《模拟电子电路及技术基础》课件频率响应(4).ppt

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1、1 频率响应的基本概念频率响应的基本概念2 单级共射放大器的高频响应单级共射放大器的高频响应3 共集、共基电路的高频响应共集、共基电路的高频响应 4 场效应管放大器的高频响应场效应管放大器的高频响应5 放大器的低频响应放大器的低频响应6 多级放大器的频率响应多级放大器的频率响应7 建立时间建立时间tr与上限频率与上限频率fH的关系的关系 放大器的频率响应放大器的频率响应:分析方法与滤波器是相通的分析方法与滤波器是相通的!重在慨念和分析思路重在慨念和分析思路,而不是记住计算公式而不是记住计算公式,结论要指导我们如何结论要指导我们如何去解决实际工程问题去解决实际工程问题!4.场效应管放大器的高频响

2、应场效应管放大器的高频响应 场效应管的高频小信号等效电路场效应管的高频小信号等效电路 无论是无论是MOS管或结型场效应管,当考虑到极间电容的管或结型场效应管,当考虑到极间电容的影响时,其高频小信号等效电路都可以用图示的模型表示。影响时,其高频小信号等效电路都可以用图示的模型表示。(a)RsUDDUs.RLCLC2Uo.RsC1RD(1)场效应管共源放大器及其高频小信号等效电路场效应管共源放大器及其高频小信号等效电路首先应用首先应用密勒定理密勒定理将其作单向化近似将其作单向化近似:(1)(1)()1uMgdugdmLMgdgduACCACgRCCCA场效应管共源放大器单向化模型场效应管共源放大器

3、单向化模型 (1)|MgdmLMgdigsMLdsDLLgddsLCCg RCCCCCRrRRCCCC12()(1)(1)ouIsusHHUAAjUjjuIsmLAg R 2212111122HHHHf21HLLR C 111()HsisgsMR CR CC上述分析结果显示:上述分析结果显示:(a)RsUDDUs.RLCLC2Uo.RsC1RD5.放大器的低频响应放大器的低频响应 (1)阻容耦合放大器的低频等效电路阻容耦合放大器的低频等效电路 阻容耦合共射放大器电路及其低频等效电路如图所示。阻容耦合共射放大器电路及其低频等效电路如图所示。下面分别说明耦合电容和旁通电容对低频特性的影响。下面分别

4、说明耦合电容和旁通电容对低频特性的影响。(2)阻容耦合放大器低频响应分析阻容耦合放大器低频响应分析 下面分别讨论耦合电容下面分别讨论耦合电容C1、C2和旁通电容和旁通电容CE对低频特性的影响。考虑对低频特性的影响。考虑C1、C2的影响时,可将的影响时,可将CE短路,如图所示。短路,如图所示。111()LsbeRrC1)由由C1决定的下限频率为决定的下限频率为2)由由C2决定的下限频率为决定的下限频率为221()LCLRRC 可见,可见,C1、C2对低频特性的影响相同,分别由它们决对低频特性的影响相同,分别由它们决定的下限角频率定的下限角频率L1和和L2一般在同一数量级。一般在同一数量级。3)考

5、虑考虑CE对低频特性的影响时,可将对低频特性的影响时,可将C1、C2短路。现将短路。现将RE、CE折合折合到基极输入回路,其阻抗要增大到基极输入回路,其阻抗要增大(1+)倍,如图所示。倍,如图所示。(1)EsbeRRr 通常满足条件通常满足条件 其影响可忽略,其影响可忽略,这时由这时由CE决定的下限频率为决定的下限频率为11()()1LEsbeEsbeCRrCRr 可见,若可见,若CE和和C1取值相同,则取值相同,则CE决定下限角频率要比由决定下限角频率要比由C1决定下限角决定下限角频率高出频率高出(1+)倍。倍。(1).由于旁通电容由于旁通电容CE等效到基极回路要减小等效到基极回路要减小(1

6、+)分之一,分之一,所以阻容耦合放大器的下限频率主要由所以阻容耦合放大器的下限频率主要由CE决定。决定。(2).当要求放大器的下限频率为当要求放大器的下限频率为 fL,则,则CE的取值由下式确的取值由下式确定:定:通过以上分析可得如下结论:通过以上分析可得如下结论:12()ELsbeCfRr 而而C1、C2只要满足只要满足C1=C2=(1/5 1/10)CE 就不会影就不会影响放响放大器下限频率。大器下限频率。(3).当要求放大器的下限频率很低时,可采用直接耦合方当要求放大器的下限频率很低时,可采用直接耦合方式,此时下限频率可低到直流。式,此时下限频率可低到直流。单级共射放大器电路的频率响应虚拟仿真实验单级共射放大器电路的频率响应虚拟仿真实验谢谢收看和听讲谢谢收看和听讲,欢迎下次再相见欢迎下次再相见!话说话说”频率响应频率响应”-(4)场效应管放大器的高频响场效应管放大器的高频响应应 (5)放大器的低频响应放大器的低频响应

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