1、第第 3 章章 通信用光器通信用光器 3.1 光源光源 3.2 光检测器光检测器 3.3 光无源器件光无源器件返回主目录第第 3 章章 通信用光器件通信用光器件 通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型。有源器件包括光源、光检测器和光放大器，这些器件是光发射机、光接收机和光中继器的关键器件，和光纤一起决定着基本光纤传输系统的水平。光无源器件主要有连接器、耦合器、波分复用器、调制器、光开关和隔离器等，这些器件对光纤通信系统的构成、功能的扩展和性能的提高都是不可缺少的。本章介绍通信用光器件的工作原理和主要特性，为系统的设计提供选择依据。3.1光源光源 光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信
2、号转换为光信号。目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器(LD)和发光二极管或称发光管(LED)，有些场合也使用固体激光器，例如掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光器。本节首先介绍半导体激光器(LD)的工作原理、基本结构和主要特性，然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器(DFB-LD)，最后介绍可靠性高、寿命长和价格便宜的发光管(LED)。3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。激光，其英文LASER就是Light Ampl
3、ification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大)的缩写。所以讨论激光器工作原理要从受激辐射开始。1.受激辐射和粒子数反转分布受激辐射和粒子数反转分布 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4)称为激发态。电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式(见图3.1)：图 3.1能级和电子跃迁(a)受激吸收；(b)自发辐射；(c)受激辐射 hf12初态E2E1终态E2E1(a)(b)hf12(c)hf12hf12 (1)在正
4、常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图3.1(a)。(2)在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图3.1(b)。(3)在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图3.1(c)。受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即 E2-E1=hf
5、12(3.1)式中，h=6.62810-34Js，为普朗克常数，f12为吸收或辐射的光子频率。受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同。受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布式中，k=1.38110-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，所以在这
6、种状态下，总是N1N2。这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质。如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。问题是如何得到粒子数反转分布的状态呢?这个问题将在下面加以叙述。2.PN结的能带和电子分布结的能带和电子分布 半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体。在这种晶体中，由于邻近原
7、子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带，如图3.2。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec和价带顶的能量Ev之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。图 3.2半导体的能带和电子分布(a)本征半导体；(b)N型半导体；(c)P型半导体 Eg/2Eg/2EfEcEvEg导带价带能量EcEfEgEvEgEcEfEv(a)(b)(c)图3.2示出不同半导体的能带和电子分布图。根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布)exp(11)(kTEEEpf 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。当T0时，P(E)0，这
8、时导带上几乎没有电子，价带上填满电子。Ef称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。图 3.3PN结的能带和电子分布(a)P-N结内载流子运动；(b)零偏压时P-N结的能带图；(c)正向偏压下P-N结能带图 hfhfEpcEpfEpvEncEnfEnv内部电场外加电场电子，空穴(c)势垒能量EpcP区EncEfEpvN区Env(b)P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 漂移(a)一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体。在N型半导体中，Ef增大
9、，导带的电子增多，价带的空穴相对减少，见图3.2(b)。在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体。在P型半导体中，Ef减小，导带的电子减少，价带的空穴相对增多，见图3.3(c)。在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场，见图3.3(a)。内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图3.3(b)。这时在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动
10、，最后在PN结形成一个特殊的增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布，见图3.3(c)。在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。3.激光振荡和光学谐振腔激光振荡和光学谐振腔 粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件，但还不能产生激光。只有把激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。基本的光学谐振腔由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成(如图3.4所示)，并被称为法布里-珀罗(FabryPerot,FP)谐振腔。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为
11、入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，结果增益大幅度得到提高。另一方面，由于谐振腔内激活物质存在吸收，反射镜存在透射和散射，因此光受到一定损耗。当增益和损耗相当时，在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡，其阈值条件为 图 3.4激光器的构成和工作原理 (a)激光振荡；(b)光反馈 2n反射镜光的振幅反射镜L(a)初始位置光光强输出OXL(b)th=+211ln21RRL 式中，th为阈值增益系数，为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1，R21为两个反射镜的反射率激光振荡的相位条件为L=q qnL
12、n22或 式中，为激光波长，n为激活物质的折射率，q=1,2,3 称为纵模模数。4.半导体激光器基本结构半导体激光器基本结构 半导体激光器的结构多种多样，基本结构是图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构。这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间有一层厚0.10.3 m的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。图3.6示出DH激光器工作原理。由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子
13、注入有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。图 3.6DH激光器工作原理(a)短波长；(b)长波长(a)双异质结构；(b)能带；(c)折射率分布；(d)光功率分布 PGa1xAlxAsPGaAsNGa1yAlyAs复合空穴异质势垒E能量(a)(b)(c)n折射率5%(d)P光电子 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.10.3 m的有源层内形成粒子数反
14、转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。3.1.2半导体激光器的主要特性半导体激光器的主要特性 1.发射波长和光谱特性发射波长和光谱特性 半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到 hf=Eg式中，f=c/，f(Hz)和(m)分别为发射光的频率和波长，c=3108 m/s为光速，h=6.62810-34JS为普朗克常数，1 eV=1.610-1
15、9 J，代入上式得到ggEEhc24.1 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长。镓铝砷-镓砷(GaAlAsGaAs)材料适用于0.85 m波段，铟镓砷磷-铟磷(InGaAsPInP)材料适用于1.31.55 m波段。参看图3.5(b)。图3.7是GaAlAsDH激光器的光谱特性。在直流驱动下，发射光波长有一定分布，谱线具有明显的模式结构。这种结构的产生是因为导带和价带都是由许多连续能级组成的有一定宽度的能带，两个能带中不同能级之间电子的跃迁会产生连续波长的辐射光。其中只有符合激光振荡的相位条件式(3.5)的波长存在。这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。由图3
16、.7(a)可见，随着驱动电流的增加，纵模模数逐渐减少，谱线宽度变窄。这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性，由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。用FP谐振腔可以得到的是直流驱动的静态单纵模激光器，要得到高速数字调制的动态单纵模激光器，必须改变激光器的结构，例如采用分布反馈激光器就可达到目的。图 3.7GaAlAsDH激光器的光谱特性 (a)直流驱动;(b)300 Mb/s数字调制 2.激光束的空间分布激光束的空间分布
17、 激光束的空间分布用近场和远场来描述。近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布，远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。图3.8是GaAlAsDH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模。图 3.8 GaAlAsDH条形激光器的近场图 W10 m20 m20 m30 m30 m50 m10 m近场图样0.1rad远场图样 图3.9为典型半导体激光器的远场辐
18、射特性，图中和分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。3.转换效率和输出光功率特性转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率用外微分量子效率d表示，其定义是在阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数)(edhfththIIpphfeIpeIIhfpppthth/)(/)(由此得到 3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a)光强的角分布；(b)辐射光束 1.00.80.60.40.2080604020020406080T300 K辐射角(度)相对光强(a)(b)式中，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，Pth和Ith分别为相应的阈值，hf和e
19、分别为光子能量和电子电荷。激光器的光功率特性通常用P-I曲线表示，图3.10是典型激光器的光功率特性曲线。当IIth时，发出的是受激辐射光，光功率随驱动电流的增加而增加。4.频率特性频率特性 在直接光强调制下，激光器输出光功率P和调制频率f的关系为 P(f)=2222)/(4)/(1)0(ffffp 图 3.10典型半导体激光器的光功率特性(a)短波长AlGaAs/GaAs;(b)长波长InGaAsP/InP 1098765432100 20 40 60 80工作电流I/mA单面输出功率P/mW3.53.02.52.01.51.00.50050100150Ith工作电流I/mA输出功率P/mW
20、(a)(b)1(1210IIIIfthhpsp 式中，fr和分别称为弛豫频率和阻尼因子，Ith和I0分别为阈值电流和偏置电流；I是零增益电流，高掺杂浓度的LD，I=0，低掺杂浓度的LD,I=(0.70.8)Ith；sp为有源区内的电子寿命，ph为谐振腔内的光子寿命。图3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性。弛豫频率fr是调制频率的上限，一般激光器的fr为12 GHz。在接近fr处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性 0.010.11100.1110100fr调制频率f/GHz相对光功率 5.温度特性温度特性 对于线性良好的激光器，
21、输出光功率特性如式(3.7b)和图3.10所示。激光器输出光功率随温度而变化有两个原因：一是激光器的阈值电流Ith随温度升高而增大，二是外微分量子效率d随温度升高而减小。温度升高时，Ith增大，d减小，输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器就不激射了当以直流电流驱动激光器时，阈值电流随温度的变化更加严重。当对激光器进行脉冲调制时，阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为 Ith=I0 exp)(0TT 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。GaAlAsGaAs激光器T0=100150 K、InGaAsPInP激光器T0=4070 K，所以长波长I
22、nGaAsPInP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感。外微分量子效率随温度的变化不十分敏感，例如，GaAlAsGaAs激光器在77 K时d50%，在300 K时，d30%。图3.12示出脉冲调制的激光器，由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小，造成的输出光功率特性P-I曲线的变化。图 3.12 P I曲线随温度的变化 22304050607080P/mW54321050100I/mA不激射 3.1.3分布反馈激光器分布反馈激光器 随着技术的进步，高速率光纤通信系统的发展和新型光纤通信系统例如波分复用系统的出现，都对激光器提出更高的要求。和由FP谐振腔构成的DH激光器相比，要求新型半
23、导体激光器的谱线宽度更窄，并在高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性；发射光波长更加稳定，并能实现调谐；阈值电流更低，而输出光功率更大。具有这些特性的动态单纵模激光器有多种类型，其中性能优良并得到广泛应用的是分布反馈(Distributed Feed Back,DFB)激光器。普通激光器用FP谐振腔两端的反射镜，对激活物质发出的辐射光进行反馈，DFB激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构(波纹状)衍射光栅实现光反馈。这种衍射光栅的折射率周期性变化，使光沿有源层分布式反馈，所以称为分布反馈激光器。如图3.13所示，由有源层发射的光，从一个方向向另一个方向传播时，一部分在光栅波纹峰反射(如光线a
24、)，另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。如果光线a和b匹配，相互叠加，则产生更强的反馈，而其他波长的光将相互抵消。虽然每个波纹峰反射的光不大，但整个光栅有成百上千个波纹峰，反馈光的总量足以产生激光振荡。光栅周期由下式确定=m eBn2 式中，ne为材料有效折射率，B为布喇格波长，m为衍射级数。在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为 图 3.13分布反馈(DFB)激光器 (a)结构；(b)光反馈 衍射光栅有源层N层P层输出光光栅有源层ba(a)(b)式中L为光栅长度，其他符号和式(3.10)意义相同。在普通均匀光栅中，引入一个/4
25、相移变换，使原来的波峰变波谷，波谷变波峰，可以有效地提高模式选择性和稳定性，实现动态单纵模激光器的要求。DFB激光器与FP激光器相比，具有以下优点：单纵模激光器。FP激光器的发射光谱是由增益谱和激光器纵模特性共同决定的，由于谐振腔的长度较长，导致纵模间隔小，相邻纵模间的增益差别小，因此要得到单纵模振荡非常困难。DFB激光器的发射光谱主要由光栅周期决定。相当于FP激光器的腔长L，每一个形成一个微型谐振腔。由于的长度很小，所以m阶和(m+1)阶模之间的波长间隔比FP腔大得多，加之多个微型腔的选模作用，很容易设计成只有一个模式就能获得足够的增益。于是DFB激光器容易设计成单纵模振荡。谱线窄，波长稳定
26、性好。由于DFB激光器的每一个栅距相当于一个FP腔，所以布喇格反射可以看作多级调谐，使得谐振波长的选择性大大提高，谱线明显变窄，可以窄到几个GHz。由于光栅的作用有助于使发射波长锁定在谐振波长上，因而波长的稳定性得以改善。动态谱线好。DFB激光器在高速调制时也能保持单模特性，这是FP激光器无法比拟的。尽管DFB激光器在高速调制时存在啁啾，谱线有一定展宽，但比FP激光器的动态谱线的展宽要改善一个数量级左右。线性好。DFB激光器的线性非常好，因此广泛用于模拟调制的有线电视光纤传输系统中。3.1.4发光二极管发光二极管 发光二极管(LED)的工作原理与激光器(LD)有所不同，LD发射的是受激辐射光，
27、LED发射的是自发辐射光。LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间，不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。发光二极管有两种类型：一类是正面发光型LED，另一类是侧面发光型LED，其结构示于图3.14。和正面发光型LED相比，侧面发光型LED驱动电流较大，输出光功率较小，但由于光束辐射角较小，与光纤的耦合效率较高，因而入纤光功率比正面发光型LED大。图 3.14两类发光二极管(LED)(a)正面发光型；(b)侧面发光型 球透镜环氧树脂P层n层有源层发光区微透镜P型限制层n型限制层有源层波导层 和激光器相比，发光二极管输出光功率较小，谱线宽度较宽
28、，调制频率较低。但发光二极管性能稳定，寿命长，输出光功率线性范围宽，而且制造工艺简单，价格低廉。因此，这种器件在小容量短距离系统中发挥了重要作用。发光二极管具有如下工作特性：(1)光谱特性。发光二极管发射的是自发辐射光，没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，如图3.15。一般短波长GaAlAsGaAs LED谱线宽度为3050 nm，长波InGaAsPInP LED谱线宽度为60120 nm。随着温度升高或驱动电流增大，谱线加宽，且峰值波长向长波长方向移动，短波长和长波长LED的移动分别为0.20.3 nm/和0.30.5 nm/。图 3.15LED光谱特性 1300波长/nm70 nm相对光强
29、(2)光束的空间分布。在垂直于发光平面上，正面发光型LED辐射图呈朗伯分布，即P()=P0 cos，半功率点辐射角120。侧面发光型LED，120，2535。由于大，LED与光纤的耦合效率一般小于10%。(3)输出光功率特性。发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率d小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。驱动电流I较小时，P-I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P-I 曲线的斜率减小。在通常工作条件下，LED工作电流为50100mA，输出光功率为几mW，由于光束辐射角大，入纤光功率只有几百W。图 3.16 发光二极管
30、(LED)的P-I特性 0100200300400500051015正面发光侧面发光电流 I/mA发射功率P/mW (3)输出光功率特性。发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率d小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。驱动电流I较小时，P-I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P-I 曲线的斜率减小。在通常工作条件下，LED工作电流为50100 mA，输出光功率为几mW，由于光束辐射角大，入纤光功率只有几百W。(4)频率特性。发光二极管的频率响应可以表示为|H(f)|=2)2(11)0()(efPfp 式中，f为调制频
31、率，P(f)为对应于调制频率f的输出光功率，e为少数载流子(电子)的寿命。定义fc为发光二极管的截止频率，当f=fc=1/(2e)时，|H(fc)|=，最高调制频率应低于截止频率。图3.17示出发光二极管的频率响应，图中显示出少数载流子的寿命e和截止频率fc的关系。对有源区为低掺杂浓度的LED，适当增加工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。在一般工作条件下，正面发光型LED截止频率为2030 MHz，侧面发光型LED截止频率为100150 MHz。21图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 e1.1 nse2.1 nse 6.4 ns1001000100.110调制频率f/MHz频率
32、响应 H(f)3.1.5半导体光源一般性能和应用半导体光源一般性能和应用ST 表3.1和表3.2列出半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能。LED通常和多模光纤耦合，用于1.3 m(或0.85 m)波长的小容量短距离系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大，而多模SIF光纤或G651规范的多模GIF光纤具有较大的芯径和数值孔径，有利于提高耦合效率，增加入纤功率。LD通常和G.652或G.653规范的单模光纤耦合，用于1.3 m或1.55 m大容量长距离系统，这种系统在国内外都得到最广泛的应用。分布反馈激光器(DFB-LD)主要和G.653或G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模
33、光纤耦合，用于超大容量的新型光纤系统，这是目前光纤通信发展的主要趋势。表表 3.2分布反馈激光器分布反馈激光器(DFB-LD)一般性能一般性能 在实际应用中，通常把光源做成组件，图3.18示出LD组件构成的实例。偏置电流和信号电流经驱动电路作用于LD，LD正向发射的光经隔离器和透镜耦合进入光纤，反向发射的光经PIN光电二极管转换进入光功率监控器，同时利用热敏电阻和冷却元件进行温度监测和自动温度控制(ATC)。3.2光光-检测器检测器 3.2.1光电二极管工作原理光电二极管工作原理 光电二极管(PD)把光信号转换为电信号的功能，是由半导体PN结的光电效应实现的。如3.1节所述，在PN结界面上，由
34、于电子和空穴的扩散运动，形成内部电场。内部电场使电子和空穴产生与扩散运动方向相反的漂移运动，最终使能带发生倾斜，在PN结界面附近形成耗尽层如图3.19(a)。当入射光作用在PN结时，如果光子的能量大于或等于带隙(hfEg)，便发生受激吸收，即价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带形成光生电子-空穴对。在耗尽层，由于内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动，形成漂移电流。在耗尽层两侧是没有电场的中性区，由于热运动，部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层，然后在电场作用下，形成和漂移电流相同方向的扩散电流。漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流。当与P层和N层连接的电路开路时，便在两
35、端产生电动势，这种效应称为光电效应。当连接的电路闭合时，N区过剩的电子通过外部电路流向P区。同样，P区的空穴流向N区，便形成了光生电流。当入射光变化时，光生电流随之作线性变化，从而把光信号转换成电信号。这种由PN结构成，在入射光作用下，由于受激吸收过程产生的电子-空穴对的运动，在闭合电路中形成光生电流的器件，就是简单的光电二极管(PD)。如图3.19(b)所示，光电二极管通常要施加适当的反向偏压，目的是增加耗尽层的宽度，缩小耗尽层两侧中性区的宽度，从而减小光生电流中的扩散分量。由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加
36、载流子漂移的渡越时间，使响应速度减慢。为了解决这一矛盾，就需要改进PN结光电二极管的结构。3.2.2PIN光电二极管光电二极管 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收，因而光电转换效率低，响应速度慢。为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。PIN光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体，用(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示。I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对，因而大幅度提高了光电转换
37、效率。两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。另外，可通过控制耗尽层的宽度w，来改变器件的响应速度。图3.21 PIN光电二极管结构抗反射膜光电极(n)PNE电极 PIN光电二极管具有如下主要特性：(1)量子效率和光谱特性。光电转换效率用量子效率或响应度表示。量子效率的定义为一次光生电子-空穴对和入射光子数的比值 响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 =式中，hf为光子能量，e为电子电荷。量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。假设器件表面反射率为零，P层和N层对量子效率的贡献可以忽略
38、，在工作电压下，I层全部耗尽，那么PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为 图 3.22光电二极管响应度、量子效率 与波长的关系式中，()和w分别为I层的吸收系数和厚度。由式(3.15)可以看到，当()w1时，1，所以为提高量子效率，I层的厚度w要足够大。量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱()，对长波长的限制由式(3.6)确定，即c=hc/Eg。图3.22示出量子效率和响应度的光谱特性，由图可见，Si适用于0.80.9m波段，Ge和InGaAs适用于1.31.6 m波段。响应度一般为0.50.6(A/W)。图3-22 PIN光电二极管相硬度、量子效应率 与波长 的关系10305070
39、90GeInGaAs0.70.91.11.31.51.700.20.40.60.81.0m(W1)Si (2)响应时间和频率特性。光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间或截止频率fc(带宽B)表示。对于数字脉冲调制信号，把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%，或后沿由90%下降到10%的时间，分别定义为脉冲上升时间r和脉冲下降时间f。当光电二极管具有单一时间常数0时，其脉冲前沿和脉冲后沿相同，且接近指数函数exp(t/0)和exp(-t/0)，由此得到脉冲响应时间 =r=f=2.20 (3.16)对于幅度一定，频率为=2f的正弦调制信号，用光生电流I()下降3dB的频率定
40、义为截止频率fc。当光电二极管具有单一时间常数0时，fc=(3.17)PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间d和包括光电二极管在内的检测电路RC常数所确定。当调制频率与渡越时间d的倒数可以相比时，耗尽层(I层)对量子效率()的贡献可以表示为()=(3.18)由()/(0)=得到由渡越时间d限制的截止频率r35.02102/)2/sin()0(ddww21fc=wvs42.042.00 式中，渡越时间d=w/vs，w为耗尽层宽度，vs为载流子渡越速度，比例于电场强度。由式(3.19)和式(3.18)可以看出，减小耗尽层宽度w，可以减小渡越时间d，从而提高截止频率fc
41、，但是同时要降低量子效率。图3.23示出Si-PIN光电二极管的量子效率与由渡越时间限制的截止频率fc(带宽)和耗尽层宽度w的关系。由电路RC时间常数限制的截止频率fc=dtcR21 式中，Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和，Cd为结电容Cj和管壳分布电容的总和。10100100010000100060020010060 40 20 1064200.10.20.30.40.50.60.70.80.91.01.06 mSi-PIN0.950.900.850.800.6328带宽/MHz内量子效率耗尽区宽度 /m400图3.23 内量子效率和带宽的关系WAcj 式中，为材料介电常数，A为结
42、面积，w为耗尽层宽度。(3)噪声。噪声是反映光电二极管特性的一个重要参数，它直接影响光接收机的灵敏度。光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声(Shot Noise)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。噪声通常用均方噪声电流(在1负载上消耗的噪声功率)来描述。均方散粒噪声电流 i2sh=2e(IP+Id)B 式中，e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。式(3.21)第一项2eIPB称为量子噪声，是由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声，它决定光接收机灵敏度的极限。式
43、(3.22)第二项2eIdB是暗电流产生的噪声。暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流，它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关，例如SiPIN，Id100nA。均方热噪声电流 i2T=(3.23)式中，k=1.3810-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效噪声温度，R为等效电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。因此，光电二极管的总均方噪声电流为RKTB4i2=2e(IP+Id)B+RKTB4 3.2.3雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图3.24。随着反向偏压的增
44、加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。根据光电效应，当光入射到PN结时，光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞，使晶格原子电离，产生新的电子-空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图3.25。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。图 3.24 光电二极管输出电流I和反向偏压反向偏压U的关系的关系 反向偏压
45、U光电流暗电流输出光电流I00UB 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图I0NPP(N)光 APD的结构有多种类型，如图3.26示出的N+PP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。1.倍增因子倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用，并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。图3.26 APD结构图电极电极光抗反射膜NP
46、P(P)EPIIg0 显然，APD的响应度比PIN增加了g倍。根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为 nBnBURIUUUIg/)(11)/(100 式中，U为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻。当UUB时，RIo/UB1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为 i2q=2eIPBg2+x (3.26b)式中，x为附加噪声指数。i2d=2eIdBg2+x(3.27)附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关，SiAPD的x=0.30.5，GeAPD的x=0.81.0，InGaAsAPD的x=0.50.7。
47、当式(3.26)和式(3.27)的g=1时，得到的结果和PIN相同。3.2.4光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用 表3.3和表3.4列出半导体光电二极管(PIN和APD)的一般性能。APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。但是采用APD要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路，结果增加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合，一般采用PINPD。SiPIN和APD用于短波长(0.85m)光纤通信系统。InGaAsPIN用于长波长(1.31 m和1.55 m)系统，性能非常稳定，通常把它和使用场效应管(FET)的前置放大器集成在同一
48、基片上，构成FET PIN接收组件，以进一步提高灵敏度，改善器件的性能。这种组件已经得到广泛应用。新近研究的InGaAsAPD的特点是响应速度快，传输速率可达几到十几Gb/s，适用于超高速光纤通信系统。由于GeAPD的暗电流和附加噪声指数较大，很少用于实际通信系统。3.3光光 无无 源源 器器 件件 一个完整的光纤通信系统，除光纤、光源和光检测器外，还需要许多其它光器件，特别是无源器件。这些器件对光纤通信系统的构成、功能的扩展或性能的提高，都是不可缺少的。虽然对各种器件的特性有不同的要求，但是普遍要求插入损耗小、反射损耗大、工作温度范围宽、性能稳定、寿命长、体积小、价格便宜，许多器件还要求便于
49、集成。本节主要介绍无源光器件的类型、原理和主要性能。3.3.1连接器和接头连接器和接头 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件，主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间，或光纤线路与其他光无源器件之间的连接。表3.5给出光纤连接器的一般性能。接头是实现光纤与光纤之间的永久性(固定)连接，主要用于光纤线路的构成，通常在工程现场实施。连接器件是光纤通信领域最基本、应用最广泛的无源器件。连接器有单纤(芯)连接器和多纤(芯)连接器，其特性主要取决于结构设计、加工精度和所用材料。单纤连接器结构有许多种类型，其中精密套管结构设计合理、效果良好，适宜大规模生产，因而得到很广泛的应用。表表
50、 3.5 光纤连接器一般性能光纤连接器一般性能 图3.27示出精密套管结构的连接器简图，包括用于对中的套管、带有微孔的插针和端面的形状(图中画出平面的端面)。光纤固定在插针的微孔内，两支带光纤的插针用套管对中实现连接。要求光纤与微孔、插针与套管精密配合。对低插入损耗的连接器，要求两根光纤之间的横向偏移在1 m以内，轴线倾角小于0.5。普通的FC型连接器，光纤端面为平面。对于高反射损耗的连接器，要求光纤端面为球面或斜面，实现物理接触(PC)型。套管和插针的材料一般可以用铜或不锈钢，但插针材料用ZrO2陶瓷最理想。ZrO2陶瓷机械性能好、耐磨，热膨胀系数和光纤相近，使连接器的寿命(插拔次数)和工作
