1、第1页，共18页。第2页，共18页。第3页，共18页。第4页，共18页。NNCEBPCETBIBIEIC符号BECPPNETCBIBIEIC符号1.1.结构：结构：有有NPNNPN型和型和PNPPNP型型2.2.材料材料：有硅三极管和锗三极管：有硅三极管和锗三极管3.3.工作频率工作频率：有高频三极管和低频三极管：有高频三极管和低频三极管4.4.功率大小功率大小：有大功率三极管和小功率三极管：有大功率三极管和小功率三极管第5页，共18页。NPN 型型ecb符号符号集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c基极基极 b发射极发射极 eNNP第6页，共18页。集电区集
2、电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c发射极发射极 e基极基极 bcbe符号符号NNPPNPNP 型型第7页，共18页。bcebce第8页，共18页。以以 NPN NPN 型三极管为例讨论型三极管为例讨论cNNPebbec表面看表面看三极管若实三极管若实现放大，必须从现放大，必须从三极管内部结构三极管内部结构和和外部所加电源的极外部所加电源的极性性来保证。来保证。不具备放不具备放大作用大作用第9页，共18页。第10页，共18页。(1)射区掺杂射区掺杂浓度远大于基区，利于向基区扩散。浓度远大于基区，利于向基区扩散。(2)保证绝大部分载流子保证绝大部分载流子扩散扩散到到集
3、电结集电结。(3)以便收集更以便收集更多的载流子。多的载流子。可见，三极管不是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。第11页，共18页。V1NPPPNNV2V2V1 （集电结反偏），即0（发射结正偏）放大的条件BECECBonBEuuuUu第12页，共18页。第13页，共18页。EBRBECRCNPN电 子空 穴电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子电 子
4、空 穴电 子电 子电 子发射区向基发射区向基区扩散电子区扩散电子扩散运动形成发扩散运动形成发射极电流射极电流IE电子在基区的扩电子在基区的扩散与复合散与复合集电区收集电子集电区收集电子漂移运动形成集电漂移运动形成集电极电流极电流IC复合运动复合运动形成形成I IB B第14页，共18页。电流分配：电流分配：I IE EI IB BI IC CI IE E扩散运动形成的电流扩散运动形成的电流I IB B复合运动形成的电流复合运动形成的电流I IC C漂移运动形成的电流漂移运动形成的电流 BCBCIIII直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数R RC CV VCCCCi
5、iB BI IE ER RB B+u uBEBE+u uCECE V VBBBBC CE EB Bi iC C+输入输入回路回路输出输出回路回路共射电路共射电路三极管是一个三极管是一个电流控制电流控制元件，元件，I IC C由由I IB B控制。控制。共射电路：共射电路：I IC C=IIB B第15页，共18页。【举例分析举例分析】某放大电路中三极管三个电极的电流如图所示。某放大电路中三极管三个电极的电流如图所示。IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚。试判断管脚。解：电流判断法。解：电流判断法。电流的正方向和电流的正方向和KCL。IE=IB+ICABC IAIBI
6、CC为发射极为发射极B为基极为基极A为集电极为集电极第16页，共18页。发射区掺杂浓度大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区面积大且发射区掺杂浓度大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区面积大且掺杂少掺杂少一、内部结构一、内部结构 三个极、三个区、两个结三个极、三个区、两个结二、外部条件二、外部条件 I IC C=IIB B第17页，共18页。【1】工作在放大区的某三极管，如果当工作在放大区的某三极管，如果当IB从从12A增大到增大到22A时，时，IC从从1mA变为变为2mA，那么它的放大倍数约为（，那么它的放大倍数约为（）。）。A.83 B.91 C.100【2】某晶体管的发射极电流等于】某晶体管的发射极电流等于 1mA,基极电流等于基极电流等于20,则它的则它的集电极电流等于集电极电流等于()mA。A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2【3】分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。ab第18页，共18页。
