第3章-薄膜的制备课件.ppt

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1、(1). 薄膜材料的概念薄膜材料的概念 采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料质(原材料) )的基团以物理或化学方式附着于衬底的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面,在衬底材料表面形成一层新的物质,这材料表面,在衬底材料表面形成一层新的物质,这层新物质就是薄膜。层新物质就是薄膜。 简而言之,薄膜是由离子、原子或分子的沉积过简而言之,薄膜是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。程形成的二维材料。(2). 薄膜分类薄膜分类 )(filmsolidthin固固态态液液态态气气态态(1 1)物态)物态(2 2)结晶态:)结晶态: (3 3

2、)化学角度)化学角度 无无机机薄薄膜膜有有机机薄薄膜膜晶晶态态非非晶晶态态:(4 4)组成)组成 非非金金属属薄薄膜膜金金属属薄薄膜膜(5 5)物性)物性 光光学学薄薄膜膜磁磁阻阻薄薄膜膜介介电电薄薄膜膜超超导导薄薄膜膜半半导导体体薄薄膜膜金金属属导导电电薄薄膜膜热热学学薄薄膜膜声声学学薄薄膜膜硬硬质质薄薄膜膜q 厚度,决定薄膜性能、质量厚度,决定薄膜性能、质量q 通常,膜厚通常,膜厚 as) 同同质外延质外延(ae= as) 张应变张应变(ae The strained film said: “We are all tired enough, please give us a break!”

3、Oh, it is more comfortable now, although a few of our colleagues are still suffering the pressure.应变能释放出现应变能释放出现刃位错刃位错The single said: “It is OK, my effort is to make all of you happy!”当形成的薄膜除了从原材料获得组成元素当形成的薄膜除了从原材料获得组成元素外,还在基片表面与其他组分发生化学外,还在基片表面与其他组分发生化学反应,获得与原成分不同的薄膜材料,这反应,获得与原成分不同的薄膜材料,这种存在化学反应的气

4、相沉积称为种存在化学反应的气相沉积称为CVD。CVDCVD沉积条件沉积条件(1)在沉积温度下,反应物有足够高的蒸汽压。在沉积温度下,反应物有足够高的蒸汽压。(2)在生成物中,除了一种所需要的沉积物为固在生成物中,除了一种所需要的沉积物为固相外,其余都必须是气态。相外,其余都必须是气态。(3)沉积物本身的蒸汽压应足够低,以保证整个沉积物本身的蒸汽压应足够低,以保证整个沉积反应过程始终能保持在加热基体上。沉积反应过程始终能保持在加热基体上。(4)基体本身的蒸汽压在沉积温度下也应足够低,基体本身的蒸汽压在沉积温度下也应足够低,不易挥发。不易挥发。 利用气体辉光放电利用气体辉光放电 将反应气体等离子化

5、,从而使反应气体活化,降低反将反应气体等离子化,从而使反应气体活化,降低反 应温度。应温度。 利用光激励反应利用光激励反应光的辐射可以选择反应气体吸收波段,或者利用其他光的辐射可以选择反应气体吸收波段,或者利用其他 感光性物质激励反应气体。感光性物质激励反应气体。 激光激励激光激励不一定为理论配比,应通过实验确定。不一定为理论配比,应通过实验确定。例如:用三氯化硼和氨反应沉积氮化硼膜:例如:用三氯化硼和氨反应沉积氮化硼膜:BCl3(气)气)+NH3BN(固)固)+3HCl(气)气)理论上,理论上, BCl3与与NH3的流量比应等于的流量比应等于1;实际中,在实际中,在1200的温度下,当的温度

6、下,当NH3/BCl32时,时,沉积速率很低;而沉积速率很低;而NH3/BCl34时,反应生成物又时,反应生成物又会出现会出现NH4Cl一类的中间产物。一类的中间产物。 为了得到较高的沉积速率和高质量的为了得到较高的沉积速率和高质量的BN薄膜,薄膜,必须通过实验来确定各物质间的最佳流量比。必须通过实验来确定各物质间的最佳流量比。沉积温度沉积温度T是影响沉积质量的主要因素:是影响沉积质量的主要因素:沉积温度越高,沉积速度越快,沉积物愈致密,结沉积温度越高,沉积速度越快,沉积物愈致密,结构完善;构完善;沉积温度根据沉积物的结晶温度,并兼顾基体的耐沉积温度根据沉积物的结晶温度,并兼顾基体的耐热性决定

7、。热性决定。例如:例如:1100,1150322232323-CAlClCOHAl OAl OAl O 反应不完全15001550(多晶)(单晶膜)包括:包括:反应室、加热系统、气体控制和排气系统反应室、加热系统、气体控制和排气系统四个部分四个部分板状加热方式板状加热方式管状炉管状炉高频感应加热高频感应加热红外辐射加热红外辐射加热1 1)电阻加热)电阻加热 2 2)高频感应加热)高频感应加热 3 3)红外辐射加热)红外辐射加热 4 4)激光束加热)激光束加热 CVD的反应气体多有毒性和腐蚀性的反应气体多有毒性和腐蚀性3.5.4 CVD的优缺点的优缺点(1)优点)优点膜层纯度一般很高,很致密,容

8、易形成结晶定向好的材料;膜层纯度一般很高,很致密,容易形成结晶定向好的材料;例如:用蓝宝石基片,用例如:用蓝宝石基片,用CVD制备制备-Al2O3单晶材料,单晶材料,其杂质含量为其杂质含量为3034ppm,远小于蓝宝石本身的杂质含量;,远小于蓝宝石本身的杂质含量;能在较低温度下制备难熔物质;能在较低温度下制备难熔物质;例如用例如用WF6沉积沉积W时,沉积温度时,沉积温度500700,远低于,远低于W的熔点。的熔点。可人为掺杂,制备各种半导体、氧化物和化合物膜。可人为掺杂,制备各种半导体、氧化物和化合物膜。(2)缺点)缺点基体温度高,沉积速度低,设备较电镀法复杂,难于局部沉积,基体温度高,沉积速

9、度低,设备较电镀法复杂,难于局部沉积,有一定毒性,应用不如蒸镀、溅射广泛。有一定毒性,应用不如蒸镀、溅射广泛。入射离子与靶材原子碰撞示意图入射离子与靶材原子碰撞示意图溅射离子平均能量与入射离子的关系溅射离子平均能量与入射离子的关系入射离子能量入射离子能量/eV溅溅射射离离子子平平均均能能量量eV溅射率与入射离子能量的关系溅射率与入射离子能量的关系入射离子能量入射离子能量阈值阈值E0溅溅射射率率入射角度对溅射率的影响入射角度对溅射率的影响基片基片阳极阳极高高真真空空计计低低真真空空计计抽气抽气系统系统Ar典型的两极直流溅射设备典型的两极直流溅射设备abc离子镀膜装置离子镀膜装置原原 理理: 在超

10、高真空条件下,在超高真空条件下,将各组成元素的分子束将各组成元素的分子束流以一个个分子的形式流以一个个分子的形式喷射到衬底表面,在适喷射到衬底表面,在适当的温度下外延沉积成当的温度下外延沉积成膜。膜。分子束外延(分子束外延(MBE) 目前目前MBEMBE的膜厚控制水平达到单原子层,可用于制备超晶的膜厚控制水平达到单原子层,可用于制备超晶格、量子点,及格、量子点,及3-53-5族化合物的半导体器件。族化合物的半导体器件。应应 用用超晶格超晶格量子点量子点外延成膜过程在超高外延成膜过程在超高真空中实现束源流的原真空中实现束源流的原位单原子层外延生长,位单原子层外延生长,分子束由加热束源得到。分子束

11、由加热束源得到。 脉冲激光沉积脉冲激光沉积(PLD)(PLD) 利用脉冲聚焦激光烧蚀靶材,使靶的局部在瞬间受高温汽利用脉冲聚焦激光烧蚀靶材,使靶的局部在瞬间受高温汽化,在真空室内的惰性气体羽辉等离子体作用下活化,并沉化,在真空室内的惰性气体羽辉等离子体作用下活化,并沉积到衬底的一种制膜方法。积到衬底的一种制膜方法。 等离子体羽辉等离子体羽辉生长过程:生长过程:激光照射使靶材局部熔化蒸发,产生激光照射使靶材局部熔化蒸发,产生原子、分子或者分子团簇,之后在激光能量的进原子、分子或者分子团簇,之后在激光能量的进一步激发下形成等离子体羽辉。沉积在基片表面,一步激发下形成等离子体羽辉。沉积在基片表面,形

12、成薄膜形成薄膜控制淀积速率和成膜条件,结合退火处理就可以控制淀积速率和成膜条件,结合退火处理就可以得到优良的外延薄膜得到优良的外延薄膜p本质上是在分子束外延条件下实现激光蒸镀本质上是在分子束外延条件下实现激光蒸镀p在较低的气体分压下使激光羽辉中的物质的在较低的气体分压下使激光羽辉中的物质的平均自由程远大于靶与基片的距离平均自由程远大于靶与基片的距离p高质量的高质量的L-MBE膜的主要特征是膜的主要特征是单相性单相性,表面表面平滑性平滑性和界面和界面完整性完整性p可以原位生长与靶材成分相同的化学计量比可以原位生长与靶材成分相同的化学计量比的薄膜;的薄膜;p可以精确控制外延膜生长,适合于进行薄膜可

13、以精确控制外延膜生长,适合于进行薄膜生长的人工设计和剪裁;生长的人工设计和剪裁;p适合在一台设备上制备多种材料薄膜;适合在一台设备上制备多种材料薄膜;p可用于成膜机理研究。可用于成膜机理研究。其原理类似于电子束其原理类似于电子束蒸发法。蒸发法。p入射激光的能量超过一定阈值,靶上各种元入射激光的能量超过一定阈值,靶上各种元素都具有相同的脱出率;素都具有相同的脱出率;p从靶面飞出的粒子前向速度高,大大增强了从靶面飞出的粒子前向速度高,大大增强了薄膜生长过程中原子之间的结合力;薄膜生长过程中原子之间的结合力;p粒子的空间分布与激光束角度无关,所得薄粒子的空间分布与激光束角度无关,所得薄膜均匀;膜均匀

14、;p温度高,能量集中,淀积速率快。温度高,能量集中,淀积速率快。p薄膜表面光洁度高。薄膜表面光洁度高。(1)激光束与靶相互作用)激光束与靶相互作用激光束加热靶材,靶材表面喷出的原子、分子在激光作用下激光束加热靶材,靶材表面喷出的原子、分子在激光作用下转变为等离子体,沿法线向前运动,淀积到基体转变为等离子体,沿法线向前运动,淀积到基体(2)高温等离子体的形成)高温等离子体的形成(3)等离子体的绝热膨胀过程)等离子体的绝热膨胀过程激光停止后,等离子体仍有较大的能量和热量喷射到衬底表面激光停止后,等离子体仍有较大的能量和热量喷射到衬底表面(1)高频等离子体增强)高频等离子体增强CVD技术技术(2)直

15、流等离子体辅助)直流等离子体辅助CVD技术技术(3)电子回旋共振等离子体)电子回旋共振等离子体CVD技术技术电子回旋共振等离子体电子回旋共振等离子体CVD技术技术一般的物理气相沉积法制备薄膜的附着力低,致密性差一般的物理气相沉积法制备薄膜的附着力低,致密性差采用等离子体加速可明显提高膜的附着力和致密性采用等离子体加速可明显提高膜的附着力和致密性可制备高熔点、低蒸汽压材料和化合物薄膜可制备高熔点、低蒸汽压材料和化合物薄膜与传统溅射镀膜相比,膜的形成速率提高与传统溅射镀膜相比,膜的形成速率提高称重法称重法电学法电学法光学法光学法溶胶(溶胶(Sol)是具有液体特征的胶体体系,分散的粒子是具有液体特征

16、的胶体体系,分散的粒子是固体或者大分子,分散的粒子大小在是固体或者大分子,分散的粒子大小在11000nm之之间。间。凝胶(凝胶(Gel)是具有固体特征的胶体体系,被分散的物是具有固体特征的胶体体系,被分散的物质形成连续的网状骨架,骨架空隙中充有液体或气体,质形成连续的网状骨架,骨架空隙中充有液体或气体,凝胶中分散相的含量很低,一般在凝胶中分散相的含量很低,一般在13之间。之间。溶胶溶胶无固定形无固定形状状固相粒子自由运动固相粒子自由运动凝胶凝胶固定形状固定形状固相粒子按一定网架结构固定不能自由固相粒子按一定网架结构固定不能自由移动移动* 特殊的网架结构赋予凝胶很高的比表面积特殊的网架结构赋予凝

17、胶很高的比表面积 * 溶胶(溶胶(Sol)是由孤立的细小)是由孤立的细小粒子或大分子组成,分散在溶液粒子或大分子组成,分散在溶液中的胶体体系。中的胶体体系。凝胶(凝胶(Gel)是一种由细小粒子)是一种由细小粒子聚集而成三维网状结构的具有固聚集而成三维网状结构的具有固态特征的胶态体系,凝胶中渗有态特征的胶态体系,凝胶中渗有连续的分散相介质。连续的分散相介质。 按分散相介质不同可分为水按分散相介质不同可分为水凝胶、醇凝胶和气凝胶。凝胶、醇凝胶和气凝胶。 沉淀物(沉淀物(precipitate)由)由孤立粒子聚集体组成而区别于孤立粒子聚集体组成而区别于凝胶。凝胶。 溶胶、凝胶和沉淀物的区分溶胶、凝胶

18、和沉淀物的区分溶胶凝胶法:溶胶凝胶法:就是用含高化学活性组分的化合就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体,在液相下将这些原料均匀混合,并物作前驱体,在液相下将这些原料均匀混合,并进行水解、缩合化学反应,在溶液中形成稳定的进行水解、缩合化学反应,在溶液中形成稳定的透明溶胶体系,溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合,形透明溶胶体系,溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合,形成三维空间网络结构的凝胶,凝胶网络间充满了成三维空间网络结构的凝胶,凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂。凝胶经过干燥、烧结固化制失去流动性的溶剂。凝胶经过干燥、烧结固化制备出氧化物或其它化合物固体。备出氧化物或其它化合物固体。溶解溶解前驱体前驱体溶液溶液溶

19、胶溶胶凝胶凝胶凝胶凝胶水解水解缩聚缩聚老化老化凝胶体制备三种途径:凝胶体制备三种途径:1)胶体溶液的凝胶化)胶体溶液的凝胶化2)醇盐前驱体的水解聚合再干燥、老化)醇盐前驱体的水解聚合再干燥、老化3)醇盐或硝酸盐前驱体的水解聚合继之超临界干燥得到凝胶)醇盐或硝酸盐前驱体的水解聚合继之超临界干燥得到凝胶凝胶的一般干燥过程凝胶的一般干燥过程 湿凝胶的一般干燥过程或以湿凝胶的一般干燥过程或以观察到三个现象:观察到三个现象:A)持续的收缩与硬化;)持续的收缩与硬化;B)产生应力;)产生应力;C)破裂。)破裂。 湿凝胶在初期干燥过程中,湿凝胶在初期干燥过程中,因有足够的液相填充于凝胶孔中,因有足够的液相填

20、充于凝胶孔中,凝胶体积的减少与蒸发了的液体凝胶体积的减少与蒸发了的液体的体积相等,无毛细力起作用。的体积相等,无毛细力起作用。当进一步蒸发使凝胶体积减少量当进一步蒸发使凝胶体积减少量小于蒸发掉的液体体积时,此时小于蒸发掉的液体体积时,此时图图2 湿凝胶干燥过程中的毛湿凝胶干燥过程中的毛细管力细管力液相在凝胶孔中形成弯月面,液相在凝胶孔中形成弯月面,使凝胶承受一个毛细管压力,使凝胶承受一个毛细管压力,将颗粒挤压在一起。如图将颗粒挤压在一起。如图2所示。所示。 超临界干燥是超临界干燥是在干燥介质临界温度和临界在干燥介质临界温度和临界压力的条件下进行干燥,它可以避免物料在干压力的条件下进行干燥,它可

21、以避免物料在干燥过程中的收缩和碎裂,从而保持物料原有的燥过程中的收缩和碎裂,从而保持物料原有的结构与状态,防止初级纳米粒子的团聚和凝并,结构与状态,防止初级纳米粒子的团聚和凝并,这对于各种纳米材料的制备极具意义。这对于各种纳米材料的制备极具意义。3.8.2溶胶凝胶法的技术特点溶胶凝胶法的技术特点反应温度低反应温度低材料纯度高,均匀性好材料纯度高,均匀性好产品形状可控产品形状可控可以控制孔隙度,制备多孔材料可以控制孔隙度,制备多孔材料溶胶凝胶法的优点:溶胶凝胶法的优点:原料成本较高原料成本较高存在残留小孔洞存在残留小孔洞存在残留的碳存在残留的碳较长的反应时间较长的反应时间有机溶剂对人体有一定的危

22、害性有机溶剂对人体有一定的危害性水解反应:水解反应: 金属醇盐水解反应形成羟基化的产物和相应的醇金属醇盐水解反应形成羟基化的产物和相应的醇M(OR)n+xHM(OR)n+xH2 2O=M(OH)x(OR)n-x+xROH-M(OH)nO=M(OH)x(OR)n-x+xROH-M(OH)n2 2). . 缩聚反应缩聚反应 失水缩聚:失水缩聚:-M-OH+HO-M-=-M-O-M-+H-M-OH+HO-M-=-M-O-M-+H2 2O O 失醇缩聚:失醇缩聚:-M-OR+HO-M-=-M-O-M-+ROH-M-OR+HO-M-=-M-O-M-+ROH 聚合物的增长包括长大和再结合过程聚合物的增长包

23、括长大和再结合过程1)、醇盐醇盐的水解 溶胶凝胶合成中常用的醇盐阳离子阳离子M(OR)n阳离子阳离子M(OR)nSiSi(OCH3)4Si(OC2H5)4GeGe(OC2H5)4AlAl(O-iC3H7)3Al(O-sC4H9)3ZrZr(O-iC3H7)4TiTi (O-iC3H7)4Ti(OC4H9)4Ti(OC5H7)4YY(OC2H5)3BB(OCH3)3CaCa(OC2H5)2脱水凝胶化脱水凝胶化胶粒脱水,扩散层中电解质浓度胶粒脱水,扩散层中电解质浓度增加,凝胶化能垒逐渐减小增加,凝胶化能垒逐渐减小 胶粒浓度增加,悬浮体系的稳定性被破坏,发生胶凝化。胶粒浓度增加,悬浮体系的稳定性被破

24、坏,发生胶凝化。形成多孔的,玻璃状的,具有三维网络结构的凝胶。形成多孔的,玻璃状的,具有三维网络结构的凝胶。胶凝的形成是指整个体系都被交联的时刻胶凝的形成是指整个体系都被交联的时刻3)胶凝化)胶凝化4)陈化过程反应混合液中凝胶放置老化后,固态网络反应混合液中凝胶放置老化后,固态网络自发进行收缩。自发进行收缩。 缩合胶体脱水收缩相转变粗糙化最终结果是使凝胶强度增大胶体陈化作用:胶体陈化作用:是胶体由于压力的加大、温度的升高,或随是胶体由于压力的加大、温度的升高,或随时间的发展而脱水,过渡为偏胶体,形成稳定产物的现象。时间的发展而脱水,过渡为偏胶体,形成稳定产物的现象。5)干燥干燥:去除网孔中液体

25、的过程。干燥:去除网孔中液体的过程。 表层水分蒸发表层水分蒸发内部液体扩散蒸发内部液体扩散蒸发干凝胶(常温常压干燥)干凝胶(常温常压干燥)气凝胶(超临界状态蒸发)气凝胶(超临界状态蒸发)防止干燥破碎的措施:防止干燥破碎的措施:(1)降低干燥速度)降低干燥速度(2)引入硅胶核)引入硅胶核(3)冷冻干燥或超临界干燥)冷冻干燥或超临界干燥(4)化学添加物)化学添加物在高表面能作用下,使凝胶内部孔度在高表面能作用下,使凝胶内部孔度缩小的致密化过程。缩小的致密化过程。 500 -10006)烧结)烧结3.8.4 溶胶溶胶-凝胶工艺参数凝胶工艺参数 1)前驱体选择金属醇盐金属醇盐金属无机盐金属无机盐易水解

26、、技术成熟、可通过调节pH值控制反应进程价格昂贵、醇盐反应活性极大、在空气中易水解、不易大规模生产、受烷基的体积和配位影响价格低廉、易产业化价格低廉、易产业化受金属离子大小、电位性及配位数等多种因素影响受金属离子大小、电位性及配位数等多种因素影响2)水解度的影响物质量比物质量比水解度R4,硅脂键水解不充分,形成分子量小、链状结构、网孔较小的聚合物,凝胶时间延长 研究表明水解度R4,加速硅脂键的水解,形成分子量大的网状聚合物,聚合物的孔隙度和比表面积大,从而缩短了凝胶化时间. 3)PH值的影响反应速率pH值对值对TEOS水解、缩聚反应速率的影响水解、缩聚反应速率的影响 在高在高PH值条件下,可以

27、制得高孔隙率、大孔径及高比表面积的产物值条件下,可以制得高孔隙率、大孔径及高比表面积的产物在低在低PH值条件下,产物致密且比表面积小值条件下,产物致密且比表面积小4)反应温度的影响n 反应温度对凝胶时间以及是否凝胶有直接关系反应温度对凝胶时间以及是否凝胶有直接关系n 升高温度可以缩短体系的凝胶时间升高温度可以缩短体系的凝胶时间n 提高温度对醇盐的水解有利提高温度对醇盐的水解有利 对水解活性低的醇盐(如硅醇盐),常在加热下对水解活性低的醇盐(如硅醇盐),常在加热下进行水解,当体系的温度升高后,体系中分子的平均进行水解,当体系的温度升高后,体系中分子的平均动能增加,分子运动速率提高,这样就提高了反

28、应基动能增加,分子运动速率提高,这样就提高了反应基团之间的碰撞的几率,而且可以使更多的前驱体原料团之间的碰撞的几率,而且可以使更多的前驱体原料成为活化分子,这相当于提高了醇盐的水解活性,从成为活化分子,这相当于提高了醇盐的水解活性,从而促进了水解反应的进行,最终缩短了凝胶时间。而促进了水解反应的进行,最终缩短了凝胶时间。 块体材料多孔材料纤维材料复合材料复合材料粉体材料粉体材料薄膜及涂层材料溶胶凝胶1.块体材料块体材料u根据所需获得材料的性能需求,将前驱体进行水解、根据所需获得材料的性能需求,将前驱体进行水解、溶胶、凝胶、老化和干燥,最终通过热处理工艺获得材料溶胶、凝胶、老化和干燥,最终通过热

29、处理工艺获得材料 。 u该方法制备块体材料具有纯度高、材料成分易控制、该方法制备块体材料具有纯度高、材料成分易控制、成分多元化、均匀性好、材料形状多样化、且可在较低的成分多元化、均匀性好、材料形状多样化、且可在较低的温度下进行合成等优点温度下进行合成等优点 。 u成本较高,生产周期长,故不适宜材料大规模的生产成本较高,生产周期长,故不适宜材料大规模的生产 。 胶质晶态模板胶质晶态模板 结构性多孔复制品结构性多孔复制品 气凝胶块体气凝胶块体 气凝胶隔热气凝胶隔热2.多孔材料多孔材料将金属醇盐溶解于低级醇中,水解得到相应将金属醇盐溶解于低级醇中,水解得到相应金属氧化物溶胶;调节金属氧化物溶胶;调节

30、pHpH值,纳米尺度的金值,纳米尺度的金属氧化物微粒发生聚集,形成无定形网络结属氧化物微粒发生聚集,形成无定形网络结构的凝胶。将凝胶老化、干燥并作热处理,构的凝胶。将凝胶老化、干燥并作热处理,有机物分解后,得到多孔金属氧化物材料有机物分解后,得到多孔金属氧化物材料(一般为陶瓷)(一般为陶瓷) 溶胶凝胶溶胶凝胶模板工艺模板工艺多孔材料多孔材料前驱体溶 胶水聚 合 凝胶 气凝胶气凝胶形成示意图气凝胶形成示意图 溶胶凝胶制备的Al2O3-YAG纤维 3.纤维材料纤维材料u前驱体经反应形成类线性无机聚合物或络合物,当粘度达前驱体经反应形成类线性无机聚合物或络合物,当粘度达10100Pas时,时,通过挑

31、丝或漏丝法可制成凝胶纤维,热处理后可转变成相应玻璃或陶瓷纤维通过挑丝或漏丝法可制成凝胶纤维,热处理后可转变成相应玻璃或陶瓷纤维 u克服了传统直接熔融纺丝法因特种陶瓷难熔融而无法制成纤的困难,工艺克服了传统直接熔融纺丝法因特种陶瓷难熔融而无法制成纤的困难,工艺可以在低温下进行,纤维陶瓷均匀性好、纯度高可以在低温下进行,纤维陶瓷均匀性好、纯度高 初始原料初始原料混合搅拌前驱体溶胶前驱体溶胶浓缩粘性溶胶粘性溶胶纺丝凝胶纤维凝胶纤维干燥干燥热处理热处理陶瓷纤维陶瓷纤维材料可掺杂范围宽,化学计量准,易于改性材料可掺杂范围宽,化学计量准,易于改性溶胶凝胶制备陶瓷粉体具有制备工艺简单、无需昂贵的设备具有制备

32、工艺简单、无需昂贵的设备大大增加多元组分体系化学均匀性大大增加多元组分体系化学均匀性反应过程易控制,可以调控凝胶的微观结构反应过程易控制,可以调控凝胶的微观结构产物纯度高等产物纯度高等4.粉体材料粉体材料n 采用溶胶凝胶合成法,将所需成分的前驱物配制成混合溶液,经凝胶化、采用溶胶凝胶合成法,将所需成分的前驱物配制成混合溶液,经凝胶化、热处理后,一般都能获得性能指标较好的粉末热处理后,一般都能获得性能指标较好的粉末。 凝胶中含有大量液相或气孔,在热处理过程中不易使粉末颗粒产生严重团聚凝胶中含有大量液相或气孔,在热处理过程中不易使粉末颗粒产生严重团聚同时此法易在制备过程中控制粉末颗粒度。同时此法易在制备过程中控制粉末颗粒度。

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