1、微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 10 存储器与存储扩展1.存储系统与半导体存储器分类存储系统与半导体存储器分类 2.存储器层次结构与译码电路存储器层次结构与译码电路3.随机存储器（随机存储器（RAM）4.只读存储器（只读存储器（ROM）5.CPU与存储器的连接与存储器的连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 1 存储系统与半导体存储器的分类1.1 1.1 存储系统存储系统计算机的 存储器外存储器 作用：用于存放当前运行的程序和数据，是主机一部分。特点：通常用半导体存储器作为内存储器。内存速度较高，CPU
2、可直接读写。作用：用于存放暂时不用的程序和数据。特点：容量大、速度较低、CPU不能直接读写。内存储器存储系统 通过软、硬件结合，形成了内存-外存的存储层次，即存储系统。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 高速度、大容量和低成本的矛盾-存储器层次结构存储器层次结构1.1 1.1 存储系统存储系统微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 1.2 半导体存储器的分类及特点按制造工艺分：按制造工艺分：有双极型、有双极型、MOS型存储器；型存储器；1.分类分类闪速存储器（闪速存储器（Flash），既具有），既具有RAM易读
3、、写、体积易读、写、体积小、集成度高、速度快等优点，又有小、集成度高、速度快等优点，又有ROM断电后信息断电后信息不丢失等优点。不丢失等优点。按存取方式分：按存取方式分：有随机存取（有随机存取（RAM）和只读存储）和只读存储 器（器（ROM）；）；按存储原理分：按存储原理分：有静态（有静态（SRAM）和动态（）和动态（DRAM）微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 2.半导体存储器的性能指标性能指标性能指标:容量、存取时间、价格、集成度、功耗、可靠性、容量、存取时间、价格、集成度、功耗、可靠性、从功能和接口电路角度，最重要是芯片的容量和存取时间。从功能
4、和接口电路角度，最重要是芯片的容量和存取时间。（1）存储容量）存储容量存储容量是指存储器存放二进制信息的总位数存储容量是指存储器存放二进制信息的总位数即：即：存储容量存储容量=存储单元数存储单元数单元的位数单元的位数芯片的容量通常采用芯片的容量通常采用比特比特（Bit）作为单位。如）作为单位。如N8、N4、N1这样这样的形式来表示芯片的容量的形式来表示芯片的容量(集成方式集成方式)。计算机中一般以计算机中一般以字节字节B（Byte）为单位，如）为单位，如256KB、512KB等。大容量等。大容量的存储器用的存储器用MB、GB、TB为单位。为单位。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读
5、力耕 立己达人立己达人3:05 （2）存取时间）存取时间 是反映存储器工作速度的一个重要指标，是指从是反映存储器工作速度的一个重要指标，是指从CPU给出有效的存储给出有效的存储器地址启动一次存储器读器地址启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。写操作，到该操作完成所经历的时间。读操作：存取时间就是读出时间，即从地址有效到数据输出有效之间读操作：存取时间就是读出时间，即从地址有效到数据输出有效之间的时间，通常在的时间，通常在10100ns之间。之间。写操作：而对一次写操作，存取时间就是写入时间。（一般大于读）写操作：而对一次写操作，存取时间就是写入时间。（一般大于读）（3）可靠性）可
6、靠性（4）集成度）集成度（5）位价）位价2.半导体存储器的性能指标微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）1.3.1 静态存储器（静态存储器（SRAMSRAM）存储单元）存储单元由两个增强型的NMOS反相器交叉耦合而成静态存储电路内部结构图静态存储电路内部结构图1 10 0101.存储过程：正反馈2.译码：行列均有效3.读取：经控制管输 出到I/O线特点:集成度低，功 耗较大。速度快，稳定；无刷新电路。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.1 静态存储器1.型号介绍型
7、号介绍 SRAM的不同规格，如的不同规格，如2101（2564位）、位）、2102（1K1位）、位）、2114（1K4位）、位）、4118（1K8位）、位）、6116（2K8位）。位）。现在常用型号：现在常用型号：6264（8K8位）和位）和62256（32K8位）等。位）等。2.6116 6116是是2KB静态存静态存储器芯片。储器芯片。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.1 静态存储器6116真值表工作方式I/O线状态功率状态H没选中没选中高高 阻阻备用状态备用状态LL写写 入入DIN运行状态运行状态LHL读读 出出DOUT运行状态运行状态L
8、HH高高 阻阻运行状态运行状态CEWEOE微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.2 动态读写存储器（DRAMDRAM）1.动态读写原理 DRAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，它将晶体管电容的充电状态和放电状态分别作为1和0。特点：集成度高，功耗低。速度慢于SRAM，需要不断刷新。写入时：写选线为1，T1导通；写入的数据通过T1管存储到T2管的Cg电容中。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.2 动态读写存储器（DRAMDRAM）1.动态读写原理 DRAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，它将
9、晶体管电容的充电状态和放电状态分别作为1和0。特点：集成度高，功耗低。速度慢于SRAM，需要不断刷新。读出时：先给预充脉冲，T1导通，使读数据线寄生电容Cg充电到VDD，然后启动读选线为1，进行读出操作。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.2 动态读写存储器（DRAMDRAM）2.DRAM的刷新 刷新即对基本存储电路进行补充电荷 就是每隔一定时间（一般2ms）对DRAM的所有单元进行读出，经读出放大器放大后再重新写入原电路中，以维持电容上的电荷，进而使所存信息保持不变。（1）正常读/写存储器也是一次刷新（2）每隔2ms单独周期性刷新一次结构上是采
10、用按行刷新-其时间称为刷新周期。内部划分成小矩阵，这样所有的矩阵同时进行刷新。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.2 动态读写存储器（DRAMDRAM）三种刷新方式（1）集中刷新方式 在最大刷新时间间隔中，集中在一个时间段对芯片的每一行都进行刷新。优点是存储器的利用率高，控制比较简单。但不适合实时性较强的系统使用。将各刷新周期安排在每个正常读写周期之后。刷新方式的时序控制比较简单，对存储器的读写没有长时间的“死区”。但刷新过于频繁，存储器的效率过低。根据存储器需要同时刷新的最大行数，计算出每一行的间隔时间，通过定时电路提出刷新请求进行一次刷新操作
11、。现大多数计算机都采用的是异步刷新方式。（2）分散刷新方式（3）异步刷新方式微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.2 动态读写存储器（DRAMDRAM）3.DRAM芯片举例 目前常用的有4164（64K1Bit）、41256（256K1Bit）、41464（64K4Bit）和414256（256K4Bit）等类型。（1）DRAM 4164的存储芯片结构微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 4 只读存储器(ROM)掩膜掩膜ROM存储结构图存储结构图1 掩膜ROM 单元单元D3D2D1D0单元01010单元11
12、101单元20101单元30110位位微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 2 可擦编程只读存储器(EPROM)(EPROM)浮栅浮栅MOS EPROM存储电路存储电路反向电压1.EPROM的存储单元电路PN结势垒D、S之间导通微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3 电可擦只读存储器(EEPROM)(EEPROM)擦除：若VG的极性相反也可以使电荷从浮空栅流向漏极；还可按字节擦除。编程：隧道二极管，它在第二栅与漏极之间电压VG的作用下，使电荷通过它流向浮空栅。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力
13、耕 立己达人立己达人3:05 4 Flash（闪速）存储器 闪速存储器是以单晶体管EPROM单元为基础。具有可靠的非易失性、电擦除性；经济的高密度，低成本；固体性；可直接执行。能够用于程序代码和数据存 储的理想媒体；迅速清除整个器件所有内容，可字节操作；擦除和重新编程几十万次。擦写速度快，接近于RAM。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5 5 CPUCPU与存储器的连接与存储器的连接5.1 连接存储器的基本问题连接存储器的基本问题 1.把握要领把握要领-紧扣三总线紧扣三总线 CPU与存储器连接示意AB 地址总线与容量对应；均经锁存器与主存全部对应相
14、连接。DB数据总线根据8、16位不同，分别与高8位或低8位对应连接。CB控制总线一般考虑CS、WE、RD、M/IO及相应的控制逻辑。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.1 5.1 连接存储器的基本问题连接存储器的基本问题1）CPU总线的带负载能力总线的带负载能力 可加驱动器或缓冲器可加驱动器或缓冲器2）速度匹配与时序控制）速度匹配与时序控制 尽量选快速芯片尽量选快速芯片3）数据通路匹配数据通路匹配4）合理的内存分配）合理的内存分配 分为分为ROM区和区和RAM区区存储器以字节为单位，存储器以字节为单位，16位或位或32位数据，放连续位数据，放连续
15、的几个内存单元中，称为的几个内存单元中，称为“字节编址结构字节编址结构”。2.综合考虑的因素综合考虑的因素微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 存储器的位数与其数据线数相对应存储器的位数与其数据线数相对应：3.3.存储器的片选与地址分配存储器的片选与地址分配 10 位地址，1024 单元 8 位地址，256单元 1)正确连接存储器的关键点 合理分配存储空间，并正确译码；芯片的片选信号和字选控制当CS（或CE）=0时，芯片被选中当CS（或CE）=1时，芯片被封锁 芯片单元与地址线数相对应存储容量10248=8K 位1K字节8根数据线微机原理与接口技术微机
16、原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 芯片选择芯片选择：在芯片地址线位数的基础上扩展地址线，3.3.存储器的片选与地址分配存储器的片选与地址分配 每只芯片均有一条片选线CS(CE)，选通芯片。片内地址片内地址：由存储器芯片上地址线编码决定。扩展多芯片时解决2 个问题：2)地址线位数扩展及地址分配并由扩展线控制芯片的片选CS。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 3.3.存储器的片选与地址分配存储器的片选与地址分配例如扩展4片4KB字节的存储器，则第3只芯片的地址：A11 A00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0B000H1
17、 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1BFFFH 12位芯片内地址存储芯片的地址线扩展 扩展的地址编码放在高位，芯片地址编码放在低位。最低最高 A15 A14 A13 A12 1 0 1 1 1 0 1 1 3位扩展地址 微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.2 5.2 存储器的译码方法存储器的译码方法1.线选译码法方法：用某一扩展位直接作 为片选信号。优点：无译码电路，线路简单，成本低。缺点：有地址重叠现象,浪费大量的存储空间。存储器线选译码电路图微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.2 5.2
18、 存储器的译码方法存储器的译码方法1.线选译码法方法：用某一扩展位直接作 为片选信号。优点：无译码电路，线路简单，成本低。缺点：有地址重叠现象,浪费大量的存储空间。存储器线选译码电路图A14A13A12 在同一时刻只能有一位为0 其中：A12=0 选中片1，地址空间为6000H6FFFH；（A15无关）重叠区域之一为E000HEFFFH;A13=0 选中片2，地址空间为5000H5FFFH；A14=0 选中片3，地址空间为3000H3FFFH。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 A2 A1 A0 Yi 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1
19、1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 15.2 5.2 存储器的译码方法存储器的译码方法0Y74LS-138是常用的3-8译码器7Y片选控制译码逻辑011011011102.全译码法全译码法常用译码器有双2-4译码器、3-8译码和4-16译码器等。低位作为片内地址；高位扩展线全部参加译码。低位作为片内地址；高位扩展线全部参加译码。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 A1 9 A1 A0 B H E 图3.2 6 8 0 8 6 存 储 器 连 接 S E L A1 8 A0 高 位(奇 地 址)5 1 2 K 8 D7 D0 S E L A1
20、8 A0 低 位(偶 地 址)5 1 2 K 8 D7 D0 A D1 5 A D8 A D7 A D0 5.3 存储器与CPU的连接1.存储器的分体结构存储器的分体结构BHE有效选中高8位（奇数体）A0=0选中低8位（偶数体）二者均有效=00时，选中16位字 高位512k8 低位512k8 为何要分体：存储芯片数据线8位，CPU数据线16位微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.3 存储器与CPU的连接 N1位芯片，扩展位芯片，扩展N个字节，用个字节，用8片并列成一组；片并列成一组；1K4位芯片，扩展位芯片，扩展1KB，要用，要用2片并列成一组。片
21、并列成一组。2.位扩展 用多块存储器芯片重叠使用，并成一个字节或字长的存储体。主要是数据线按位排列，存放数据的某个对应位，并行连接到CPU的数据线上。组内每片的地址线、控制线并在一起；再与CPU的相应信号线连接。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.3 存储器与CPU的连接2.位扩展读写片选控制线组内并联组内各芯片地址线并联数据线按位组分别连接DB 多块存储器芯片重叠使用。并成一个字节或字长的存储体。数据线按位排列，存放数据的某个对应位，并行连接到CPU的数据线。组内每片的地址线、控制线并在一起；再与CPU的相应信号线连接。微机原理与接口技术微机原
22、理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.3 存储器与CPU的连接3.字扩展要领：各位组地址线、数据线、读写控制线横向延伸串联。片选线经译码器分别连接。组2组1组4组3扩展容量256B4组=1KB（组内2564位2片）微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.4 CPU与存储器典型连接1.设计地址译码电路设计地址译码电路步骤：（1）确定(扩展)地址线数（2）确定地址分配（3）画地址分配图和位图（4）画出地址译码电路图并连接 实用中，应尽可能选择大容量芯片，以简化电路和减少板卡面积。微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕
23、立己达人立己达人3:05 5.4 CPU与存储器典型连接 例如 27C64(8K*8 EPROM)和62C64(8K*8 SRAM)构成32KB的EPROM和32KB的SRAM(0000H0FFFH）。（1）确定地址线数27C6462C64芯片上13根A12A032KB ROM需4片32KB RAM需4片8片；扩展A15A13作片选64KB连续地址空间需要16根微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.4 CPU与存储器典型连接芯片编号芯片编号类型与容量类型与容量地址范围地址范围0ROM 8KB0000H1FFFH1ROM 8KB2000H3FFFH2
24、ROM 8KB4000H5FFFH3ROM 8KB6000H7FFFH4RAM 8KB8000H9FFFH5RAM 8KBA000HBFFFH6RAM 8KBC000HDFFFH7RAM 8KBE000HFFFFH(3)画出地址分配表和地址位图(2)确定地址分配 考虑地址连续，设计ROM占用前32KB,地址范围0 7FFFH；RAM占用后32KB,地址范围8000 0FFFFH。片间地址线片间地址线片内地址线片内地址线A15A14A13A12A00000号ROM芯片0011号0102号0113号1004号RAM芯片1015号1106号1117号微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力
25、耕 立己达人立己达人3:05 5.4 CPU5.4 CPU与存储器典型连接考虑M/IO=1才选中存储器，与G相连；A15A13与译码输入端 A B C连接。（4）画出地址译码电路问题！芯片内地址连续，但不适应分体结构微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.4 CPU与存储器典型连接芯片号芯片号类型与容量类型与容量地址范围地址范围0ROM 8KB0000H3FFFH 的偶数体1 8KB0000H3FFFH的奇数体奇数体2 8KB4000H7FFFH的偶数体3 8KB4000H7FFFH的奇数体奇数体4RAM 8KB8000HBFFFH的偶数体5 8KB
26、8000HBFFFH的奇数体奇数体6 8KBC000HFFFFH的偶数体7 8KBC000HFFFFH的奇数体奇数体(3)画出分体结构地址分配表和地址位图(2)确定地址分配片间地址线片间地址线片内地址线片内地址线体选体选A15A14A13A1A0000号号ROMBHE#011号号A0102号号BHE#113号号A0004号号RAMBHE#015号号A0106号号BHE#117号号微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:05 5.4 CPU与存储器典型连接 用BHE和A0作奇偶存储体控制信号；A15A14与译码输入端 B、C 连接。注意A端接地，M/IO接G端！
27、可用2四译码器(4)画出地址译码电路微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例1：利用：利用SRAM 6116(2K*8)设计一个容量为设计一个容量为4KB RAM存储器，地址为存储器，地址为7C000H7CFFFH。（1）原理图）原理图5.4 CPU与存储器典型连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 （2）项目设计说明）项目设计说明 1）7C000H7CFFFH需要系统地址总线需要系统地址总线20位（位（A0A19，A19=0）,数据总线数据总线8位（位（D0D7），控制信号），控制信号为为 RD、WR、M
28、/IO。2）需要）需要2片片6116（2KB8位）位）3）分配地址信号线）分配地址信号线5.4 CPU与存储器典型连接例例1：设计一个容量为：设计一个容量为4KB RAM存储器存储器微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例1：设计一个容量为设计一个容量为4KB RAM存储器存储器 （3）项目设计说明）项目设计说明 4）确定地址范围：由于用）确定地址范围：由于用74LS138作片选译码器，所作片选译码器，所以以A13A11应该接应该接CBA,最多可选择最多可选择8片，本项目用片，本项目用2片。片。A18A14高有效，高有效，A19经过反相器接经过反相器
29、接G1。5.4 CPU与存储器典型连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例2：设计一个容量为设计一个容量为8KB ROM存储器存储器 （1）项目要求）项目要求 利用利用EPROM 2732（4KB8位位)及译码器及译码器74LS138，设计一个存储容量为设计一个存储容量为8KB ROM存储器。要求存储器。要求ROM的地的地址范围为址范围为FC000HFDFFFH。5.4 CPU与存储器典型连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例2：设计一个容量为设计一个容量为8KB ROM存储器存储器 （2）项目电
30、路原理图）项目电路原理图5.4 CPU与存储器典型连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例2：设计一个容量为设计一个容量为8KB ROM存储器存储器 （3）项目设计说明）项目设计说明 1）需要系统地址总线）需要系统地址总线20位（位（A0A19）,数据总线数据总线8位位（D0D7），控制信号为），控制信号为 RD、WR、M/IO。2）需要）需要2片片2732（4KB8位）位）3）分配地址信号线）分配地址信号线5.4 CPU与存储器典型连接微机原理与接口技术微机原理与接口技术勤读力耕勤读力耕 立己达人立己达人3:06 例例2：设计一个容量为设计一个容量为8KB ROM存储器存储器 （3）项目设计说明）项目设计说明 4）确定地址范围：由于用）确定地址范围：由于用74LS138作片选译码器，所作片选译码器，所以以A14A12应该接应该接CBA,最多可选择最多可选择8片，本项目用片，本项目用2片。片。A19A15高有效。高有效。5.4 CPU与存储器典型连接
