1、电力电子技术试题填空电力电子技术试题填空 电子技术包括_信息电子技术_和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电 子技术和数字电子技术就属于前者。 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关_状态。当器 件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。 电力变换通常分为四大类，即 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交 流 、 交流变交流 。 过电压产生的原因 操作过电压 、 雷击过电压 ，可采取 RC 过电压抑制电 路 、 压敏电阻 等措施进行保护。 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体
2、管 IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 、触发脉 冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答 题） 多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 挑选特性参数 尽量一致的器件和采用均流电抗器 。 抑制过电压的方法之一是用 电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻 将其消耗。 在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； RC 过电压抑制电路 /阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 等几种。（写出 2
3、种即可） 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几种。 普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 阳极 A ， 阴极 K 和 门极 G 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触 发电流（脉冲）。或者 UAK 0 且 UGK0 ；关断条件是 使流过晶闸管的阳 极电流降到维持电流以下 。 可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号 是 ，绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符 号是 ； 绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极，以 电力晶体 管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。
4、 有一晶闸管的型号为 KK2009，请说明 KK 快速晶闸管 ； 200 表示表示 额定电流 200A ，9 表示 额定电压 900V 。 一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为 220V，流过晶闸管的电流有效 值 为 15A ， 则 这 个 电 路 中 晶 闸 管 的 额 定 电 压 可 选 为 （ 1.5 2 ） 1.414220 ；晶闸管的额定电流可选 为 （1.52）15/1.57 。 常用的过电流保护措施有电子电路 、快速熔断器 、直流快速熔断器 、 过 电流继电器 。 给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形 成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通
5、。 晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。 由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流 IT等于 1.57 倍 IT（AV）， 如果 IT（AV）=100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管 时还要留出 1.52 倍的裕量。 晶闸管的维持电流 IH是指在 40 度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较 大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。 普通晶闸管内部有 两个 PN 结,，外部有三个电极，分别是 阳极 A 极 阴极 K 极和 门极 G 极。 晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向_电压的同时，门
6、极上加上 触发 电压，晶 闸管就导通。 晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态，正向_导通 状态和反向 阻断 状态。 某半导体器件的型号为 KP507 的，其中 KP 表示该器件的名称为 普通晶闸 管 ，50 表示 额定电流 50A ，7 表示 额定电压 700V 。 只有当阳极电流小于 维持电流 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。 在晶闸管两端并联的 RC 回路是用来防止_关断）过电压 损坏晶闸管的。 GTO 的全称是 门极可关断晶闸管 ，图形符号为 ；GTR 的全称是 大 功率晶体管 ，图形符号为 ；P-MOSFET 的全称是 功率场效应管 ，图 形符号为 ；IGBT 的全称是 绝缘栅双极型晶
7、体管 ，图形符号 为 。 GTO 的关断是靠门极加 负脉冲 出现门极 反向电流 来实现的。 大功率晶体管简称 GTR 。 功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是_电流不够大 和 耐压不够 高 。 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率 最大的是_GTO_，应用最为广泛的是_IGBT_。 _GTR_存在二次击穿现象，_IGBT_ 存在擎住现象。 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是_均压_措施。 同一晶闸管，维持电流 IH与掣住电流 IL在数值大小上有 IL_ _IH。 晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓
8、型 与 平板型 。 选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 1.52 。 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉 冲）。或者 UAK 0 且 UGK0 。 晶闸管的断态不重复峰值电压 UDSM与转折电压 UBO在数值大小上应为，UDSM UBO。 晶闸管的内部结构具有 3 端、 4 层、 3 个 PN 结。 在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是 阳 极。 晶闸管的关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下 。 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作 在 阻断 状态。 晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流
9、 相等 。 根据对触发电路的要求知道，触发电路应由同步环节、 锯齿波形成环节 、脉 冲形成环节、脉冲移相环节和脉冲整形与放大输出环节等组成。 晶闸管的额定电流是用在一定条件下的 通态平均 电流来标定。 为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后， 加一 段时间的 反向 电压。 晶闸管串联时，给每只管子并联相同的 RC 电路是 均压 措施。 选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 1.52 倍，使其有 一定的电压裕量。 当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的正向 触发电流 ，使晶 闸管导通的过程，称为触发。 整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_出现换相重叠角
10、，整流输出电压平均 值降低_ 、_整流电路的工作状态增多_、_使电网电压出现缺口，称为干扰 源_。 晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载_决定。 防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 给负载并联续流二极 管 。 单相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0180或 180 ；三相 半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0150或 150 ；三 相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0120或 120 。 0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由 同步环节 、 锯齿波形成环 节 、 脉冲形成与脉冲移相 及其它环节成。 晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 导通角 。 电阻性负
11、载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFM等于 2 2U （设 U2为相电压有效值）。 三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 /2，同时|Ed| |Ud|。 考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时 导通，对应的电角度称为 换相重叠角 。 在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 180。 在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 30 时，电流连续。 把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 触发角 。 触发脉冲可采取 宽脉冲 触发与 双窄脉冲 触发两种方法，目前采用较多的是 双窄脉冲 触发方法。 三相半波 可控
12、整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。 在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角 大于 30 度 时，输出电 压波形出现负值，因而常加续流二级管。 考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平 均值 降低 。 有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 电网 的逆变电路。 有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压 Ud的极性必须保证 与直流电源电势 Ed的极性成 反向 相连，且满足|Ud|/2，使 Ud 为负值 。（可做简答题） 有源逆变指的是把 直流 能量转变成 交流 能量后送给 电网 的装置。 单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电
13、压为 2 2U 。三相半 波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2 6U 。（电源相电压为 U2） 要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 大于 60 小于 120 的宽脉冲 触发；二是用 脉冲前沿相差 60 的双窄脉冲 触 发。 逆变角 与控制角 之间的关系为 = 。 当电源电压发生瞬时与直流侧电源 顺向串 联，电路中会出现很大的短路电 流流过晶闸管与负载，这称为 逆变失败 或 逆变颠覆 。 为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为 3035 。 斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于 将直流电变为另一直流 电 。 设 DC/DC 变换器的 Boost
14、 电路中，E=10V，=0.7，则 Uo=_10/0.3_。 将直流电源的恒定电压， 通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压 的装置称为 斩波 器。 斩波器的时间比控制方式分为 脉冲宽度调制、频率调制、 混合调制 三种方 式。 由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有 定频调宽 式， 定宽调频 式和 调宽 调频式三种工作方式。 直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有 脉冲宽度调 制 、 频率调制 、 混合调制 三种。 直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 升压 斩波电 路；降压 斩波电路； 升降压 斩波电路。 在下图中，_V1_和_VD1_构成降压斩波电路使直流电
15、动机电动运行；_V2_ 和_VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源， 使电动机作再生制动运行。 在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 0180 ，负载是阻感 性时移相范围是 180。 变频电路从变频过程可分为 交流-交流 变频和 交流-直流-交流 变频两大 类。 在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦 波，输出电流波形为 矩形/方 波。 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源逆 变器与 无源 逆变器两大类。 通常变流电路实现换流的方式有 器件换流 、 电网换流 、 负载换 流 、 强迫换流 四种。 逆变电路分为 有源 逆变电路
16、和 无源 逆变电路两种。 逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源 逆变，如果接到负载，则称为 无源 逆变。 如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示)。 (1) 0t1 时间段内，电流的通路为_VD1_； (2) t1t2 时间段内，电流的通路为_V1_； (3) t2t3 时间段内，电流的通路为_VD2_； (4) t3t4 时间段内，电流的通路为_V2_； (5) t4t5 时间段内，电流的通路为_VD1_； 逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 电压 型逆变器和 电流 型 逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可
17、控整流输出在最靠近逆变桥 侧用 电容 器进行滤波；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输 出在最靠近逆变桥侧是用 电感 滤波。 在电压型逆变器中，输出电压波形为 矩形 波，输出电流波形与 负载阻 抗 有关。 将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接 供给负载 的过程称为无 源逆变。 电压型逆变器其中间直流环节以 电容 贮能。 换流的方式有器件换流、电网换流、 负载换流 和 强迫换流 四种。 换流的方式有_器件换流_、_电网换流_、_负载换流_、_强迫换流_， 全控型器件用_器件换流_方式换流 PWM 波形的生成方法主要有_计算法_和_调制法_两种。 SPWM 脉宽调制型变频电路的基
18、本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有 规律的调制，使输出端得到 一系列幅度相等，脉宽与正弦波幅值成正比的 脉冲列来等效正弦波。 PWM 调制方式有 同步调制 、 异步调制 、 分段同步调制 三种。 PWM 逆变电路的控制方法有 计算法 、 调制法 、 跟踪控制法 三种。 其中调制法又可分为 同步调制 、 异步调制 两种。 在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它为常 数时的调制方式称为_同步_调制。将逆变电路的输出频率范围划分成若干频 段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为恒定的调制方式称为_分段同 步_调制。 面积等效原理指的是，_冲量_相等而_形状_
19、不同的窄脉冲加在具有惯性的 环节上时，其效果基本相同。 载波比(又称频率比)K 是 PWM 主要参数。设正弦调制波的频率为 fr，三角波的 频率为 fc，则载波比表达式为 K= fc / fr 。 为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路 种类很多，但归纳起来可分为 零点压电路/开关 与 零电流电路/开关 两大 类。 为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路 种类很多，但归纳起来可分为 零电压电路 与 零电流电 路 两大类。 软开关电路种类很多，大致可分成 零电压 电路、 零电流 电路两大类。 对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式
20、有 恒压频比控制 、 转 差频率控制 、 矢量控制 、 直接转矩控制 等四种。 电力电子技术选择题电力电子技术选择题 下面哪种功能不属于变流的功能（ C ） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为 825V，则该 晶闸管的额定电压应为（ B ） A、700V B、750V C、800V D、850V 晶闸管内部有（C ）PN 结。 A 一个， B 二个， C 三个， D 四个 晶闸管可控整流电路中的控制角 减小，则输出的电压平均值会（B）。 A 不变， B 增大， C 减小。 晶闸管两端并联一个 RC 电路的作
21、用是（C ）。 A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。 压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。 A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。 A 有效值 B 最大值 C 平均值 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ C）。 A、 GTR B、 MOSFET C、IGBT 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（A ） A、GTR B、 MOSFET C、IGBT。 晶闸管导通的条件是（ A ）。 A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲 B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲 C.阳极加反向电压，门
22、极有正向脉冲 D.阳极加反向电压，门极有负向脉 冲 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ B） du/dt 抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt 抑制电路 D、吸收电路 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ） 减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至 5A 以下 IGBT 是一个复合型的器件，它是（ B ） GTR 驱动的 MOSFET B、MOSFET 驱动的 GTR C、MOSFET 驱动的晶闸管 D、MOSFET 驱动的 GTO 晶闸管稳定导通的条件（ C ） A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎
23、住电流 B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A、全控型器件 B、半控型器件 C、不控型器件 D、触发型 器件 取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等 级后，定为该晶闸管的( D ) A、转折电压 B、反向击穿电压 C、阈值电压 D、额定电压 晶闸管的伏安特性是指( C ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性
24、触发电压，管子都将工作 在( B ) 导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定 在型号 KP1012G 中，数字 10 表示( B ) A、额定电压 10V B、额定电流 10A C、额定电压 1000V D、额定电流 100A 对于同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL在数值大小上有，IL（A）IH A、大于 B、等于 C、小于 D、无关 在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在 （ D ） A、可靠触发区 B、不可靠触发区 C、安全工作区 D、不触发区 功率晶体管的安全工作区由以下 4 条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电 压，集电极最大允许直流功率线，集
25、电极最大允许电流线和_ D _ A、基极最大允许直流功率线 B、基极最大允许电压线 C、临界饱和线 D、二次击穿功率线 若晶闸管电流有效值是 157A，则其额定电流为 （ B ） A、157A B、100A C、80A D、246.5A 下列全控器件中，属于电流控制型的器件是 （ B C ），属于电压控制型的 器件是 （ A D ） A、P-MOSFET B、GTO C、GTR D、IGBT 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(B ) A. 2 2 2 U B. 2 2U C. 2 22U D. 2 6U 在下列可控整流电路中，不能实现有源逆变的是 （ C ） A、单相
26、全控桥整流电路 B、单相全波整流电路 C、单相半控桥整流电路 D、三相全控桥整流电路 带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压 Ud为（ B ） A、Ud=0 B、Ud=E C、Ud=E/2 D、Ud= E 三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角 =0 时，输出的负载电压平均 值为 D 。 A、0.45U2； B、0.9U2； C、1.17U2； D、 2.34U2； 三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角 的有效移相范围 是 A 度。 A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90- 150； 三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角 的大小与哪几个参数有 关
27、 A 。 A、Id、 XL、U2； B、Id； C、U2； D、U2、XL； 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是_ D _ A、增加晶闸管的导电能力 B、抑制温漂 C、增加输出电压的稳定性 D、防止失控现象的产生 单 相 全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为 ( B ) A、U2 B、U2 C、2U2 D.、U2 三相桥式全控整流电路，大电感负载，当 （C ）时整流平均电压 Ud=0。 A、30 0 B、600 C、900 D、1200 在三相桥式不控整流电路中，整流输出电压的平均值为( A ) A、 22 U34. 2U 63 或 B、 22
28、U17. 1U 2 63 或 C、 22 U56. 1U 62 或 D、 22 U78. 0U 6 或 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最大移相范围是( D ) A、90 B、120 C、150 D、180 电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为 U2，当控制角 30 时，整流输出电压平均值等于( A ) A、1.17U2cos B、1.17U2sin C、1.41U2cos D、1.41U2sin 在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（D） A、60 B、180 C、120 D、90 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角 与哪几个参数有关( A )
29、 A、U2、负载电流 Id以及变压器漏抗 XB B、 和 U2 C、 以及负载电流 Id D、 和变压器漏抗 XB 单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 ( A ) A、 2 U2 2 1 B、 2 U2 C、 2 U22 D、 2 U6 单相桥式全控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流 IT( C ) A、I B、0.5I C、( 2)*I D、(2)*I 三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（C）。 A、0180 0 B、01500 C、01200 D、0900 单相全控桥式整流电路带阻感负载，控制角为 a，则输出电压的平均值为( B )
30、 A、Ud=1.17U2cosa B、Ud=0.9U2cosa C、Ud=-2.34U2cosa D、Ud=0.45U2cosa 有源逆变产生的条件是触发角 a 要满足( D ) A、 3 B、 2 C、 4 D 、 2 为了防止逆变失败，最小逆变角限制为( C )。 A、10 0150 B、200250 C、300350 D、400450 三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A.交流相电压的过零点 B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前 30 D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后 60 下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。 A.
31、三相半波可控整流电路 B.三相桥式全控整流电路 C.单相桥式全控整流电路 D.单相全波可控整流电路外接续流二极管 单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角 的最大移相范围是 0 （ D ）。 A.90 B.120 C.150 D.180 单相桥式整流电路，电阻性负载，控制角 为（ D ）时，整流输出电压为 0。 A.0 B.90 C.120 D.180 三相全控桥式整流电路，控制角 为（ A ）时，整流输出电压为最大值。 A.0 B.90 C.120 D.180 单相半波整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向峰值电压约为（ A ）。 A. 2U2 B. 3U2 C.6U2 D. 2.34U2 三相
32、半波可控整流电路，电阻性负载，控制角 30，每个周期内输出电压 的平均值为（ C ）。 Ud=0.45U2COS B.Ud=0.92COS C.Ud=1.172COS D.Ud=2.342COS 三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压约为（ C ）。 A. 2U2 B. 3U2 C.6U2 D. 2.34U2 三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（ D ） 次。 A.2 B.3 C.4 D.6 三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ C ）。 A.60 B.90 C.120 D.180 单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角 的最大变化范围是 0(
33、D) A.90 B.120 C.150 D.180 三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角 的最大变化范围是 0( C ) A.90 B.120 C.150 D.180 三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角 的最大移相范围是 0(B ) A.90 B.120 C.150 D.180 三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的 自然换向点( B ) A.超前 30 B.滞后 30 C.超前 60 D.滞后 60 单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角 30 0，每个周期内输出电压的 平均值为( B ) Ud=0.45U2cos B.Ud=0.92cos C.Ud=1
34、.172cos D.Ud=2.342cos 三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角 30，负载电流连续，整流 输出电流的平均值为 Id，流过每只晶闸管的平均值电流为( B ) A.Id/2 B.Id/3 C.2Id/3 D.Id 单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角 为( D ) A.13 B.1015 C.2025 D.3035 三相全控桥式整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动( D )次。 A.2 B.3 C.4 D.6 有源逆变电路是( B ) A.AC/DC 变换器 B.DC/AC 变换器 C.AC/AC 变换器 D.DC/DC 变换器 0200003.PWM 脉宽调制技术用于
35、( B ) A.有源逆变器 B.无源逆变器 C.脉冲触发器 D.脉冲移相器 KC04 型集成触发电路引角 1 和 15 输出两个互差 180的触发脉冲，经过放大隔 离后，可驱动三相全控桥_的两只晶闸管。( A ) A.同一桥臂 B.不同桥臂 C.共阴组 D.共阳组 下列不可以实现逆变的电路是（B）式晶闸管电路。 A 单相全波， B 三相半控桥， C 三相全控桥 变流器必须工作在 （A）区域，才能进行逆变。 A 90， B 0， C 90， D 0。 为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（D）。 A 5， B 15， C 20， D 30。 普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（B）晶
36、闸管。 A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。 三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。 A 三只， B 六只， C 九只。 双向晶闸管外部有（C）电极。 A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。 0时，单相半波可控整流电路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流 前交流电压有效值的（C ）倍。 A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9. 0时，单相桥式可控整流电路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流 前交流电压有效值的（ D）倍。 A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9. 晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。 A 电阻性， B
37、 电感性， C 反电动势。 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最大移相范围是 ( D ) A、0-90 B、0-120 C、0-150 D、0-180 在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差 A 度。 A 、180 度； B、60 度； C、360 度； D、120 度； 可实现有源逆变的电路为 A 。 A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角 min选 A 时系统工作才可靠。 A、30 0350 B、100150 C、00100 D、00 = B 度时，三相
38、全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处 于连续和断续的临界状态。 A、0 度； B、60 度； C、30 度； D、120 度； 变流器工作在逆变状态时，控制角 必须在 D 度。 A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90-150； 三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲， 的移相范围 C 。 A、0-60； B、0-90； C、0-120； D、0-150； 三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角 的大小与哪几个参数有关 A 。 A、Id、 XL、U2； B、Id； C、U2； D、U2、 XL； 在单相桥式全控整流电路中，大电感
39、负载时，控制角 的有效移相范围是 A。 A、090 B、0180 C、90180 三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角 =0 时，输出的负载电压平均 值为 D 。 A、0.45U2； B、0.9U2； C、1.17U2； D、2.34U2； 三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角 的有效移相范围是 A 度。 A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90-150； 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。 A、180， B、60， c、360， D、120 为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形， 处于连续和断续的临界状态。
40、A，0 度， B，60 度， C，30 度， D，120 度， 晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移 相控制的目的。 A同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 可实现有源逆变的电路为 A 。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 在一般可逆电路中，最小逆变角 min 选在下面那一种范围合理 A 。 A、30-35， B、10-15， C、0-10， D、0。 在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选 B 为最好。 A、=90180， B、=3590， C、=090， 晶闸管整流
41、装置在换相时刻（例如：从 U 相换到 V 相时）的输出电压等于 C 。 A、U 相换相时刻电压 uU， B、V 相换相时刻电压 uV， C、等于 uU+uV的一半即： 三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲 间距相隔角度符合要求。请选择 B 。 2 vU uu 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。 A、180 B、60 C、360 D、120 为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于 连续和断续的临界状态。 A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度， 晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产
42、生相位移动，达 到移相控制的目的。 A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能 可实现有源逆变的电路为 A 。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路。 在一般可逆电路中，最小逆变角 min 选在下面那一种范围合理 A 。 A、30-35 B、10-15 C、0-10 D、0。 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最大移相范围是_D_ A、90 B、120 C、150 D、180 三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
43、 C、比三相不控整流电路的自然换相点超前 30； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后 60。 电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D） A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（ D ） A.U2 B. 2U2 C.22U2 D. 6U2 晶闸管电流的波形系数定义为( B ) A. B. C. Kf =IdTIT D.Kf =IdT-IT 三相半波带电阻性负载时， 为 C 度时，可控整流输出的电压波形处于 连续和断续的临界状态。 A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度。 在晶闸管触发电路中
44、，改变_B_的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控 制的目的。 A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比 直流斩波电路是一种_ C _变换电路。 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 定宽调频是斩波器的一种( A ) A 、 时 间 比 控 制 方 式 B 、 瞬 时 值 控 制 C、移相控制方式 D、模糊控制 直波斩波电路是一种( C )变换电路 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V，导通比 4 3 ，则负载电压 U0=( B ) A、64V B、12V C、21V
45、D、4V 降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V，负载电压 Uo=12V，斩波周期 T=4ms， 则开通时 Ton=（ C ） A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 对于单相交流调压电路的波形如下图所示，那么晶闸管的触发角与电路的功率 因素角之间是（ C ） A、触发角大于功率因素角 B、触发角等于功率因素角 C、触发角小于功率因素角 D、二者没有什么关系 一般认为交交变频输出的上限频率_D_ A、与电网有相同的频率 B、高于电网频率 C、可达电网频率的 80% D、约为电网频率的 1/21/3 对于单相交流调压电路，下面说法正确的是（ A ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电 路才能正常工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，两只晶闸管的导通角均为 180 度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，两只晶闸管的导
