1、1 教学内容7.1 概述7.2 只读存储器7.3 随机存储器7.4 存储容量的扩展2 半导体存储器是一种能存储大量二半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。值信息的半导体器件。按存储按存储功能分功能分只读存储器（只读存储器（ROM）随机存储器（随机存储器（RAM）按制造按制造工艺分工艺分双极性双极性MOS型型3优点：优点：断电后数据不丢失，具有非易失性。断电后数据不丢失，具有非易失性。缺点：缺点：只适用于存储固定数据的场合。只适用于存储固定数据的场合。Read Only Memory特点：特点：正常工作时只能读出。正常工作时只能读出。4只读存储器分类：只读存储器分类：掩膜掩膜ROM：
2、出厂后内部存储的数据不能改动，只出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。能读出。PROM：可编程，只能写一次。可编程，只能写一次。EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程较慢，次数也用紫外线擦除，擦除和编程较慢，次数也不宜多。不宜多。E2PROM:电信号擦除，擦、写速度提高。如：电信号擦除，擦、写速度提高。如：IC卡卡快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)：编程可靠、快捷，编程可靠、快捷，集成度高。如：集成度高。如：U盘盘5678A0An-1W0W(2n-1)D0Dm91011写入时，要使用编程器1213管叠栅注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置栅
3、控制栅:fcGGDSDSfcfcGGGG工作原理：若上充负电荷，则处高电平时、不导通若上未充负电荷，则处高电平时、导通14,20 3031fG“写入”：雪崩注入 在上注入负电荷。“擦除”：紫外线照射分钟（阳光下1周，荧光灯相当于存。下入年）15()FLOTOXMOS采用浮栅隧道氧化层管fGD与 间有隧道，通过隧道效应充放电。fG 充电:存入1，放电：存入0。16171819优点：优点：读、写方便读、写方便,使用灵活。使用灵活。缺点：缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。失性）。Random Access Memory.应用：计算机内存应用：计算机内存
4、20基本结构：基本结构：地址译码器、存储矩阵和读地址译码器、存储矩阵和读写控写控制电路构成。制电路构成。21922，读操作截止，与导通，则若时，当OIQAAAWRSC32110,，写操作导通，与截止，则若QOIAAAWR3210,六管N沟道增强型MOS管2324字线字线位线位线存储容量存储容量字线数字线数位线数位线数存储容量存储容量22444地址输入端地址输入端数数据据输输出出端端25N=目标存储器容量目标存储器容量已有存储器容量已有存储器容量解：需要片数解：需要片数N=826SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA
5、,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,N=目标存储器容量目标存储器容量已有存储器容量已有存储器容量解：需要片数解：需要片数N=427980398,A AYYSA AC将译成分别接用两位地址区分四片四片的即89AA4321SCSCSCSC0123YYYY2889AA0123YYYY片片(1)(1)工作，其余输出高阻工作，其余输出高阻片片(2)(2)工作工作,片片(3)(3)工作工作,片片(4)(4)工作工作,2930 教学要求教学要求 1.了解半导体存储器的功能、分类，结半导体存储器的功能、分类，结构特点；构特点；2.掌握掌握存储容量计算及本章基本概念；存储容量计
6、算及本章基本概念；3.掌握掌握存储器容量的扩展方法。存储器容量的扩展方法。作业：题作业：题7.27.2；题题7.5.7.5.31题题7-1 若存储器容量为若存储器容量为512KX8位，则地址代码应取几位？位，则地址代码应取几位？解：字线数为解：字线数为512K=512X210219故取故取19位位地址代码地址代码第七章第七章习题习题32题题7-4 试用试用4片片4k8位的位的RAM芯片芯片 组成组成16k8位的位的RAM存储器。存储器。AA13120123YYYY0123YYYY33A0An-1W0W(2n-1)343536ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321产生：用),(),(),(),(15214414107676324321mYmYmYmY3738
