晶体缺陷

1、2820221第四章第四章 晶体缺陷二晶体缺陷二2820222一位错的运动一位错的运动二位错密度二位错密度三位错观察三位错观察四位错的能量及交互作用四位错的能量及交互作用位错位错28202231位错的易动性位错的易动性一位错的运动一位错的运。

2、2820221第四章第四章 晶体缺陷一晶体缺陷一2820222一什么是晶体缺陷一什么是晶体缺陷二点缺陷二点缺陷三线缺陷位错三线缺陷位错2820223一什么是晶体缺陷一什么是晶体缺陷1实际晶体材料单晶体单晶体: : 一块晶体材料,其内部的晶一。

3、 在实际晶体中,由于原子或离子分子的在实际晶体中,由于原子或离子分子的热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列。

4、图 对称平移性1.3 实际金属的晶体结构实际金属的晶体结构u晶体结构的特点是长程有序.结构基元或者构成物体的粒晶体结构的特点是长程有序.结构基元或者构成物体的粒子子原子离子或分子等原子离子或分子等完全按照空间点阵规则排列的晶体完全按照空间点。

5、第三章第三章 晶体缺陷晶体缺陷一点缺陷一点缺陷 热缺陷热缺陷 固溶体固溶体 非化学计量化合物非化学计量化合物二线缺陷二线缺陷三面缺陷三面缺陷缺陷的含义缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的性势场。

6、晶体结构缺陷晶体结构缺陷 缺陷的含义缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的晶体的结构缺陷结构缺陷.理想晶体理想晶体:质点严格按照空间点阵排列.质点严格按照空间点阵排列.实际晶体。

7、晶体缺陷与固态相变主讲:崔占全 教授导入案例 金属的理论剪切强度约为G为切变模量,而实际金属的剪切强度要比这个理论值低34个数量级,即相差几千到几万倍.例如:Fe的理论切应力为10960 MNm2,而实际切应力仅为2.75 MNm2.这是什。

8、第第2章章 化学腐蚀法检测晶体缺陷化学腐蚀法检测晶体缺陷2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂腐蚀剂2.2 半导体单晶体的缺陷半导体单晶体的缺陷2.3 硅单晶位错的检测硅单晶位错的检测2.4 单晶硅中。

9、1 在实际晶体中,由于原子或离子分子的在实际晶体中,由于原子或离子分子的热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排。

10、1材料A楼509BEmail: Tel: 34203763, 第三章 晶体缺陷 Imperfections defects in Crystals 2第三章 晶体缺陷 Imperfections defects in Crystals It。

11、第三章晶体缺陷第三章晶体缺陷李怀勇李怀勇聊城大学材料科学与工程学院聊城大学材料科学与工程学院2本章章节结构3.1点缺陷3.2位错3.3表面及界面3本章学习重点与难点1.点缺陷的形成与浓度2.柏氏矢量3.位错的基本类型和特征4.滑移和攀移5。

12、表面及界面表面及界面 界面包括:外表面自由表面和内界面界面包括:外表面自由表面和内界面 表面:固体与气体或液体的分界面表面:固体与气体或液体的分界面 表面与材料的摩擦磨损氧化腐蚀偏析催化吸表面与材料的摩擦磨损氧化腐蚀偏析催化吸附以及光学微电。

13、2022817120228172 原子尺度的缺陷原子尺度的缺陷atomic size defects在晶体中可以热力学平衡态存在在晶体中可以热力学平衡态存在 点缺陷研究的发展点缺陷研究的发展1926年年Frankel提出提出 本章内容:本章。

14、Harbin Engineering UniversityChapter 2 Crystal DefectHarbin Engineering University缺陷的含义:缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中通常把晶体点阵结构中周周期性势场。

15、2 11面心立方面心立方fcc fcc 或或 A1A118812 6 4 方向12aR42ad227461433adk3 22体心立方体心立方bcc bcc 或或 A2A21881 2aR43ad23 方向86861233adk4 33密排。

16、第第 三三 章章 晶晶 体体 缺缺 陷陷七七表面与界面表面与界面 本节要求掌握的主要内容 需掌握的概念以及难点需掌握的概念以及难点 晶界的特性晶界的特性大小角度晶界大小角度晶界孪晶界相界的孪晶界相界的类型类型3.3 表面与界面 面缺陷的特征。

17、第三章第三章 晶体缺陷晶体缺陷 引引 言言 晶体缺陷概述及类型晶体缺陷概述及类型第一节第一节 点缺陷点缺陷第二节第二节 位错位错线缺陷线缺陷第三节第三节 表面及界面表面及界面第二节第二节 位位 错错2.1位错的基本类型和特征位错的基本类型和。

18、12.3.1 晶体表面晶体表面晶体表面晶体表面原子会偏离其正常平衡位置,造成表面层的晶格畸变,其能量升高,将单位面积上升高的能量称为比表面能表面比表面能表面能能Jm2.表面能也可以用单位长度上的表面张力Nm表示.影响表面能的因素主要有:o外。

19、晶体结构小结晶体结构小结原子结构与原子结合原子结构与原子结合 原子结合方式决定了其结构原子结合方式决定了其结构 基本概念和分类基本概念和分类晶体学基础晶体学基础 晶体学基本概念晶体学基本概念 晶向和晶面标定晶向和晶面标定纯金属的晶体结构纯金。

20、第第2章章 化学腐蚀法检测晶体缺陷化学腐蚀法检测晶体缺陷2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂腐蚀剂2.2 半导体单晶体的缺陷半导体单晶体的缺陷2.3 硅单晶位错的检测硅单晶位错的检测2.4 单晶硅中。

21、第三章 晶体缺陷 Imperfectionsdefectsin CrystalsIt is the defects that makes materials so interesting,just like the human being。

22、1 1理想金属理想金属实际金属材料中,由于原子分子或离实际金属材料中,由于原子分子或离子的热运动晶体的形成条件加工子的热运动晶体的形成条件加工过程杂质等因素的影响,使得实际晶过程杂质等因素的影响,使得实际晶体中原子的排列不再规则完整,存在体。

23、v1.溶质原子与位错相互作用v2.位错塞积群的应力场v3.位错的近程作用第5章 晶体缺陷之间的相互作用晶体缺2.位错塞积群的应力场3.位错的近程作用二位错的交截割阶及扭折的大小大小和方向方向均与对方的b相同1柏氏矢量相互垂直刃位错交截XY对。