1、本章学习要求：本章学习要求：1.1.了解传感器的分类了解传感器的分类 2.2.掌握常用传感器工作原理原理掌握常用传感器工作原理原理3.3.了解传感器的选用原则了解传感器的选用原则第三章第三章 常用的传感器常用的传感器物理量物理量电量电量3.7 3.7 压电式传感器压电式传感器 压电式传感器是以某些电介质的压电式传感器是以某些电介质的压电效应压电效应为基础，在外力作用下，在电为基础，在外力作用下，在电介质的表面上产生电荷，从而实现非电量测量。介质的表面上产生电荷，从而实现非电量测量。 压电传感元件是力敏感元件，所以它能测量最终能变换为与力相关的压电传感元件是力敏感元件，所以它能测量最终能变换为与
2、力相关的物理量，例如力、压力、加速度等。物理量，例如力、压力、加速度等。 压电式传感器具有响应频带宽、灵敏度高、信噪比大、结构简单、工压电式传感器具有响应频带宽、灵敏度高、信噪比大、结构简单、工作可靠、重量轻等优点。近年来，由于电子技术的飞速发展，随着与之配作可靠、重量轻等优点。近年来，由于电子技术的飞速发展，随着与之配套的二次仪表以及低噪声、小电容、高绝缘电阻电缆的出现，使压电传感套的二次仪表以及低噪声、小电容、高绝缘电阻电缆的出现，使压电传感器的使用更为方便。因此，在工程力学、生物医学、石油勘探、声波测井、器的使用更为方便。因此，在工程力学、生物医学、石油勘探、声波测井、电声学等许多技术领
3、域中获得了广泛的应用。电声学等许多技术领域中获得了广泛的应用。 3.7.1 压电效应压电效应正压电效应正压电效应（顺压电效应顺压电效应）：某些电介质，当沿着）：某些电介质，当沿着一定方向一定方向对其对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面一定表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。当上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。当作用力方向改变时，电荷极性也随着改变。作用力方向改变时，电荷极性也随着改变。逆压电效应逆压电效应（电致伸缩效应电致伸缩效应）：当在电介质的）：当在电介质的极化方向极化方向施加
4、电场，施加电场，这些电介质就在这些电介质就在一定方向一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。电能电能机械能机械能正压电效应正压电效应逆压电效应逆压电效应 某些物质，如石英，受到外力作用时，不仅几何尺寸某些物质，如石英，受到外力作用时，不仅几何尺寸会发生变化，而且内部会被极化，表面产生电荷；当外力去会发生变化，而且内部会被极化，表面产生电荷；当外力去掉时，又重新回到原来的状态，这种现象称为掉时，又重新回到原来的状态，这种现象称为压电效应压电效应。具有压电效应的材料称之为压电材料
5、，石英是一种常用的压电材料。具有压电效应的材料称之为压电材料，石英是一种常用的压电材料。（一）石英晶体的压电效应（一）石英晶体的压电效应天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学中它天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学中它可用三根互相垂直的轴来表示，其中纵向轴可用三根互相垂直的轴来表示，其中纵向轴ZZ称为称为光轴光轴；经；经过正六面体棱线，并垂直于光轴的过正六面体棱线，并垂直于光轴的XX轴称为轴称为电轴电轴；与；与XX轴和轴和ZZ轴同时垂直的轴同时垂直的YY轴（垂直于正六面体的棱面）称为轴（垂直于正六面体的棱面）称为机械轴机械轴。ZXY(a)(b)石英晶体(a)理想石英晶
6、体的外形 (b)坐标系ZYX 通常把沿电轴通常把沿电轴XX方向方向的力作用下产生电荷的压电的力作用下产生电荷的压电效应称为效应称为“纵向压电效应纵向压电效应”，而把沿机械轴，而把沿机械轴YY方向的方向的力作用下产生电荷的压电效力作用下产生电荷的压电效应称为应称为“横向压电效应横向压电效应”，沿光轴沿光轴ZZ方向受力则不产方向受力则不产生压电效应。生压电效应。实验证明：压电体表面集聚的电荷与作用力成正比。若沿单一实验证明：压电体表面集聚的电荷与作用力成正比。若沿单一晶轴晶轴x xx x方向加力方向加力F F，则在垂直于，则在垂直于x xx x方向的压电体表面上积聚方向的压电体表面上积聚的电荷量为
7、：的电荷量为：FdqcFXFX+ + + + + +(a)(b)XX 如果在同一晶片上作用力是沿着机械轴的方向，其电荷仍在如果在同一晶片上作用力是沿着机械轴的方向，其电荷仍在与与X X轴垂直平面上出现，其极性见图（轴垂直平面上出现，其极性见图（c c）、（）、（d d），此时电荷），此时电荷的大小为的大小为 + + + + + + +(c)(d)FYFYXXYYXYFtldFtblbdq12123.7.2 压电材料压电材料 压电材料的主要特征参数：压电材料的主要特征参数： 1，压电常数，压电常数 2，弹性常数，弹性常数 3，介电常数，介电常数 4，机电耦合系数，机电耦合系数 5，电阻，电阻 6
8、，居里点，居里点 迄今出现的压电材料迄今出现的压电材料压电晶体（单晶）压电晶体（单晶）压电陶瓷（多晶半导体）压电陶瓷（多晶半导体）新型压电材料（有机压电薄膜）新型压电材料（有机压电薄膜）钛酸钡是使用最早的压电陶瓷。钛酸钡是使用最早的压电陶瓷。n压电半导体压电半导体 硫化锌，碲化镉，氧化锌，硫化镉等硫化锌，碲化镉，氧化锌，硫化镉等n有机高分子压电材料有机高分子压电材料n某些合成高分子聚合物，经延展拉伸和电极化后具有压电某些合成高分子聚合物，经延展拉伸和电极化后具有压电性高分子压电薄膜。性高分子压电薄膜。n高分子化合物中参杂压电陶瓷高分子化合物中参杂压电陶瓷PZT或钛酸钡粉末制成的高或钛酸钡粉末制
9、成的高分子压电薄膜分子压电薄膜高分子压电薄膜的压电特性并不太好，但其可以大量生产，高分子压电薄膜的压电特性并不太好，但其可以大量生产，且具有面积大、柔软不易破碎等优点。且具有面积大、柔软不易破碎等优点。3.7.3 压电式传感器及其等效电路压电式传感器及其等效电路 在压电晶片的两个工作面上进行金属蒸镀，形成金属膜，构成两个电极。在压电晶片的两个工作面上进行金属蒸镀，形成金属膜，构成两个电极。 当压电传感器中的压电晶体承受被测机械应力的作用时，在它的两个极面上当压电传感器中的压电晶体承受被测机械应力的作用时，在它的两个极面上出现极性相反但电量相等的电荷，形成了电场。出现极性相反但电量相等的电荷，形
10、成了电场。 AC0aCqU 0+串联串联+并联并联F+q=DF根据电荷平衡建立的方程为：根据电荷平衡建立的方程为：tiCuqdtqtiiCRsind00tqitiCRcosdd00忽略过渡过程，其稳态解：忽略过渡过程，其稳态解：)sin()(1200tCRqi01arctanCR电容上的电压值：电容上的电压值：)sin()1(112000tCRCqiRu表明压电元件的电压输出还受回路的时间常数表明压电元件的电压输出还受回路的时间常数R0C的影响。的影响。压电式传感器的前置放大器有两个作用：压电式传感器的前置放大器有两个作用：u把压电式传感器的高输出阻变换成低阻抗输出把压电式传感器的高输出阻变换
11、成低阻抗输出；u放大压电式传感器输出的弱信号放大压电式传感器输出的弱信号。 前置放大器形式：前置放大器形式：u电压放大器电压放大器 其输出电压与输入电压（传感器的输出电其输出电压与输入电压（传感器的输出电压）成正比；压）成正比；u电荷放大器电荷放大器 其输出电压与输入电荷成正比。其输出电压与输入电荷成正比。3.7.4 压电式传感器及其等效电路压电式传感器及其等效电路 压电式传感器输出电信号很微弱，通常应把传压电式传感器输出电信号很微弱，通常应把传感器信号先输入到高输入阻抗的前置放大器中，经感器信号先输入到高输入阻抗的前置放大器中，经过阻抗变换后，方可输入到后续显示仪表中。过阻抗变换后，方可输入
12、到后续显示仪表中。 如果用导线将压电传感器和测量仪器连接时如果用导线将压电传感器和测量仪器连接时,则应考虑则应考虑连线的等效电容连线的等效电容,前置放大器的输入电阻、输入电容。前置放大器的输入电阻、输入电容。CaRaCcRiCiq压电传感器的压电传感器的完整等效电路完整等效电路Ca传感器的固有电容传感器的固有电容Ci 前置放大器输入电容前置放大器输入电容 Cc 连线电容连线电容Ra传感器的漏电阻传感器的漏电阻Ri前置放大器输入电阻前置放大器输入电阻可见，压电传感器的绝缘电阻可见，压电传感器的绝缘电阻Ra与前置放大器的输入电与前置放大器的输入电阻阻Ri相并联。为保证传感器和测试系统有一定的低频或
13、相并联。为保证传感器和测试系统有一定的低频或准静态响应，要求压电传感器绝缘电阻应保待在准静态响应，要求压电传感器绝缘电阻应保待在1013以以上，才能使内部电荷泄漏减少到满足一般测试精度的要上，才能使内部电荷泄漏减少到满足一般测试精度的要求。与上相适应，测试系统则应有较大的时间常数，亦求。与上相适应，测试系统则应有较大的时间常数，亦即前置放大器要有相当高的输入阻抗，否则传感器的信即前置放大器要有相当高的输入阻抗，否则传感器的信号电荷将通过输入电路泄漏，即产生测量误差。号电荷将通过输入电路泄漏，即产生测量误差。 电压放大器电荷放大器电荷放大器AACaCaRaRiCiCcCRUiUSCUSCUa(a
14、)(b)Ua电荷放大器是一个具有电荷放大器是一个具有深度负反馈的高深度负反馈的高增益放大器增益放大器，其基本电路如图。若放大，其基本电路如图。若放大器的开环增益器的开环增益A0足够大，并且放大器的足够大，并且放大器的输入阻抗很高，则放大器输入端几乎没输入阻抗很高，则放大器输入端几乎没有分流，运算电流仅流入反馈回路有分流，运算电流仅流入反馈回路CF与与RF。由图可知。由图可知i的表达式为：的表达式为： A0CaUUSC电荷放大器原理电路图电荷放大器原理电路图iRaqCFRF前置放大器的主要作用有两点：前置放大器的主要作用有两点：（1）将传感器）将传感器 的高阻抗输出变为低阻抗输出；的高阻抗输出变
15、为低阻抗输出；（2）放大传感器输出的微弱信号。）放大传感器输出的微弱信号。前置放大器有两种形式：前置放大器有两种形式：（1）电阻反馈的电压放大器，其输出电压与输入电压）电阻反馈的电压放大器，其输出电压与输入电压成正比。成正比。（2）带电容反馈的电荷放大器，输出电压与输入电荷）带电容反馈的电荷放大器，输出电压与输入电荷成正比。成正比。3.7.5 压电式传感器的应用压电式传感器的应用（一）压电式加速度传感器（一）压电式加速度传感器（二）压电式压力传感器（二）压电式压力传感器（三）压电式流量计（三）压电式流量计（四）集成压电式传感器（四）集成压电式传感器（五）压电式传感器在自来水管道测漏中的应用（五
16、）压电式传感器在自来水管道测漏中的应用 当传感器感受振动时，因为质量块相对被测体质量当传感器感受振动时，因为质量块相对被测体质量较小，因此质量块感受与传感器基座相同的振动，并受较小，因此质量块感受与传感器基座相同的振动，并受到与加速度方向相反的惯性力，此力到与加速度方向相反的惯性力，此力Fma。同时惯性。同时惯性力作用在压电陶瓷片上产生电荷为力作用在压电陶瓷片上产生电荷为 运动方向21345纵向效应型加速度纵向效应型加速度传感器的截面图传感器的截面图（一）（一） 压电式加速度传感器压电式加速度传感器其结构一般有纵向效应型、横向效其结构一般有纵向效应型、横向效应型和剪切效应型三种。纵向效应应型和
17、剪切效应型三种。纵向效应是最常见的是最常见的, ,如图。压电陶瓷如图。压电陶瓷4和质和质量块量块2为环型，通过螺母为环型，通过螺母3对质量块对质量块预先加载，使之压紧在压电陶瓷上。预先加载，使之压紧在压电陶瓷上。测量时将传感器基座测量时将传感器基座5与被测对象与被测对象牢牢地紧固在一起。输出信号由电牢牢地紧固在一起。输出信号由电极极1引出。引出。qd33Fd33ma此式表明此式表明电荷量直接反映加速度大小。电荷量直接反映加速度大小。其灵敏度与其灵敏度与压电材料压电材料压电系数压电系数和和质量块质量质量块质量有关。为了提高传有关。为了提高传感器灵敏度，一般选择压电系数大的压电陶瓷片。感器灵敏度，
18、一般选择压电系数大的压电陶瓷片。若增加质量块质量会影响被测振动，同时会降低振若增加质量块质量会影响被测振动，同时会降低振动系统的固有频率，因此一般不用增加质量办法来动系统的固有频率，因此一般不用增加质量办法来提高传感器灵敏度。此外用增加压电片数目和采用提高传感器灵敏度。此外用增加压电片数目和采用合理的连接方法也可提高传感器灵敏度。合理的连接方法也可提高传感器灵敏度。 （二）（二） 压电式压力传感器压电式压力传感器 根据使用要求不同，压电式测压传感器有各种不同根据使用要求不同，压电式测压传感器有各种不同的结构形式。但它们的基本原理相同。的结构形式。但它们的基本原理相同。 压电式测压传感器的原理简
19、图。它由引线压电式测压传感器的原理简图。它由引线1、壳体、壳体2、基座基座3、压电晶片、压电晶片4、受压膜片、受压膜片5及导电片及导电片6组成。当膜片组成。当膜片5受到压力受到压力P作用后，则在压电晶片上产生电荷。在一个作用后，则在压电晶片上产生电荷。在一个压电片上所产生的电荷压电片上所产生的电荷q为为 SPdFdq1111F作用于压电片上的力；d11压电系数；P压强， ；S膜片的有效面积。SFP 123456p压电式测压传感器原理图压电式测压传感器原理图 测压传感器的输入量为压力测压传感器的输入量为压力P，如果传感器只由一，如果传感器只由一个压电晶片组成，则根据灵敏度的定义有：个压电晶片组成
20、，则根据灵敏度的定义有： PqkqPUku000CqU 011CSdku因为因为 ，所以电压灵敏度也可表示为，所以电压灵敏度也可表示为 U0压电片输出电压；压电片输出电压；C0压电片等效电容压电片等效电容电压灵敏度电压灵敏度电荷灵敏度电荷灵敏度Sdkq11电荷灵敏度电荷灵敏度（三）（三） 压电式流量计压电式流量计利用超声波在顺流方向和逆流方向的传播速度进行测量。利用超声波在顺流方向和逆流方向的传播速度进行测量。其测量装置是在管外设置两个相隔一定距离的其测量装置是在管外设置两个相隔一定距离的收发两用收发两用压电超声换能器，压电超声换能器，每隔一段时间每隔一段时间( (如如1/ /100s) )，
21、发射和接，发射和接收互换一次。在顺流和逆流的情况下，发射和接收的相收互换一次。在顺流和逆流的情况下，发射和接收的相位差与流速成正比。据这个关系，可精确测定流速。位差与流速成正比。据这个关系，可精确测定流速。流流速与管道横截面积的乘积等于流量。速与管道横截面积的乘积等于流量。 流量显示1789输出信号换能器换能器接收接收发射发射压电式流量计此流量计可测量各种液体此流量计可测量各种液体的流速，中压和低压气体的流速，中压和低压气体的流速，不受该流体的导的流速，不受该流体的导电率、粘度、密度、腐蚀电率、粘度、密度、腐蚀性以及成分的影响。其准性以及成分的影响。其准确度可达确度可达0.5%，有的可，有的可
22、达到达到0.01%。根据发射和接收的相位差随海洋深度深根据发射和接收的相位差随海洋深度深度的变化，测量声速随深度的分布情况度的变化，测量声速随深度的分布情况（四）集成压电式传感器（四）集成压电式传感器 是一种高性能、低成本动态微压传感器，产品采用是一种高性能、低成本动态微压传感器，产品采用压电薄膜作为换能材料，动态压力信号通过薄膜变成电压电薄膜作为换能材料，动态压力信号通过薄膜变成电荷量，再经传感器内部放大电路转换成电压输出。该传荷量，再经传感器内部放大电路转换成电压输出。该传感器具有灵敏度高，抗过载及冲击能力强，抗干扰性好，感器具有灵敏度高，抗过载及冲击能力强，抗干扰性好，操作简便，体积小、
23、重量轻、成本低等特点，广泛应用操作简便，体积小、重量轻、成本低等特点，广泛应用于医疗、工业控制、交通、安全防卫等领域。于医疗、工业控制、交通、安全防卫等领域。 脉搏计照片脉搏计照片 典型应用：典型应用： 脉搏计数探测脉搏计数探测 按键键盘，触摸键盘按键键盘，触摸键盘 振动、冲击、碰撞报警振动、冲击、碰撞报警 振动加速度测量振动加速度测量 管道压力波动管道压力波动 其它机电转换、动态力检测等其它机电转换、动态力检测等 （五）压电式传感器在自来水管道测漏中的应用（五）压电式传感器在自来水管道测漏中的应用如果地面下有一条均匀的直管道某处如果地面下有一条均匀的直管道某处O点为漏点，振动点为漏点，振动声
24、音从声音从O点向管道两端传播，传播速度为点向管道两端传播，传播速度为V，在管道上，在管道上A、B两点放两只传感器，两点放两只传感器，A、B距离为距离为L（已知或可测），（已知或可测），从从A、B两个传感器接收的由两个传感器接收的由O点传来的点传来的t0时刻发出的振时刻发出的振动信号所用时间为动信号所用时间为tA（=LA/V）和）和tB（=LB/V），两者时），两者时间差为间差为 t=tA- tB=（LA- LB）/V （1）又又 L =LA+LB （2）LABO点LALB地 面 1、检测原理、检测原理因为管道埋设在地下，看不到因为管道埋设在地下，看不到O点，也不知道点，也不知道LA和和LB的的
25、长度，已知的是长度，已知的是L和和V，如果能设法求出，如果能设法求出t，则联立（，则联立（1）+（2）得：）得： LA =(L+tV)/2 （3）或者将（或者将（1）-（2）得：）得： LB=（L-tV）/2 （4） 关键是确定关键是确定t，就可准确确定漏点，就可准确确定漏点O。如果从。如果从O点点出发的是一极短暂的脉冲，在出发的是一极短暂的脉冲，在A、B两点用双线扫描同两点用双线扫描同时开始记录，在示波器上两脉冲到达的时间差就是时开始记录，在示波器上两脉冲到达的时间差就是t。实际的困难在于漏水声是连续不断发出的，在实际的困难在于漏水声是连续不断发出的，在A、B两两传感器测得的是一片连续不断，
26、幅度杂乱变化的噪声。传感器测得的是一片连续不断，幅度杂乱变化的噪声。相关检漏仪的功能就是要将这两路表面杂乱无章的信号相关检漏仪的功能就是要将这两路表面杂乱无章的信号找出规律来，把它们找出规律来，把它们“对齐对齐”，对齐移动所需要的时间，对齐移动所需要的时间就是就是t。能把磁场变化转换成电量输出的器件称为能把磁场变化转换成电量输出的器件称为磁敏传感器。磁敏传感器。两种类型：两种类型： 1. 1. 半导体磁敏器件半导体磁敏器件 霍尔器件、磁敏电阻器件、磁敏二极管、磁霍尔器件、磁敏电阻器件、磁敏二极管、磁敏三极管和磁敏集成电路等。敏三极管和磁敏集成电路等。 2. 2. 强磁性的磁敏器件强磁性的磁敏器
27、件 金属磁阻器件、韦根德磁敏器件等。金属磁阻器件、韦根德磁敏器件等。半导体半导体磁敏器件具有体积小、灵敏度高、寿命长等优磁敏器件具有体积小、灵敏度高、寿命长等优点，在近代测试技术中获得了广泛应用。点，在近代测试技术中获得了广泛应用。3.8 3.8 磁敏传感器磁敏传感器 半导体传感器半导体传感器 半导体材料的重要特性：对光、热、力、磁、气体、湿度等半导体材料的重要特性：对光、热、力、磁、气体、湿度等理化量的敏感性。理化量的敏感性。半导体传感器是一些物性型传感器半导体传感器是一些物性型传感器优点是：优点是：结构简单、体积小、重量轻；功耗低、安结构简单、体积小、重量轻；功耗低、安全可靠、寿命长；对被
28、测量敏感、相应快；易于实全可靠、寿命长；对被测量敏感、相应快；易于实现集成化。现集成化。缺点是：输出特性一般是非线性的，常采用线性化缺点是：输出特性一般是非线性的，常采用线性化电路；受温度影响大，需要采用温度补偿措施；性电路；受温度影响大，需要采用温度补偿措施；性能参数分散性较大。能参数分散性较大。一、霍尔器件一、霍尔器件半导体材料的霍尔效应半导体材料的霍尔效应 金属或半导体薄片置于金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理上将产生电动势，这种物理现象称为现象称为霍尔效应。霍尔效应。 sinIBK
29、VHH霍尔元件一般由锗（霍尔元件一般由锗（GeGe）、锑化铟（）、锑化铟（InSbInSb）、砷化铟（）、砷化铟（InAsInAs）等半导体）等半导体材料制成。材料制成。用左手定则判断洛伦兹力方向的方法：用左手定则判断洛伦兹力方向的方法：将左手掌摊平，让磁力线穿过手掌心，将左手掌摊平，让磁力线穿过手掌心，四指表示电荷运动方向，则和四指垂直的大拇指所指方向即为洛仑兹力的方向。四指表示电荷运动方向，则和四指垂直的大拇指所指方向即为洛仑兹力的方向。但须注意，运动电荷是正的，大拇指的指向即为洛仑兹力的方向。反之，如果运但须注意，运动电荷是正的，大拇指的指向即为洛仑兹力的方向。反之，如果运动电荷是负的，
30、那么大拇指的指向为洛仑兹力的反方向洛伦兹力。动电荷是负的，那么大拇指的指向为洛仑兹力的反方向洛伦兹力。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图示。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图示。 设霍尔片的长度为设霍尔片的长度为l，宽度为，宽度为w，厚度为，厚度为d。又设电子以均匀的速度又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施运动，则在垂直方向施加的磁感应强度加的磁感应强度B的作用下，它受到的作用下，它受到洛仑兹力洛仑兹力q电子电量电子电量(1.6210- -19C)； v电于运动速度。电于运动速度。同时，作用于电子的同时，作用于电子的电场力电场力 qvBfLwqVqEfHHE/wqVqvB
31、H/当达到动态平衡时当达到动态平衡时霍尔元件的工作原理霍尔元件的工作原理dnqvwdjwIdnqwIv/pqdIBVH/霍耳电势VH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成： dIBRVHHHR电流密度j=nqvnN型半导体中的电子浓度N型半导体P型半导体 霍耳系数，由载流材料物理性质决定。材料电阻率pP型半导体中的孔穴浓度型）（型）（PqpRNqnRHH11载流子迁移率,=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。金属材料，电子金属材料，电子很高但很高但很小，绝缘材料，很小，绝缘材料，很高但很高但很小。很小。故为获得较强霍尔效应，霍尔片全部采用半导体材料制成。故为获得较强霍尔效
32、应，霍尔片全部采用半导体材料制成。设 KH=RH / d KH霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。位控制电流时霍耳电势的大小。若磁感应强度若磁感应强度B的方向与霍尔器件的平面法线夹角为的方向与霍尔器件的平面法线夹角为时，霍时，霍耳电耳电势势应为：应为： VH KH I B VH KH I B cos 注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍尔电霍尔电势的势的方向也改变。但当磁场与电流同时
33、改变方向时，方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍耳电霍耳电势并不势并不改变方向。改变方向。霍尔元件位移测量的实例霍尔元件位移测量的实例以微小位移测量为基础，霍尔元件还可以应用于微压、压以微小位移测量为基础，霍尔元件还可以应用于微压、压差、高度、加速度和振动的测量。差、高度、加速度和振动的测量。测转角：测转角：电流传感器电流传感器 当电流流过导线时，将在导线周围产生磁场，当电流流过导线时，将在导线周围产生磁场，磁场大小与流过导线的电流大小成正比，这一磁场磁场大小与流过导线的电流大小成正比，这一磁场可以通过软磁材料来聚集，然后用霍尔器件进行检可以通过软磁材料来聚集，然后用霍尔器件进行检测。
34、测。 铁磁材料裂纹检测铁磁材料裂纹检测 NS叶片和齿轮位置传感器叶片和齿轮位置传感器应用应用 案例：案例：汽车速度测量汽车速度测量:二、磁阻元件二、磁阻元件 磁阻元件是利用半导体材料的磁阻效应来工作的。是磁阻元件是利用半导体材料的磁阻效应来工作的。是一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件，也称一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件，也称MR元件。元件。 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得材料的电阻率增加。若
35、某种金属或半导体材料的两种载流子材料的电阻率增加。若某种金属或半导体材料的两种载流子 (电子和空穴电子和空穴 )的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载流子引起电阻率变化流子引起电阻率变化 ,它可表示为：它可表示为：22000273. 0B为磁感应强度；为磁感应强度；材料在磁感应强度为时的电阻率；材料在磁感应强度为时的电阻率；0 材料在磁感应强度为材料在磁感应强度为0时的电阻率；时的电阻率；载流子的迁移率。载流子的迁移率。 当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应更为强烈
36、。若在电子和空穴都存在的材料（如更为强烈。若在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很）中，则磁阻效应很强。强。 磁阻效应还与样品的形状、尺寸密切相关。这种与样品形状、尺寸磁阻效应还与样品的形状、尺寸密切相关。这种与样品形状、尺寸有关的磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。有关的磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。 长方形磁阻器件只有在长方形磁阻器件只有在L(长度长度)W（宽度）的条件下，才表现出较（宽度）的条件下，才表现出较高的灵敏度。把高的灵敏度。把LW的扁平器件串联起来，就会零磁场电阻值较大、灵的扁平器件串联起来，就会零磁场电阻值较大、灵敏度较高的磁阻器件。敏度较高的磁阻器件。
37、磁敏电阻的应用磁敏电阻的应用 磁阻元件可用于位移、力、加速度等参数的测量。磁阻元件可用于位移、力、加速度等参数的测量。磁敏电阻可以用来作为电流传感器、磁敏接近开关、角速度磁敏电阻可以用来作为电流传感器、磁敏接近开关、角速度/角位移传角位移传感器、磁场传感器等。可用于开关电源、感器、磁场传感器等。可用于开关电源、UPS、变频器、伺服马达驱动、变频器、伺服马达驱动器、家庭网络智能化管理、电度表、电子仪器仪表、工业自动化、智能器、家庭网络智能化管理、电度表、电子仪器仪表、工业自动化、智能机器人、电梯、智能住宅、机床、工业设备、断路器、防爆电机保护器、机器人、电梯、智能住宅、机床、工业设备、断路器、防
38、爆电机保护器、家用电器、电子产品、电力自动化、医疗设备、机床、远程抄表、仪器、家用电器、电子产品、电力自动化、医疗设备、机床、远程抄表、仪器、自动测量、地磁场的测量、探矿等。自动测量、地磁场的测量、探矿等。 三、磁敏管三、磁敏管 磁敏二极管、三极管是继霍耳元件和磁敏电阻之后磁敏二极管、三极管是继霍耳元件和磁敏电阻之后迅速发展起来的新型磁电转换元件。它们具有磁灵敏度迅速发展起来的新型磁电转换元件。它们具有磁灵敏度高（磁灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍）；能识别高（磁灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍）；能识别磁场的极性（方向）；体积小、电路简单等特点，因而磁场的极性（方向）；体积小、电路简单等特点
39、，因而正日益得到重视；并在检测、控制等方面得到普遍应用。正日益得到重视；并在检测、控制等方面得到普遍应用。 但是磁敏管有较大的噪声、漂移和温度系数。但是磁敏管有较大的噪声、漂移和温度系数。 它们很适合检测微弱磁场的变化，可应用于磁力探它们很适合检测微弱磁场的变化，可应用于磁力探伤和借助磁场触发的无触点开关，也用于非接触转速、位伤和借助磁场触发的无触点开关，也用于非接触转速、位移测量。移测量。3.8.2 光敏传感器光敏传感器光敏传感器是一种光电导元件，其工作原理是利用半光敏传感器是一种光电导元件，其工作原理是利用半导体材料的光电效应。导体材料的光电效应。光敏传感器主要有光敏电阻、光敏管和光电池等
40、。光敏传感器主要有光敏电阻、光敏管和光电池等。（1）光敏电阻）光敏电阻 当光照射在物体上，使物体的电阻率当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象发生变化，或产生光生电动势的现象叫叫做内光电效应，它多发生于半导体内。做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分为根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应光电导效应和和光生伏特效应光生伏特效应两类。两类。 在光线作用，电子吸收光子能量从在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为电导率的变化，这种现象被称为光电导光电导效
41、应效应。基于这种效应的光电器件有光敏。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。电阻。光敏电阻是一种光电导元件，其工作原理是基于半导体光敏电阻是一种光电导元件，其工作原理是基于半导体材料的内光电效应。材料的内光电效应。过程：过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。导带价带禁带自由电子所占能带自
42、由电子所占能带不存在电子所占能带不存在电子所占能带价电子所占能带价电子所占能带Eg光敏电阻受温度的影响甚大。当温度升高时，它的暗电阻值、光敏电阻受温度的影响甚大。当温度升高时，它的暗电阻值、灵敏度都下降；同时其光谱特性也受到很大影响。灵敏度都下降；同时其光谱特性也受到很大影响。3. 传感器原理传感器原理 照相机自动测光照相机自动测光光控灯光控灯工业控制工业控制（2）光电池）光电池 半导体光电池直接将光能转换成电能；受光照时，可以半导体光电池直接将光能转换成电能；受光照时，可以直接输出电势，实质上是一个电源。直接输出电势，实质上是一个电源。光电池是基于光生伏特效应的光电器件。光电池是基于光生伏特
43、效应的光电器件。光生伏特效应是光照引起光生伏特效应是光照引起PNPN结两端产生电动势的效应。当结两端产生电动势的效应。当PNPN结两端没有外结两端没有外加电场时，在加电场时，在PNPN结势垒区内仍然存在着内建结电场，其方向是从结势垒区内仍然存在着内建结电场，其方向是从N N区指向区指向P P区，如图所示。当光照射到结区时，光照产生的电子区，如图所示。当光照射到结区时，光照产生的电子空穴对在结电场作空穴对在结电场作用下，电子推向用下，电子推向N N区，空穴推向区，空穴推向P P区；电子在区；电子在N N区积累和空穴在区积累和空穴在P P区积累使区积累使PNPN结两边的电位发生变化，结两边的电位发
44、生变化，PNPN结两端出现一个因光照而产生的电动势，这一结两端出现一个因光照而产生的电动势，这一现象称为光生伏特效应由于它可以像电池那样为外电路提供能量，因此常现象称为光生伏特效应由于它可以像电池那样为外电路提供能量，因此常称为光电池。称为光电池。-+PN+-光电池与外电路的连接方式有两种：一种是把PN结的两端通过外导线短接，形成流过外电路的电流，这电流称为光电池的输出短路电流( )，其大小与光强成正比；另一种是开路电压输出，开路电压与光照度之间呈非线性关系；光照度大于10001x时呈现饱和特性。因此使用时应根据需要选用工作状态。LIPNV+-PNmA+-光敏二极管光敏二极管 PN结可以光电导
45、效应工作，也可以光生伏特结可以光电导效应工作，也可以光生伏特效应工作。如图，处于反向偏置的效应工作。如图，处于反向偏置的PN结，在无光照时具有高结，在无光照时具有高阻特性，反向暗电流很小。当光照时，结区产生电子阻特性，反向暗电流很小。当光照时，结区产生电子空穴空穴对，在结电场作用下，电子向对，在结电场作用下，电子向N区运动，空穴向区运动，空穴向P区运动，形区运动，形成光电流，方向与反向电流一致。光的照度愈大，光电流愈成光电流，方向与反向电流一致。光的照度愈大，光电流愈大。由于无光照时的反偏电流很小，一般为纳安数量级，因大。由于无光照时的反偏电流很小，一般为纳安数量级，因此光照时的反向电流基本上
46、与光强成正比。此光照时的反向电流基本上与光强成正比。-+-PN（3）光敏二极管和光敏三极管）光敏二极管和光敏三极管光敏三极管光敏三极管 它可以看成是一个它可以看成是一个bc结为光敏二极管的三极管。结为光敏二极管的三极管。其原理和等效电路见图。在光照作用下，光敏二极管将光信号其原理和等效电路见图。在光照作用下，光敏二极管将光信号转换成电流信号，该电流信号被晶体三极管放大。显然，在晶转换成电流信号，该电流信号被晶体三极管放大。显然，在晶体管增益为夕时，光敏三极管的光电流要比相应的光敏二极管体管增益为夕时，光敏三极管的光电流要比相应的光敏二极管大倍大倍。 pNNcbebec光敏二极管和三极管使用应注
47、意光源与器件的相对位置。3.8.3 固态图像传感器固态图像传感器 光固态图象传感器由光固态图象传感器由光敏元件阵列光敏元件阵列和和电荷转移器件电荷转移器件集合而成。它的核心集合而成。它的核心是是电荷转移器件电荷转移器件CTD(Charge Transfer Device),最常用的是电荷耦合器件最常用的是电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自自1970年问世以后，由于它的低噪声等年问世以后，由于它的低噪声等特点，特点，CCD图象传感器广泛的被应用在微光电视摄像、信息存储和信息处理图象传感器广泛的被应用在微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。等方面。 固态图
48、像传感器实际上是电荷转移器件与光敏阵列元件集为一体构成的固态图像传感器实际上是电荷转移器件与光敏阵列元件集为一体构成的具有自扫描功能的摄像器件。它与传统的电子束扫描真空摄像管相比，具有具有自扫描功能的摄像器件。它与传统的电子束扫描真空摄像管相比，具有体积小、重量轻、使用电压低体积小、重量轻、使用电压低(20V)、可靠性高和不需要强光照明等优点。、可靠性高和不需要强光照明等优点。因此，在军用、工业控制和民用电器中均有广泛使用。因此，在军用、工业控制和民用电器中均有广泛使用。P型Si耗尽区电荷转移方向123输出栅输入栅输入二极管输出二极管 SiO2 CCD的MOS结构固体图像传感器具有小型、轻便、
49、响应快、灵敏度高、固体图像传感器具有小型、轻便、响应快、灵敏度高、稳定性好、寿命高和以光为媒介可以到达危险地点等稳定性好、寿命高和以光为媒介可以到达危险地点等优点。主要用途：优点。主要用途：（1）物位、尺寸、形状工件探伤等测量。）物位、尺寸、形状工件探伤等测量。（2）作为光学信息处理的输入环节。）作为光学信息处理的输入环节。（3）自动生产过程的控制敏感元件。）自动生产过程的控制敏感元件。固态图像传感器根据其光敏元排列方式分为固态图像传感器根据其光敏元排列方式分为线型、面线型、面型等。型等。3.8.4 热敏电阻热敏电阻3.8.5 气敏传感器气敏传感器3.8.6 湿敏传感器湿敏传感器3.8.6 湿
50、敏传感器湿敏传感器3.8.7 集成传感器集成传感器3.9 3.9 光纤传感器光纤传感器 以下为自学内容以下为自学内容 选择传感器主要考虑灵敏度、响应特性、线选择传感器主要考虑灵敏度、响应特性、线性范围、稳定性、精确度、测量方式等六个方面性范围、稳定性、精确度、测量方式等六个方面的问题。的问题。 1 1、灵敏度、灵敏度 一般说来，传感器灵敏度越高越好，但，一般说来，传感器灵敏度越高越好，但，在确定灵敏度时，要考虑以下几个问题。在确定灵敏度时，要考虑以下几个问题。 a)a)灵敏度过高引起的干扰问题；灵敏度过高引起的干扰问题； b)b)量程范围。量程范围。 c)c)交叉灵敏度问题。交叉灵敏度问题。3
