1、GSDBECGEC P1P2N1N2P1P2N1N2K GAPPNNNPAGKKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKG 在极短时间内使两在极短时间内使两个三极管均饱和导通，个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。此过程称触发导通。G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii EA+_R T1T2EG_+G21iG2iGi2BiEA+_R T1T2EG2BiG2iGiG21i_+G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii G 必须使可控硅阳极电流减小，直到必须使可控硅阳极电流减小，直到正反馈正反馈效效应不能维持。应不能维持。将阳极电源断开或者在晶
2、闸管的将阳极电源断开或者在晶闸管的URRMUFRMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBOIHOUIIG0IG1IG2正向平均电流正向平均电流曲线曲线)(UfI UDRM 晶闸管晶闸管控制极开路且正向阻断情况下控制极开路且正向阻断情况下,可以重复可以重复加在加在晶闸管晶闸管两端的正向峰值电压。两端的正向峰值电压。一般一般UDRM 比正向转折电压比正向转折电压UBO低低100V。URRM 晶闸管晶闸管控制极开路时控制极开路时,可以重复加在可以重复加在晶闸管晶闸管两端两端的反向峰值电压。的反向峰值电压。一般一般URRM 比反向转折电压比反向转折电压|UBO|低低100V。环境温度为环境温度为40C
3、及及标准散热条件下，标准散热条件下，晶闸管处于晶闸管处于全导通时全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。值。)(sin21m0FIttdIIm IFt 2 i如果正弦半波电流的最大值为如果正弦半波电流的最大值为Im,则则普通晶闸管普通晶闸管IF为为1A 1000A。额定电压额定电压,用百位或千位数表用百位或千位数表示示取取UFRM或或URRM较小者较小者额定正向平均电流额定正向平均电流(IF)晶闸管晶闸管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示额定正向平均电流为额定正向平均电流为5A,额定电压为额定电压为700V。(a)结构图结构图(b)GA1PNP
4、NA2NNN(b)符号符号TA2GA1(1)。uuu T,0O。0,TO uuu+T tguO t1 2。uuu T ,0O:1t。0T,O uuu tuO晶晶闸闸管管不不导导通通。,00g1 ut t。uuu T,0O tguO tOuO 控制角控制角 t1 tuO t22 tTuO导通角导通角 d21OtuU )d(sin221ttU 2cos145.0LLOO RURUI2cos145.0 U O+TLeL tguO tOuO t1 tuO t22 tTuO O+LTD+tguOiL tOu tuO tTuO 2 aRLD2T1b+T1T2RLuOD1D2+bRLD1T2a+T1T2RL
5、uOD1D2+tguO tOu tuO tTuO2 d1OtuU )d(sin21ttUU 2cos19.0LO RURUI2cos19.0 U两种常用可控整流电路两种常用可控整流电路电路电路特点特点该电路只用一只晶闸管，且其上无反该电路只用一只晶闸管，且其上无反 向电压。向电压。2.晶闸管和负载上的电流相同。晶闸管和负载上的电流相同。(1)uTD2D4uORL+-+-电路电路特点特点 1.电路接入电感性负载时，二极管电路接入电感性负载时，二极管D1、D2起起 续流作用。续流作用。2.由于由于T1的阳极和的阳极和T2的阴极相连，两管控制的阴极相连，两管控制 极必须加独立的触发信号。极必须加独立
6、的触发信号。(2)T1T2D1D2uuORL+-+-，一旦发生过电，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件结烧坏，造成元件内部断炉或开路。例如一只内部断炉或开路。例如一只100A的的晶闸管晶闸管过电流为过电流为400A时，仅允许持续时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏；秒，否则将因过热而损坏；电压超过其反向击电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。流较大，使器件受损。与晶
7、闸与晶闸管串联管串联接在接在输入输入端端接在接在输出输出端端 硒碓保护硒碓保护(硒整流片硒整流片)RCRC晶闸管元件晶闸管元件的阻容保护的阻容保护NPPN结结N型硅片型硅片2B1B1BBB1BRRRUU BBBB2B1BUURR 分压比分压比(0.5 0.9)UBB+_+_RP+_+_RERB1RB2AUBB+_RP+_+_RE(3)维持单结管导通的最小维持单结管导通的最小 电压、电流。电压、电流。单结管由截止变导通单结管由截止变导通 所需发射极电压所需发射极电压。IpIVV截止区截止区P (3)不同单结晶体管的谷点电压不同单结晶体管的谷点电压谷点电流谷点电流都都 比一样。谷点电压大约在比一样
8、。谷点电压大约在2 5V之间。常选用之间。常选用 稍大一些，稍大一些，稍小的单结晶体管，以增大输稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。出脉冲幅度和移相范围。UVugg。uVRLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+C+RU2MU2MuOuuRu2+uO+uZUZUP-UDR1R2RPCCRuZuLuguCuVUpRLT1D1D2T2 uL LTR1AVR2R4R3RPDDZC+_T1R1AVR2R4R3RPDDZC+_T1。R1AVR2R4R3RPDDZC+_T1R1AVR2R4R3RPDDZC+_T1D3131Uuu D232Uu D3231Uuu D132Uu D32U2sin21 )sin2(12 UtUU RC Tu双向二极管双向二极管
