1、VGSrsubTqNaV022DsatDSTGSDSDSDSTGSDVVVVVVVVVI,)1()(22LWaNqsubn)(DsatDSTGSDSTGSDVVVVVVVI,)1)(22 LVfDSnTDsatDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI,21)(20)1()(212DSTGSoxnDsatVVVLWCI源 栅 漏 源 漏N沟道衬底JFETN沟道衬底MESFETJFET与MESFET结构P+Metal场效应晶体管（FET）结型场效应晶体管 （JFET）金属半导体场效应晶体管（MESFET）MOS 场效应 晶体管（MOSFET）MOS器件的表征：沟道长度沟道长度沟道宽度
2、沟道宽度wLNMOS工作原理VDS VGS-VT阈值电压：强反型层形成沟道时的栅源电压VT；(表面反型产生的载流子数目等于衬底多子的数目)线性区(Linear region)：VDS=VGS-VT过渡区 ：截止区（Cut off）：VGS VT击穿区：PN结击穿；图1 P型半导体图2 表面电荷减少图 3 形成耗尽层耗尽层（高阻区）图 4 形成反型层反型层（1）线性区：VGS-VTVDS令：K=Cox n 工艺因子 Cox:单位面积电容；n：电子迁移率 N=K(W/L)导电因子则：IDS=N(VGS-VTN)-VDS/2.VDS 线性区的电压-电流方程当工艺一定时，K一定，N与（W/L）有关。2
3、2TGSVVnDSI L S D VDSVDS-(VGS-VT)VGS-VT沟道夹断沟道长度调制效应MOS的电流电压特性（3）截止区：0 IDS=0 IDS 输出特性曲线VDS 0线性区饱和区|VG5|VG4|VG3|VG2|VG1|VGS-VT0VDS=VGS-VT 截止区TGSDSVVIIexp0-V g sGN-S i衬底SDI s d=-I d sV d d P P-V d s)(0BSttVVV D GSN+N+P-SiSGDVDSVGS=VTIDSVGSVTIDS D GSN+N+P-SiSGDVDSVGS=VTIDSVGSVTIDSVGS=0 D GSP+P+N-SiSGDVds
4、(-)Vg=VtIds(-)Vgs(-)VtIds(-)D GSP+P+N-SiSGDVds(-)Vg=VtIds(-)Vgs(-)VtIds(-)Vg=0TGSDVVI ,0DsatDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI,21)(20DsatDSTGSTGSXnDsatDVVVVVVLWCII,)(2120210)(2TGSDSsubreffVVVqNLL)1()(212DSTGSoxnDsatVVVLWCItconsVGSDmGSVIgtanDSxnmVLWCg0)1)(0DSTGSxnmVVVLWCgtconsVDSDmGSVIgtan为渡越时间:2/1Tf21)2(2FFFBTVVOXSSSFBCQVVOXioxTC0为衬底掺杂浓度为费米电势 subN)(FisubFnNInqkToxsubrCqN210)2(为体效应系数阈值电压将发生变化加上后若衬底偏压,V)2(BS21BSTTVVV
