1、扩散工序简介扩散工序简介 技术部1.概述概述2.扩散的基本原理和工艺扩散的基本原理和工艺3.扩散设备简述扩散设备简述4.扩散工序标准作业扩散工序标准作业5.扩散工序检测扩散工序检测6.安全注意事项安全注意事项主要内容：主要内容：1.概述概述 扩散的概念扩散的概念 半导体物理半导体物理 -本征半导体本征半导体-杂质半导体杂质半导体-PN结结-光生伏特效应光生伏特效应1.1 扩散的概念扩散的概念扩散（扩散（diffusion）：物质分子从高浓度区域向低浓度区域转）：物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移，直到均匀分布的现象。移，直到均匀分布的现象。扩散一般可发生在一种或几种物质于同一物态或不同物态扩
2、散一般可发生在一种或几种物质于同一物态或不同物态之间，由不同区域之间的浓度差或温度差所引起直到同一之间，由不同区域之间的浓度差或温度差所引起直到同一物态内各部分各种物质的浓度达到均匀或两种物态间各种物物态内各部分各种物质的浓度达到均匀或两种物态间各种物质的浓度达到平衡为止。质的浓度达到平衡为止。扩散的用途：金属表面处理，半导体器件生产等。扩散的用途：金属表面处理，半导体器件生产等。扩散在太阳能电池生产中的作用扩散在太阳能电池生产中的作用什么是什么是PN结？结？半导体特性半导体特性1.2.1 本征半导体本征半导体半导体：半导体：电导率介于导体和绝缘体之间。电导率随着热电导率介于导体和绝缘体之间。
3、电导率随着热 度，光照和掺杂等因素而变化。度，光照和掺杂等因素而变化。本征半导体：纯净的晶体结构的半导体。（自由电子、空穴、本本征半导体：纯净的晶体结构的半导体。（自由电子、空穴、本征载流子浓度）征载流子浓度）SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi硅（硅（绝对绝对零度下）零度下）SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi硅（硅（绝对绝对零度以上，本征激零度以上，本征激发发）1.2.2 杂质半导体杂质半导体半导体掺杂半导体掺杂掺杂的途径有扩散和离子注入。掺杂的途径有扩散和离子注入。扩散
4、机制：扩散机制：杂质原子填隙型杂质替位型杂质填隙扩散空位扩散填隙扩散填隙扩散空位扩散空位扩散1.2.2杂质半导体杂质半导体 在本征半导体硅（以硅为例）中掺入三价元在本征半导体硅（以硅为例）中掺入三价元素硼素硼 （B），就形成），就形成P型半导体。（多子、少子）型半导体。（多子、少子）SiSi B BSiSi B BSiSiSiSi SiSi SiSi多余空穴容易移动多余空穴容易移动1.2.2杂质半导体杂质半导体在本征半导体硅（以硅为例）中掺入五价元素磷在本征半导体硅（以硅为例）中掺入五价元素磷（P），就形成），就形成N型半导体。型半导体。SiSi p pSiSi SiSi p pSiSiSiS
5、i p p p p多余电子容易移动多余电子容易移动1.2.3 PN结结杂质补偿作用，多子扩散、少子漂移。杂质补偿作用，多子扩散、少子漂移。+耗尽区耗尽区内建电场内建电场N型层型层P型层型层电子电子空穴空穴1.2.4 光生伏特效应光生伏特效应VN层层P层输出输出+内建电场内建电场2.扩散的基本原理与工艺扩散的基本原理与工艺 扩散工序在太阳电池制造中的位置扩散工序在太阳电池制造中的位置 扩散工艺的目的扩散工艺的目的 扩散工艺简介扩散工艺简介 扩散方式介绍扩散方式介绍 POCL3扩散原理扩散原理 扩散工艺流程扩散工艺流程 扩散工艺参数扩散工艺参数 工艺参数控制工艺参数控制2.1 扩散工序在太阳电池制
6、造中的位置扩散工序在太阳电池制造中的位置太阳电池制造过程太阳电池制造过程清洗制绒清洗制绒甩干甩干磷扩散形成磷扩散形成p-n结结等离子体边缘腐蚀等离子体边缘腐蚀去磷硅玻璃去磷硅玻璃甩干甩干PECVD 沉积沉积SiNx印刷背面电极印刷背面电极烘干烘干印刷铝背场印刷铝背场烘干烘干印刷正面电极印刷正面电极烧结烧结测试测试包装包装2.2 扩散工艺的目的扩散工艺的目的 在在P P（N N）型衬底上扩散型衬底上扩散N N（P P）型杂质形成型杂质形成PNPN结。达到合适结。达到合适的掺杂浓度的掺杂浓度。P P型衬底型衬底2.3 工艺简介工艺简介 对于一般只有一个对于一般只有一个PN结的硅电池来说，扩散成结的
7、质量极结的硅电池来说，扩散成结的质量极大地影响着电池的性能，硅太阳电池的特性直接受到扩散区和大地影响着电池的性能，硅太阳电池的特性直接受到扩散区和基区性能的影响。基区性能的影响。扩散对太阳电池特性参数的影响：扩散对太阳电池特性参数的影响：1.VOC：要求较高的表面掺杂浓度；：要求较高的表面掺杂浓度；2.ISC：要求较轻的表面掺杂浓度和浅结；要求较轻的表面掺杂浓度和浅结；3.FF：需要高的表面掺杂浓度；（高掺杂有需要高的表面掺杂浓度；（高掺杂有 利于制利于制 备良好的电极欧姆接触，放宽备良好的电极欧姆接触，放宽 烧结工艺条件。并能降低串联电阻）烧结工艺条件。并能降低串联电阻）2.3 工艺简介工艺
8、简介 两步扩散法：目前业内广泛使用的扩散方法。低温预淀积，较两步扩散法：目前业内广泛使用的扩散方法。低温预淀积，较高温重掺杂（推进扩散）。下图为采用两步扩散法和一步扩散高温重掺杂（推进扩散）。下图为采用两步扩散法和一步扩散后电池片后电池片VOC和和ISC的对比：的对比：2表示两步扩散，表示两步扩散，1代表一步扩散。）代表一步扩散。）选择性扩散：为什么提出选择性扩散，其优缺选择性扩散：为什么提出选择性扩散，其优缺点。点。2.4 扩散方式介绍扩散方式介绍三氯氧磷（三氯氧磷（POCl3）液态源扩散）液态源扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式
9、扩散l目前采用的是第一种方法。为什么？目前采用的是第一种方法。为什么？2.5 POCL3扩散原理扩散原理 POCl3在高温下在高温下（600）分解生成五氯化磷分解生成五氯化磷（PCl5）和五和五氧化二磷氧化二磷（P2O5），其反应式如下：，其反应式如下：生成的生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：和磷原子，其反应式如下：5253OP3PClC6005POCl4P5SiO5SiO2P2522.5 POCL3扩散原理扩散原理在有外来在有外来O2存在的情况下，存在的情况下，PCl5会进一步分解会进一步分解成成P2O5并
10、放出氯气（并放出氯气（Cl2）其反应式如下：）其反应式如下：在有氧气的存在时，在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：热分解的反应式为：2522510ClO2P2过量O5O4PCl252236ClO2POPOCl2.6 扩散工艺流程扩散工艺流程TCA（C2H3Cl3）清洗）清洗 饱和饱和 装片装片 送片送片 回温回温 扩散扩散 关源、关源、退舟退舟 卸片卸片 方块电阻测量方块电阻测量刻蚀传递窗测试净化存储柜传递窗装/卸片TCA净化操作台2.7 工艺参数工艺参数TCA清洗清洗预饱和预饱和温度（）时间（min）小N2(L/min)O2(L/min)参数设置1050240-4800.510-2
11、5温度（温度（）时间（时间（min）小N2(L/min)大N2(L/min)O2(L/min)参数设置900-950601-218-251-2.52.7 工艺参数工艺参数时间（时间（min）温度（温度（）大大N2（L/min）小小N2（L/min）O2（L/min）源温（源温（）进炉进炉684090025300020稳定稳定984090025300020通源通源203084090025301.62.01.82.220吹氮吹氮1084090025300020出炉出炉1084090025300020扩散参数扩散参数2.8 工艺参数控制工艺参数控制影响扩散的因素：影响扩散的因素：管内气体中杂质源的浓
12、度管内气体中杂质源的浓度扩散时间扩散时间扩散温度扩散温度3.扩散设备简述扩散设备简述扩散装置示意图扩散装置示意图设备简介设备简介扩散设备结构扩散设备结构设备维护设备维护3.1 扩散装置示意图扩散装置示意图3.2 设备简介设备简介名称：名称：M5111-4WL/UM型高温扩散型高温扩散/氧化氧化系统系统 用途：用途：用于高温扩散和氧化用于高温扩散和氧化设备提供商：中国电子科技集团第四十八研究设备提供商：中国电子科技集团第四十八研究所所产能：产能：每管每管400片片/每次每次主要特点：主要特点：-采用三段自动控温，控温精度采用三段自动控温，控温精度0.5。-恒温长恒温长800mm,精度精度+/-1
13、。-超温、断偶、断水报警和保护功能。超温、断偶、断水报警和保护功能。-工艺过程由工控计算机全自动控制工艺过程由工控计算机全自动控制,触摸屏触摸屏 操作操作 3.3 扩散设备结构扩散设备结构排排 风风气源气源柜柜炉体炉体柜柜计算机控计算机控制柜制柜 推舟推舟机构机构排废口排废口净化操作净化操作台台 总电源进总电源进线线 进气进气3.3 扩散设备结构扩散设备结构3.4 设备维护设备维护每日点检的内容：每日点检的内容：SIC桨桨、各指示灯、触摸屏、各指示灯、触摸屏、排废、温湿度等排废、温湿度等每月点检的内容：添加润滑油、传动杆磨损情每月点检的内容：添加润滑油、传动杆磨损情况、石英管清洗况、石英管清洗
14、每年点检的内容：电气部分、工艺管和电热炉、每年点检的内容：电气部分、工艺管和电热炉、各部件动作、气路单元、真空单元、各仪表各部件动作、气路单元、真空单元、各仪表4.扩散标准作业扩散标准作业 基本作业基本作业 换源作业换源作业 石英管拆卸、清洗和安装石英管拆卸、清洗和安装-作业流程作业流程-相关图片展示相关图片展示4.1.1 基本作业流程基本作业流程 开机开机对硅片自检对硅片自检检查石英舟检查石英舟插片插片上浆上浆运行工艺运行工艺卸片卸片测方块电阻测方块电阻返工片和碎片处理返工片和碎片处理流程卡填写流程卡填写u各步骤细节。（具体见作业指导书）各步骤细节。（具体见作业指导书）4.1.2相关图片相关
15、图片插插 片片净化工作台净化工作台插片时必须穿好插片时必须穿好洁净工作服洁净工作服。4.1.2相关图片相关图片严禁裸手操作，一定严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且要戴好乳胶手套，且不得用手直接接触硅不得用手直接接触硅片和石英舟。片和石英舟。真空吸笔，真空吸笔，从载片盒中从载片盒中吸取硅片插吸取硅片插到石英舟内到石英舟内。载片盒载片盒4.1.2相关图片相关图片碳化硅桨，易碎。碳化硅桨，易碎。安装、拆卸时切安装、拆卸时切勿碰撞！勿碰撞！上上 桨桨移动、放置石英舟移动、放置石英舟时，一定要小心轻时，一定要小心轻放！放！触摸屏触摸屏4.2 换源作业换源作业1.换源前先确认工艺已停止运转，确定可以换源
16、，戴好防毒面具、乳胶手套、和防换源前先确认工艺已停止运转，确定可以换源，戴好防毒面具、乳胶手套、和防酸服等，切断气源（小酸服等，切断气源（小N2），），先关进气阀，后关出气阀，先关进气阀，后关出气阀，阀门拧紧即可，将源阀门拧紧即可，将源瓶从源瓶座中取出，注意要用二只手拿，力度要轻，应避免碰撞，拧松阀门将软瓶从源瓶座中取出，注意要用二只手拿，力度要轻，应避免碰撞，拧松阀门将软管拔下，将换下来的源瓶放至周转盒并送至抽风橱中。管拔下，将换下来的源瓶放至周转盒并送至抽风橱中。2.检查待换源瓶有无裂纹、旋钮松脱、残液等缺陷，如有问题要标识并隔离，并通检查待换源瓶有无裂纹、旋钮松脱、残液等缺陷，如有问题要
17、标识并隔离，并通知相关人员处理。用周转盒将源瓶运到作业区。接气路软管，软管要插到位，接知相关人员处理。用周转盒将源瓶运到作业区。接气路软管，软管要插到位，接好后要轻拉软管。接好软管后好后要轻拉软管。接好软管后先开出气阀，再开进气阀先开出气阀，再开进气阀，出气阀一定要拧到位，出气阀一定要拧到位，保证气流畅通，开阀门时要左手稳住阀，不可一手扶瓶身一手拧阀，以免会把阀保证气流畅通，开阀门时要左手稳住阀，不可一手扶瓶身一手拧阀，以免会把阀门拧断。门拧断。3.换好后先通小流量换好后先通小流量N2试验（第二个人手动打开小试验（第二个人手动打开小N2），确认源瓶中有气泡），确认源瓶中有气泡出，管路接口无异常
18、，且无回流或倒流现象则出，管路接口无异常，且无回流或倒流现象则OK，把源瓶放入源瓶座中，把源瓶放入源瓶座中，确认恒温箱温度，关好源柜门，收好防毒面具、防酸服等，手套扔入指定确认恒温箱温度，关好源柜门，收好防毒面具、防酸服等，手套扔入指定场所，作好换源记录。场所，作好换源记录。4.3 石英管的拆卸、清洗和安装石英管的拆卸、清洗和安装石英管的清洗每月一次，一般在设备维护时清洗，石英管清石英管的清洗每月一次，一般在设备维护时清洗，石英管清洗涉及到以下作业：洗涉及到以下作业：-石英管的拆卸石英管的拆卸 -清洗液的配制清洗液的配制 -石英管的清洗石英管的清洗 -石英管的安装石英管的安装5.扩散工序检测扩
19、散工序检测外观检验外观检验方块电阻检验方块电阻检验 -检验标准检验标准 -检验原理检验原理 -检验仪器检验仪器 -标准作业标准作业少子寿命检测少子寿命检测洁净度检测洁净度检测5.1 外观检测外观检测扩散前检测：扩散前检测：硅片绒面有无色斑，雨点，硅片是否甩干，硅片绒面有无色斑，雨点，硅片是否甩干，有没碎片，裂纹片，对照流程卡检查有无少片有没碎片，裂纹片，对照流程卡检查有无少片现象。现象。扩散后检测：扩散后检测：绒面不良，花斑，黑点，偏磷酸污染，裂纹，绒面不良，花斑，黑点，偏磷酸污染，裂纹，崩边，崩边，V型缺口型缺口5.1 外观检测外观检测5.2.1 检验标准检验标准 为什么把方块电阻做为检验标
20、准？为什么把方块电阻做为检验标准？同一炉扩散方块电阻不均匀度同一炉扩散方块电阻不均匀度10%，同一硅，同一硅片扩散方块电阻不均匀度片扩散方块电阻不均匀度5%。不均匀度不均匀度=(Rmax-Rmin)(Rmax+Rmin)100%Rs=q(C)(C)Ce(z)dz 5.2.2 检验原理检验原理方块电阻：扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常方块电阻：扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常用用Rs或或R口口表示。所谓薄层电阻，就是表面为正表示。所谓薄层电阻，就是表面为正方形的半导体薄层在电流方向上所呈现的电阻。方形的半导体薄层在电流方向上所呈现的电阻。金属导体的电阻公式金属导体的电阻公式 R=l/s，与之类似
21、，与之类似，薄层电阻的大小为：薄层电阻的大小为：Rs=l/at，如右图：，如右图：当当l=a即为一个方块时：即为一个方块时：Rs=/t 5.2.2 检验原理检验原理VR=FV/I四探针可以排成不同的几何形状，最常见的是排成一条直线。四探针可以排成不同的几何形状，最常见的是排成一条直线。探针间距远大于结深时，几何修正因子为探针间距远大于结深时，几何修正因子为4.5325。I四探针法原理四探针法原理5.2.3 检测仪器检测仪器名称：四探针测试仪名称：四探针测试仪结构：结构：主机、测试台、主机、测试台、四探针探头。四探针探头。u探针属于易耗品，使用中有需要注意的地方。探针属于易耗品，使用中有需要注意
22、的地方。5.2.4 测方块电阻作业测方块电阻作业1.调整测试电流：调整测试电流：使使“R”、“I”、“EXCH.1”显示灯亮，将电流档位显示灯亮，将电流档位0.1mA调至调至10mA，将待测量的硅片取出放在测试台上（扩散面向上），按下降按钮，将待测量的硅片取出放在测试台上（扩散面向上），按下降按钮，使针头平压在硅片上（四针平齐），校准电流，调整电流值为使针头平压在硅片上（四针平齐），校准电流，调整电流值为4.530mA。（根据硅片尺寸规格进行调整）。（根据硅片尺寸规格进行调整）。2.测量方块电阻：测量方块电阻：将将“I”的指示灯切换至的指示灯切换至R/档，读取稳定值，并记录在电池生产记录档，读
23、取稳定值，并记录在电池生产记录中，中，重复以上步骤（注意炉里、炉中、炉口加以区分）。重复以上步骤（注意炉里、炉中、炉口加以区分）。3.判断是否返工判断是否返工 根据规定的工艺要求判断是否要返工，并及时调节扩散的温度。将测根据规定的工艺要求判断是否要返工，并及时调节扩散的温度。将测试完的硅片卸到承载盒中，测量过程完毕。试完的硅片卸到承载盒中，测量过程完毕。5.2.4 测方块电阻作业测方块电阻作业测测 量量四探针测试台四探针测试台扩散面朝上扩散面朝上四探针主机四探针主机5.3 少子寿命检测少子寿命检测少子寿命的定义少子寿命的定义为什么要检测少子寿命为什么要检测少子寿命 测量方法简介测量方法简介(瞬
24、态法和稳态法瞬态法和稳态法)t V V0 V0/e0 5.4 洁净度检测洁净度检测 为什么要有洁净度要求？为什么要有洁净度要求？定期检测，超标则停业整顿定期检测，超标则停业整顿 洁净度标准及定义洁净度标准及定义洁净室等级洁净室等级洁净度洁净度人员的影响人员的影响使周围尘埃增加倍数使周围尘埃增加倍数 粒径（微米）浓度（粒/立方英尺）搅动衣服袖1.5-31级级0.51喷嚏5-2010级级0.510摩擦手或皮肤0-2100级级0.5100三人聚集1.5-31000级级0.51000正常步行1.2-210000级级0.510000快步行走5-10100000级级0.5100000平稳坐着0-2 操作注
25、意事项操作注意事项 -基本常识基本常识 -恒温箱恒温箱 -其他注意点其他注意点 危险物品及防护措施危险物品及防护措施6.安全注意事项安全注意事项6.1.1 基本常识基本常识 扩散是整个车间洁净度要求最高的工序，对工作人员的要求：扩散是整个车间洁净度要求最高的工序，对工作人员的要求：穿着、行为等。穿着、行为等。除此之外还必须掌握以下基本常识：除此之外还必须掌握以下基本常识：1.影响方块电阻测量的因素：光照、温度、高频干扰。影响方块电阻测量的因素：光照、温度、高频干扰。2.正常运行工艺时，舟不能自动进出，可能原因：正常运行工艺时，舟不能自动进出，可能原因：3.扩散炉清洗好石英管后，温度无法升上来，
26、可能原因：扩散炉清洗好石英管后，温度无法升上来，可能原因：4.换换POCL或或TCA时，由于误操作，将软管接反源倒流，应采取时，由于误操作，将软管接反源倒流，应采取哪些措施。哪些措施。5.换源时搬运源瓶，阀门有液体滴下，应采取哪些措施。换源时搬运源瓶，阀门有液体滴下，应采取哪些措施。6.1.2 恒温箱恒温箱扩散源温控制在扩散源温控制在20度度0.5度。度。恒温箱采用水冷方式。使用时恒温箱中需加入恒温箱采用水冷方式。使用时恒温箱中需加入一定量的水，并要注意液位的变化，过高会溢一定量的水，并要注意液位的变化，过高会溢出造成电器的短路，过低会造成源温不受控，出造成电器的短路，过低会造成源温不受控，更
27、换源瓶时需相应加水或抽水。此外，还应视更换源瓶时需相应加水或抽水。此外，还应视水质状况进行定期换水。水质状况进行定期换水。6.1.3 其他注意点其他注意点 外来人员进入扩散间时必须穿洁净服、并穿戴外来人员进入扩散间时必须穿洁净服、并穿戴一次性鞋套。一次性鞋套。6.1.3 其他注意点其他注意点 进入扩散间前，要在风淋门中吹足秒。进入扩散间前，要在风淋门中吹足秒。6.1.3 其他注意点其他注意点 更换过源瓶后必须对源瓶进行检查，以防止源更换过源瓶后必须对源瓶进行检查，以防止源瓶老化，导致危险化学品外泄！瓶老化，导致危险化学品外泄！6.1.3 其他注意点其他注意点 扩散间人员必须对气体进行检查，扩散
28、间人员必须对气体进行检查，使扩散炉在使扩散炉在正常范围内工作！正常范围内工作！6.1.3 其他注意点其他注意点 更换源瓶时没有更换源瓶时没有戴好防毒面具穿防护服戴好防毒面具穿防护服!不穿洁净鞋进入扩散间！不穿洁净鞋进入扩散间！6.1.3 其他注意点其他注意点 正常运行工艺，舟还在前进时，切记不可以点正常运行工艺，舟还在前进时，切记不可以点开开“断点启动断点启动”，否则舟会停止在半途开始做，否则舟会停止在半途开始做磷扩散。磷扩散。禁止用舟叉点击界面。禁止用舟叉点击界面。6.1.3 其他注意点其他注意点 禁止用手直接与石英舟接触！禁止用手直接与石英舟接触！6.1.3 其他注意点其他注意点 禁止传递
29、窗两边同时打开！禁止传递窗两边同时打开！禁止一只手拿两个盒子！禁止一只手拿两个盒子！6.2危险物品及防护措施危险物品及防护措施 POCl3（三氯化氧磷）（三氯化氧磷）危害性：危害性：高毒类化学品。溅入眼内会造成灼伤，愈合较慢。皮肤高毒类化学品。溅入眼内会造成灼伤，愈合较慢。皮肤吸收可引起刺激性症状和皮肤灼伤。呼吸道吸入经过吸收可引起刺激性症状和皮肤灼伤。呼吸道吸入经过2-6小时小时潜伏期可出现急性中毒症状，有食入液体可致消化道灼伤，杂潜伏期可出现急性中毒症状，有食入液体可致消化道灼伤，杂质中含磷磺时可引起磷中毒。质中含磷磺时可引起磷中毒。急救措施：急救措施：眼接触：翻开眼睑，立即用大量清水或生
30、理盐水充分冲洗结眼接触：翻开眼睑，立即用大量清水或生理盐水充分冲洗结 膜囊，膜囊，10分钟左右。分钟左右。皮肤接触：先用纸、棉花等将液体吸去，再用大量水冲洗皮肤接触：先用纸、棉花等将液体吸去，再用大量水冲洗15 分钟，并按酸灼伤处理。分钟，并按酸灼伤处理。吸入：吸入：立即脱离现场到空气清新处，保持安静及保暖。立即脱离现场到空气清新处，保持安静及保暖。6.2危险物品及防护措施危险物品及防护措施化学品：化学品：C2H3CL3(三氯乙烷三氯乙烷)特性：特性：无色液体，不溶于水无色液体，不溶于水 危害性危害性：遇明火、高热能燃烧，并产生剧毒的光气和氯化氢烟雾：遇明火、高热能燃烧，并产生剧毒的光气和氯化
31、氢烟雾。急急 性中毒主要损害中枢神经系统。性中毒主要损害中枢神经系统。对皮肤有轻度脱脂和刺激作对皮肤有轻度脱脂和刺激作 用。用。急救措施：急救措施：皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤。皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤。眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。吸入：吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给 输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸。就医。输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸。就医。食入：食入：饮足量温水，催吐，就医。饮足量温水，催吐，就医。谢谢谢谢!谢谢谢谢!
