-5 典型二极管的技术参数型号最大整流电流IFM/mA最高反向工作电压VRM/V反向饱和电 流 IR
12、/mA最高工作频率fM/MHZ主要用途2AP32CK842CP312CZ55C 25 100 250 1000 30 30 25 100 0.25 1 300 0.01 150 003 检波管 开关管 整流管 整流管2.1.2 2.1.2 晶体三极管晶体三极管 1.1.三极管的结构、分类及符号三极管的结构、分类及符号 （1）三极管的外形 半导体三极管亦称双极型晶体三极管，简称晶体管。功率不同的三极管体积和封装形式也不一样，近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率管多采用金属封装，且其外壳和散热器连成一体便于散热。常见的三极管外形如图2-4所示。图2-4 常见的三极管外形（2）三极管的
13、结构、符号（a）NPN型 （b）PNP 型图25 三极管的结构和符号 晶体三极管的核心是两个靠得很近的PN结，如图2-5所示。内部有三个半导体区：发射区、基区、集电区，对应的三个电极分别为发射极e、基极b、集电极c；由三个区域半导体类型的不同，三极管分为PNP型和NPN型；发射区和基区之间的PN结称为发射结IC,基区和集电区之间的PN称为集电结IC。注意：由三极管制造工艺的特殊性知，三极管并不是两个PN结的简单组合，使用时不能用两个二极管代替，也不能将发射极和集电极对调使用。（3）三极管的分类和命名 三极管的种类很多，一般有以下几种分类：按照结构工艺分为NPN 型和PNP型（目前国产的硅三极管
14、多为NPN 型，锗三极管多为PNP型）；按所用半导体的材料分为硅三极管和锗三极管（由于硅管温度稳定性好，所以在自控设备中常用硅管）；按允许耗散的功率大小分为大功率管（耗散功率大于几十瓦）和小功率管（耗散功率小于1瓦）；按工作频率不同分为高频管（f3MHZ且高频管的工作频率可以达到几百兆赫）和低频管（f3MHZ）；按用途分为普通三极管和开关三极管等。三极管型号的具体识别方法见表2-1。2.2.三极管的工作电压和主要参数三极管的工作电压和主要参数 三极管工作时，通常在其发射结Je上加正偏电压，在集电结Jc上加反偏电压。加在基极和发射极间的电压叫偏置电压，一般硅管为0.7V左右，锗管为0.3V左右，
15、加在集电极和基极间的电压一般为几伏到几十伏。三极管的种类很多，从晶体管手册中可查出三极管的型号、主要参数、主要用途和外形等，这些技术资料是正确选用三极管的主要依据。总的来说，有以下几类常用参数：（1）共发射极电流放大系数 共发射极直流电流放大系数（或hFE），共发射极交流电流放大系数（或hfe），同一个三极管在相同条件下hfe略大于hFE，但应用时二者可相互代替。（2）极间反向饱和电流 集电极基极间反向饱和电流ICBO，集电极发射极间反向饱和电流ICEO（又称穿透电流）。ICEO=（1+）ICBO。（3）极限参数 集电极最大允许电流ICN（当IC超过ICM将下降到不能工作的地步）；集电极最大允
16、许耗散功率PCM（PC=ICVCE超过此值三极管会过热而烧坏）；集电极发射极间反向击穿电压V（BR）CEO，当基极开路时，集射极间电压超过此值后会由电击穿导致热击穿而损坏管子。3.3.三极管内电流分配和电流放大作用三极管内电流分配和电流放大作用 三极管各极电流分配关系为：IE=IB+IC其中，由于IB远小于IC，所以IEIC；三极管具有电流放大作用：共发射极电流放大系数，=IC/IB，=IC/IB；4.4.三极管的工作特性三极管的工作特性在模拟电路中，三极管应用较多的是共发射极电路，输入电压VBE与输入电流IB间的数量关系称为三极管的输入特性；输出电压VCE与输出电流IC间的数量关系称为三极管
17、的输出特性；三极管的输入输出特性，统称为三极管的工作特性。三极管的输入、输出特性曲线如图26（a）、（b）。250204060801000.20.40.60.8uBE/ViB/AuCE0uCE1V(a)0246810截止区放大区100806040iB0A20饱和区iC/mAuCE/V(b)（a）输入特性曲线 （b）输出特性曲线图2-6 三极管共发射极特性曲线 由三极管输入特性曲线看出：当VBE很小时，IB=0，三极管时截止的，只有在VBE大于三极管的门坎电压（硅管约0.5伏，锗管约0.2伏）后，三极管才产生IB开始导通。导通后的IB迅速增大，但VBE变化很小，此时的VBE值称为三极管工作时的发
18、射结正向压降或导通电压值（硅管约为0.7伏，锗管约为0.3伏）。由此分析，三极管的输入特性曲线是非线性的。通常把三极管输出特性曲线分成三个工作区来分析其工作状态，即放大区、截止区和饱和区。截止区是图2-6（b）中iB=0曲线下方的区域，三极管处于截止状态。在iB=0时，iC并非为零，这时电流就是穿透电流ICEO；饱和区在uCE较小的区域，此区域三极管iC不随iB增大而变化，即处于饱和状态，饱和时的uCE值称为饱和压降VCES（小功率硅管约0.3伏，锗管欲0.1伏）；放大区在截止区和饱和区之间，此区域内三极管iC受iB的控制，即iC=iB，具有电流放大作用，三极管处于放大状态。且iB一定时，IC
19、不随VCE变化而保持恒定，这种现象称三极管的恒流特性。由上述特性总结，三极管工作的外部条件为：当三极管的发射结正偏，集电结反偏时处于放大状态；发射结反偏（或零偏）时，处于截止状态；发射结正偏，集电结正偏时，处于饱和状态。注：工作的内部条件由三极管制造工艺决定。2.1.3 2.1.3 晶闸管晶闸管 晶闸管是晶体闸流管的简称，又叫做可控硅。是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层叁端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅(SCR)。结构上分为单向晶闸管、双向晶闸管
20、、快速晶闸管、可关断晶闸管、逆导晶闸管和光控晶闸管等，是一种大功率的半导体器件；外形上分为螺栓形、平板形和平底形。下面介绍单向晶闸管。图2-7（a）、（b）、（c）是常见单向晶闸管外形图。（a）小功率 （b）中功率 （c）大功率管图2-7 单向晶闸管外形图 单向晶闸管的结构和符号如图2-8（a）、（b）所示。内部结构有四层半导体区、三个PN结，外部有三个引脚即阳极A、阴极K和控制极（又称门极）G。晶闸管导通必须具备两个条件：即在阳极、阴极间加正偏压，同时在控制极和阴极间加正向触发电压。管子一旦导通后门极即失去控制作用，无论门极有无电压，管子仍然保持导通状态。关断晶闸管有两种方法：一是将阳极电压
21、降低到足够小或瞬间反向电压；二是将阳极瞬间开路。（a）内部结构 （b）符号 图2-8 单向晶闸管的结构和符号 单向晶闸管的工作原理及基本特性：晶闸管是P1N1P2N2四层叁端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图2-9所示。图2-9 可控硅等效图解 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic
22、1=1ib1=12ib2。这个电流又流回到BG2的基极，形成正反馈，使ib2不断增大，如此正反馈循环的结果，两个管子的电流剧增，使可控硅饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。晶闸管的优点很多，例如：具有容量大、效率高、成本低、重量轻、体积小、控制灵敏等优点；以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍，可实现小信号功率对大信号功率的变换和控制；在脉冲数字
23、电路中可作为功率开关管使用；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音等。缺点：抗干扰能力和过载能力较差，工作电路较复杂，静态及动态的过载能力较差，容易受干扰而误导通。2.2.1 2.2.1 元器件的检测和故障分析元器件的检测和故障分析 元器件的检测是维修电工的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件是否正常，没有千篇一律的方法，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件是否正常。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法是很必要的，以下介绍常用电子元器件的检测方法供读者参考。2.2.1.1 2.2.1.1 二极管的检测和故障分析二极管的检测和故障
24、分析 从外形上判断二极管管脚如图2-10所示。阴极 阳极 图2-10普通整流管（1N4007型）管脚图 可以用晶体管特性图示仪对二极管作较准确的测量。为操作方便，基于二极管的单向导电性原理，实践中常用万用表来检测判别其管脚和性能。操作如下：先将万用表调至欧姆挡的R1K或R100（此时黑表笔接内部电池的正极，红表笔接内部电池的负极）；然后将万用表的红、黑表笔分别接到二极管两端，若测得电阻较小（几千欧以下），再将红、黑表笔对调后接于二极管两端时，测得的电阻较大（几百千欧），则可判断该管质量较好，且测得电阻较小的那次黑表笔接的是二极管的阳极。故障分析：若上述检测中二极管的正、反向电阻都很小，甚至为零
25、，表明管子内部短路；若测得二极管的正、反向电阻都很大，表明内部已断路。实用时根据情况也可用其他方法，举例如下：（1）检测1N400型二极管 平时装配和检修各类电子电器的整流电源时，1N400型二极管的应用是相当多的。检测二极管性能采用电筒电路，能迅速地判断其好坏。让电池的正极先、后接二极管两脚，如果电珠一次发出微弱光，另一次不发光，则电珠发光那次电池正极处接的是二极管阳极，不发光的那次是二极管的阴极，同时也说明该二极管性能良好；如果电池正极碰触二极管任一脚小电珠都能发光，说明此二极管内部已短路；若电珠都不亮，则二极管内部已断路。注意：此法不能确定二极管的耐压。（2）检测发光二极管 发光二极管因
26、其工作电压低，所以用电筒电路能直观地判断其性能和质量好坏。如果将待测发光二极管跨接入电路后发光二极管不点亮，而将其调换极性后再次接入电路时，发光管微微发光，那么证明该管性能良好，同时可以判断发光管与电池负极相接的管脚即为发光管的负极，另一脚为正极。但如果通过上述两次接入电路二极管均不发光点燃，则说明该管已坏。但反过来说，如发光管两次接入电路，虽然发光管均不亮，但电路中的小电珠却已闪亮发光，则说明该发光管内部已击穿导通。（3）检测光电二极管 光电二极管是一种能把光照强弱的变化转换为电信号的半导体器件。其顶端有一个能射入光线的窗口，光线通过窗口照射到管芯上，在光的激发下，光电二极管产生大量“光生载
27、流子”，光电二极管的反向电流大大增加使内阻减小。常用的光电二极管为2CU、2DU型。其正向电阻不随光照强弱而变化（约为几千欧）；反向电阻在无光时约200K，受光照射时光线越强反向电阻越小，小到几百欧，去除光照反向电阻立即恢复到无光时的阻值。根据上述原理用万用表检测即可。2.2.1.2 2.2.1.2 三极管检测和故障分析三极管检测和故障分析 普通三极管的管脚排列如图2-11所示。图211普通三极管的管脚图 可以用晶体管特性图示仪对三极管作较准确的测量。为操作方便，基于三极管的内部结构（“三区两结”），常用万用表来检测判别其管脚及性能。操作如下：对于功率在1W以下的中小功率三极管，可用万用表的R
28、1K或R100挡测量，对于功率在1W以上的大功率三极管，用万用表的R10或R1挡测量。1.1.用万用表判别管脚和管型用万用表判别管脚和管型 第一步：判别基极和管型 用黑表笔接触某一管脚，用红表笔分别接触另两个管脚，用此方法几次试探，如表头电阻读数都很小，则与黑表笔接触的管脚是基极，同时可确定为NPN型三极管；若用红表笔接触某一管脚，用黑表笔分别接触另两个管脚，如表头读数都很小，则与红表笔接触的管脚是基极，同时可确定为PNP型三极管。第二步：判别发射极e和集电极c以NPN型三极管为例，当基极确定后，假设余下的两脚中的一脚是集电极，将黑表笔接到此脚上，红表笔接到余下的假设发射极上，用稍潮湿的手捏在
29、基极和假设的集电极之间（注意：b、e极不要相碰），观察并计下此时的阻值。再把两脚作相反假设，用同样的方法测试并计下阻值。比较两次读数大小，则阻值小的那次黑表笔接的就是NPN管的集电极c，余下的一脚便是发射极e。判别PNP型三极管方法同上，但必须把上述表笔极性对调一下测试。估测三极管的电流放大系数 把万用表拨到相应的欧姆挡，测量集电极与发射极间的电阻，再用潮手捏在基极b与集电极e之间（潮手代替基极偏置电阻RB，约100K左右），观察指针摆动幅度大小，摆动越大则越大。2.2.用万用表直接测量用万用表直接测量 一般的万用表都有测的功能，将万用表拨到HFE挡，三极管插入测试孔中即可从刻度盘上直读值。若
30、c、e极未知，只要将c、e对调以下测两次，指针偏转较大的那次插脚正确，且从表插孔旁边标记即可判别出c极和e极。实践小经验：对于常用的小功率三极管而言，如9013、9014等三极管，也可以利用电筒电路，快速地粗测其性能判断好坏。将电路中的电池正极接三极管的基极，电池的负极分别碰触三极管的集电极与发射极。如果在碰触集电极时电珠即发光呈暗红色亮光，而碰触发射极时电珠也发亮光，则证明该管性能基本良好。若碰触集电极或发射极时，只有其中一次电珠不亮，则说明该管的一个电极存在断路。但当电池负极碰触集电极和发射极时，电珠均不发光，那么证明该管内部已开路。2.2.1.3 2.2.1.3 单向晶闸管检测单向晶闸管
31、检测 单向晶闸管的管脚排列如图2-12所示。图2-12晶闸管的管脚排列 1.1.电极检测判别电极检测判别 由晶闸管内部结构知，控制极G和 阴极K间是一个PN结，而GA和AK间存在反向的PN结。检测时先将万用表拨到R1K挡，假定晶闸管某一端为控制极G且接上黑表笔，然后用红表笔分别触及另外两脚，若有一次正向导通，则假定的控制极是对的，而导通的那次红表笔接的是阴极K。余下的一极是阳极A。如果两次都不导通，则假定错误，再重新设定检测。2.2.质量判别质量判别 应用电筒电路亦能估测可控硅管子的好坏及导通和阻断情况。将单向可控硅的阴极与电池负极相连接，阳极A与电池正极相接，这时电路中的小电珠若无光亮，则证
32、明可控硅的正向阻断性能基本良好。再找一根细导线将电池的正极端与可控硅的控制电极（G）迅速碰触一下，这时电珠若闪光发亮，则说明可控硅的导通性能良好。若导线碰触时电珠不亮，或小电珠瞬间闪亮一下又即刻熄灭，则说明该管的导通能力很差，根本无法导通。故障分析 如果GK之间的正、反向电阻都等于零，或GK与AK之间的正、反向电阻都很小，说明晶闸管内部短路；如果GK之间的正、反向电阻都为无穷大，说明晶闸管内部断路。2.2.2 2.2.2 元器件的替代元器件的替代 在维修中若已判断某一器件损坏，如果现有或能购到同样的器件并将其换上最好，但有时很难买到同样的器件，此时则应考虑替代的问题。1.1.半导体器件的替代半
33、导体器件的替代 替代之前应确认元器件是否已损坏。因为半导体器件不如电容电阻那样耐焊易拆卸，在拆卸中，人为损坏较多。记录下各电极的位置，再将器件取下，并再次确认原器件是否损坏，在确认已损坏时，应记录下器件的型号、制造厂家。最好的替代是同一制造厂家、同一型号的产品。如果不具备这一条件，应通过器件手册查找元器件的主要参数。再根据这些主要参数选择替代品，替代品应符合下述 几个条件：材料相同，即锗锗、硅硅替代；极性相同，即PNPPNP、NPNNPN替代；种类相同，三极管三极管、场效应管场效应管替代；主要特性相同，如最大直流耗散功率为PCM：替代品的PCM应大于或等于原器件，而且应进行测量和计算原器件在线
34、路中实际功耗PC，以保证替代品的PCMPC。最大允许直流电流（ICM）：替代器件的ICM应大于或等于原器件，而且也应实测计算实际电流IC，以保证ICMIC。最高耐压：替代器件的几个主要参数如晶体管的UCBO、UCEO、UBEO等应大于原来管子。频率特性：替代器件的主要参数如fT或fab应大于或等于原器件。一般来说，满足上述4个条件即可替代。但在某些场合，如低噪声放大，还应考虑开关参数，有的要考虑直流电流放大系数。对于大功率器件，应考虑安装尺寸及散热片安装的问题。如果一时找不到合适的替代品，可以用满足特性要求的高频管替代低频管，用开关管替代高频管，用低放大倍数组成达林顿电路替代高放大倍数的管子等
35、。2.2.电容器的替代电容器的替代 在数控设备中，特殊电容用得很少。一般来说，电容的介质材料并不重要，仅关心其标称容量及耐压。在振荡、定时、带通滤波等电容中，对容量的要求较高，应用相同容量的电容替代。在其余的电路中，对容量的要求不高，可用相近容量的电容替代。作为滤波电容，则对容量的要求 要 宽 一 些。电 解 电 容 应 注 意 耐 压 及 正 负 极 性。3.3.电阻器的替代电阻器的替代 在数字电路中，除振荡、定时、分压等电路外，对阻值的要求范围往往较宽，多采用金属膜电阻，只要满足额定功率即可。在线性电路中，多用精密电阻，替代时应用相应精度、阻值的电阻。有一点提醒维修人员注意：不同制造厂家生
36、产的同型号产品，其性能有时相差甚远，应以器件手册为准。4.4.集成电路的替代集成电路的替代 替代之前应确认原集成电路已损坏。因为焊在线路板上的集成电路完整拆卸较为困难，人为损坏较多。由于集成电路已形成标准化，因此，替代比较简单，只要系列、序号相同，可不论制造厂家而直接替代。在 TLL电路中，当工作电压为+5V时，各系列可以互换，但首先应考虑速度问题，应以高代低。以低代高时，应考虑能否适应线路的要求。在CMOS电路中，互换时除考虑速度外，还应考虑使用的工作电压。CMOS电路中的74HCT系列可直接替代LSTTL电路。最好是用同厂商同型号的器件予以替换。一般说来，不同厂商制造的器件，在型号字头相同、序号相同时可以替，有些器件虽然型号字头不同，但序号相同的也可以替代。在寻找替代器件时，应根据器件手册提供的特性参数查找同类品或类似品。
