1、工作任务工作任务任务五任务五硅芯的腐蚀及切槽项目一：原、辅料的制取项目一：原、辅料的制取 应知职业知识应会职业技能1、切割法制备硅芯的方法2、硅芯炉制备硅芯的方法3、硅芯腐蚀液的配制4、硅芯腐蚀的操作学习目标学习目标1、硅芯制备的工作原理2、硅芯制备的工艺流程3、对硅芯的质量要求4、制备硅芯的设备及操作方法5、制备硅芯的技术问题6、硅芯腐蚀的原理7、硅芯腐蚀的工艺流程8、硅芯腐蚀的主要设备及作用9、硅芯腐蚀的操作要点10、硅芯腐蚀的质量控制与安全控制 在三氯氢硅的氢还原过程中，是让还原出来的纯硅沉积到一发热载体上结晶成多晶硅，该发热载体可以是高纯度高熔点而且在高温下扩散系数很低的金属，如钼丝、
2、钽管、钨丝.等，也可以是用纯硅材料控制出的硅芯。这两类发热载体在多晶硅制备工艺中都有应用，但各有优缺点。目前我国制备多晶硅最常用的发热载体是硅芯。硅芯的制备硅芯的制备 硅芯金属芯优点1.对还原生长的多晶硅不沾物，易获得高纯度多晶硅2.不存在剥离发热体芯，多晶硅的损耗水实收率高。1.还原电器控制相对简便2.低压启动易操作缺点1.还原电器设备较复杂。2.高压启动控制难度大。1.在高温下对多晶硅有沾污影响质量。2.去除金属芯时硅耗损量达1525%。3.消耗大量贵金属材料。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 硅芯制备的方法硅芯制备的方法 1、吸管法：最早制硅芯是用薄壁且直径均匀的细长石英管
3、，利用对管控制真空的办法，将熔硅吸入管内，冷却后除去石英管，便获得硅芯，此法存在石英对硅芯有污染。2、切割法：将高纯多晶硅粗棒用切割机切成方形如55mm的细条，将其腐蚀清洗干净后，根据需要在区熔炉中熔接成所需长度的硅芯，这种方法有切割效率底、多晶硅耗损量大，熔接复杂等缺点。3、基座法：此法是在炉内也可以是外热式，用高频、应熔化多晶硅棒结晶种，边熔化边拉晶，自下而上拉控制出直径约56mm和所需长度 细硅芯，用这种方法控制硅芯，以多晶硅棒为熔体的基座，托住熔体，不与任何物质接触，无污染，可制备出高质量的硅芯。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 采用基座法。将一定直径，一定长度的多晶棒表
4、面腐蚀清洗好后，装入硅芯炉内作基座，对硅芯炉抽空到一定真空度，充H2或Ar到一定压力，重复一次抽空和充气，在氢气或氩气氛围下，通过高频感应加热使硅棒局部熔化，然后与上轴的“籽晶”充分熔接，并以一定的速度向上提，拉成所需直径、长度的细硅棒，且外表均匀的直径为5-6mm的硅棒即硅芯。工艺原理工艺原理任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 工艺流程工艺流程 拉制好的硅芯经检测质量合格后，根据检测数据对硅芯进行选配，再进行腐蚀清洗烘干就可作为沉积硅的载体了。切料水洗腐蚀清洗烘干装炉拉制出炉检测腐蚀任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 主要设备及其作用主要设备及其作用 1、高频炉：38
5、0V交流电，经硅堆转化成直流电，再经高频振荡管转化成高频交流电，最后经耦合线圈对籽晶和多晶棒进行加热。2、硅芯炉：由基座及炉筒构成。炉筒有窥视孔，外接充H2或Ar管道及抽空管道，在一定的加热功率和一定的提拉速度下完成硅芯的拉制。在拉制的过程中炉内为一封闭的热场，内充H2或Ar作保护气。3、抽空机械泵：对炉膛进行抽空，以避免炉内有空气，当真空到达一定值时，才充H2或Ar作保护气。4、稳压器：稳定工作电压，避免加热功率波动，进而造成硅棒熔区的波动。5、循环水泵：为硅芯炉提供适当压力的冷却水。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 工作要点工作要点 1 1、工作线圈的清洗、安装、工作线圈的清
6、洗、安装 加工好的线圈先用磨砂打磨，去除表面毛刺和不圆滑处，然后用CCl4去油、用稀HNO3腐蚀清洗干净至表面光滑无黑斑即可。安装线圈时，注意线圈与下轴同心。接通冷却水，观察是否有浸水现象。抽空能否在短时间内抽到所规定的真空度。装炉使用的工具如镊子、钳子、夹子等，使用前需用CCl4去油，再用优质无水乙醇擦净，放入专用手操箱内，每次用前用滤纸擦净。装炉用的手套应定期清洗，用后放入手操箱内。卡头、卡座使用前需去油处理，然后放入规定的地方待用。以防止沾污硅芯料。2 2、装炉、装炉 装炉前先检查设备是否正常，若正常则可装炉。用洁净的专用的镊子将籽晶和硅棒分别装入上、下不锈钢卡座，并将硅料与加热线圈对中
7、，将籽晶装在籽晶杆上。关上炉盖，下降籽晶杆使籽晶根部离线圈上平面1015mm处。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 工作要点工作要点 3 3、抽真空、充、抽真空、充H2或或Ar、熔接、熔接 关闭排气阀，合上机械泵电源抽空，当真空度达到规定值时停机械泵，开H2或Ar阀充H2或Ar到一定压力，反复两次，以赶尽炉内空气，确保炉内密封性好。再充入H2或Ar关闭H2或Ar阀门，便可进行硅芯熔接了。在硅芯熔接的时候，先对高频灯丝预热一定时间再送高压，逐渐增加高频输出功率，使铜丝发红。当籽晶红后，升起籽杆，将籽晶末段熔成一个小熔球，用手轮将下轴向上升起，使硅棒顶端略低于加热线圈，将籽晶下端的熔球
8、滴在硅棒顶端平面上，待硅棒发红，顶端逐渐熔透，形成熔区与籽晶熔接好，建立新熔区。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 4、拉制硅芯、拉制硅芯 当硅棒与籽晶熔接好后，将功率降至拉硅芯所需的功率，开动“下轴升”，调好速度后，开动“晶杆升”将籽晶从熔液中上拉，拉速由慢逐渐增快，最后达到预定拉速，是熔区保持一定的形状以保证硅芯的正常拉制。当熔区出现结晶时，；应立即停“下轴升”和“晶杆升”，将硅棒下降，略升高功率使结晶熔化，停炉重新装炉。当熔区垮掉了，应立即停“下轴升”和“晶杆升”，停炉重新装炉。当硅芯拉制到预定长度时，降低拉速，拉一个大头。然后，停“下轴升”并快速降下轴，使熔区断开，降功率到
9、零。停高压，使熔区凝固，停“籽晶升”，提起硅芯使硅芯末端略高于炉膛。工作要点工作要点 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 原辅材料：H2或Ar为纯气 多晶硅棒：三级品以上 硅棒直径：2730mm 氢氟酸为优级纯 浓硝酸为优级纯 产品质量：电阻率要求均匀；直径弯曲度达到规定值质量控制质量控制任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 5、停炉 抽真空到规定值后放空，提起炉盖，移转炉盖，下降晶杆，取出硅芯。6、常见事故的处理 （1）、突然停电：立刻将在拉制过程中的硅芯提断，快速下降硅棒，高压、杆升、晶升电器调节回零，按停炉处理。（2）、突然停水：快速断高压，电器回零，提断拉制中的硅
10、芯按停炉处理。工作要点工作要点 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 1、型号：要求每根硅芯属同一导电类型。2、电阻率：硅芯的电阻率要求均匀，纵向电阻率不均匀度不大于100。N型电阻率范围大体分三档：低阻：电阻率为10-210-1，36，1030cm。中阻：电阻率为4060，100300cm。高阻：电阻率为5001000，10003000cm。3、直径：硅芯的直径要求56mm，直径不均匀度应小于10%。4、长度：根据多晶硅生产的需要而定。硅芯的质量要求硅芯的质量要求 210210任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 制备硅芯的设备分外热式和内热式两类，但加热方式都是用高频，
11、应加热，其加热线圈结构如图所示 制备硅芯的设备制备硅芯的设备 342244466任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 （一）、LG-1300型基座硅芯炉 上轴是由提拉钢丝连接拉制机构（如籽晶夹等），沿着固定在不锈钢筒里面的四根导向拄进升升降，拉晶相对平稳。下轴不升降，可转动，其转动速度为235r/min。电极筒升降：（即加热用高频感应线圈可升降）上升只有快档，下降则分快速、慢速两档，正常拉晶用慢档。真空度可达0.01340.0067Pa。高频炉：功率为10KW，频率为2.3MHz，该硅芯炉为小真空室、内热式、真空保护气氢两用设备，结构简单造价成本低。内热式硅芯炉内热式硅芯炉 任务五任
12、务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 （二）、GX1100型硅芯炉 上轴采用柔性不锈钢丝，有传动卷筒带动，沿着两根不锈钢丝导向柱升降，轴端附加更换上夹头机构，可连续控制5根硅芯。上轴不转动，可升降，其升降速度为230mm/min。下轴行程约400mm，可转动，其转动速度为233r/min，下轴可升降，其升降速度为0.23mm/min。加热用高频感应线圈的电极由炉体左后侧引入，距离炉底约350mm左右，固定不移动。高频炉功率为20KW，频率为3.6MHz。该设备为大真空室，马蹄形，炉体沉浸式水冷，内热式硅芯炉真空达0.0067Pa，可在真空或保护气氢下控制硅芯。内热式硅芯炉内热式硅芯炉 任务五
13、任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 硅芯炉硅芯炉任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 1、将直径2530mm的多晶硅棒切成一定长度的基座硅棒（一般为350mm左右），取硅芯籽晶长约40mm经HNO3+HF混合液（51）腐蚀、清洗、烘干待用。2、在专用装料手套箱中，用清洁的滤纸或专用摄子取籽晶和基座硅棒分别装入各自用光谱纯石墨制作的夹头中，装正旋紧，根据需要还可对基座硅棒实施掺杂，掺杂方法一般采用掺杂剂涂抹法。3、打开炉门，用脱脂砂布沾分析纯的苯或乙醇擦净膛内壁窥视孔和加热线圈。制备硅芯的操作方法制备硅芯的操作方法 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 4、将装有籽晶和
14、硅棒的上下夹头分别装在上轴端及转盘夹头孔中和下轴基座上。操作传动机构使上轴与转盘上轴与感应线圈，基座硅棒与感应线圈对中，既让它们在同一轴线上。然后降上轴让夹头置于接近线圈的预热位置。5、关闭炉门和放气阀，打开低真空阀由机械泵对炉体抽真空，同时开启水冷系统，并预热高频炉震荡管灯丝和油扩散泵，当低真空达到22.66Pa以上时，关闭低真空阀，打开高真空阀门。让油扩散泵继续抽真空达0.0134Pa以上。若选择用保护气氢（如Ar、H2）拉晶，则不必抽高真空，可在抽低真空达到22.66Pa后，关闭低真空阀，打开通气管道阀门和炉体进气阀门，对炉内充保护气体，当达到正压时再放气，反复两次赶走炉内空气后再充保护
15、气体达到2660Pa左右，则关进气阀。制备硅芯的操作方法制备硅芯的操作方法 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 6、对高频炉送高压，并调节输出功率预热上夹头，待籽晶被加热到红热状态时，升起上轴让籽晶末端熔成一小熔球。7、升下轴置基座硅棒的顶端与线圈下23mm处。降上轴使小熔球与硅棒顶端接触，利用籽晶端的小熔球预热基座硅棒，直至硅棒达到红热状态，缓慢增加高频炉输出功率，使硅棒顶端熔透，把籽晶和基座硅熔接在一起，待熔区平稳后，进行拉制硅芯。8、调节高频炉输出功率，使基座硅顶端的熔区保持在拉硅芯温度（既晶体正常生长温度）如果温度过低，会使熔区出现新的结晶中心而很快凝固；温度过高，熔区会出
16、现流垮现象。制备硅芯的操作方法制备硅芯的操作方法 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 9、开动传动机构，调节上轴提升速度，使籽晶从熔区中向上引出的硅芯，按要求的直径（56mm）拉出，拉速由慢逐渐增快，达到预定拉速（1520mm/min）。同时按预定比例的速度让下轴同步上升，不断供给硅料以保持熔区体积不变。上下轴的速度比例计算公式 如：式中 为上轴拉速，单位（mm/min）为下轴升速，单位（mm/min）为硅芯直径 单位（mm）为硅基座直径 单位（mm）认真仔细地调节高频炉输出功率和拉硅芯及供料（下轴升）速度是控制直而均匀的细硅芯的夹链。212221VV制备硅芯的操作方法制备硅芯的操
17、作方法 2221/aa1V2V21任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 10、拉“大头”，当控制硅芯达到预定长度时，需留一个大头，以便切凹槽，方便还原工艺中搭“”字形状热体结构。拉大头的方法是当拉硅芯到末端时迅速将拉速由20mm/min降至45mm/min，并适当降低加热功率，使硅芯逐渐张粗成所谓“大头”大头直径约10mm左右，然后把硅芯与基座硅料分离即可拉晶。若可连续拉多根硅芯，此时需向上轴传动机构，降低高频炉输出功率，操作上、下轴手轮使硅芯与熔区分离，此时基座硅仍保持一定熔区域成暗红状态。11、操作更换夹头机构，将已拉出的硅芯折放在转盘的挂槽内，又通过更换机构夹住转盘上第一个夹头
18、孔中的上夹头，使转盘与上轴对中后，下降上轴夹头，重复预热籽晶，开始第二根硅芯的拉制操作，依次到拉完预计拉制的所有硅芯后，停炉，停水。12、停高频炉电源5min后，关闭真空阀门，放气入炉，（若用保护气氢拉晶则需开机械泵抽空5min后在关真空阀在放气入炉）拆炉取出硅芯。制备硅芯的操作方法制备硅芯的操作方法 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 1、避免“糖葫芦”提高硅芯直径的均匀性。分析“糖葫芦”的产生原因，主要是由于拉硅芯过程中，熔体温度和拉速控制不当造成的。如拉硅芯时熔体温度过高，硅芯生长会变细，而当硅芯细到一定程度时由于高频感应线圈对硅芯的电磁感应作用变弱（硅芯离磁力线密集区远），
19、使硅芯温度急剧下降，于是硅芯就会自动自动变粗，而当硅芯长粗到一定程度后硅芯受电磁感应作用又增强了，硅芯温度又突然升高又使生长的硅芯变的更细如此循环，拉制出的硅芯就类似糖葫芦状的粗细周期性变换着。消除“糖葫芦”的方法：（1）、硅料熔透后需降低温度，在适当的过冷状态下拉制硅芯。（2）、拉速由慢到正常拉速，应缓慢上升。（3）、选择适当的供料速度，确保熔体体积不变，并保持熔区适当饱满。若万一操作不当，出现“糖葫芦”现象，应适当调节熔区温度和拉速逐渐消除，一般以调拉速为主，以调温度为辅，二着密切配合，效果较好。制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中的几个技术问题 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐
20、蚀 2、避免熔区流垮事故：分析熔区流垮原因，一般是熔化或拉硅芯时温度过高或供料速度过快或基座硅料中有氧化夹层，熔料时产生硅跳等。为避免熔区流垮则注意如下几点：（1）、熔接籽晶时，应根据基座硅料的粗细选择适当的熔透功率，升温不可过急。（2）、注意熔区在感应线圈中的位置，不能让熔区过高。（3）、如果拉晶时，熔体温度过高，在正常拉速下硅芯会变细，当发现此现象应立即降熔体温度，使之恢复正常；若因供料速度太快产生熔区过于饱和时操作者应根据硅芯直径变化尽快减慢下轴升速。（4）、选择无氧化夹层的多晶硅棒做原料。（5）、视高频炉输出功率大小及适应线圈形状尺寸选择基座原料直径。制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中
21、的几个技术问题 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中的几个技术问题 3、避免结晶 在控制硅芯过程中，当熔区表面刚出现结晶时，应适当升高加热功率，结晶核便很快消失，此时可继续拉硅芯。而当熔区温度降低、供料速度过快，使硅料未熔透造成的结晶，此时熔区很快而结晶，处理这种结晶必须立即停拉速和下拉升速，并升加热功率，待熔体熔透后方可继续拉晶。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中的几个技术问题 4、避免硅芯中出现P-N结或混合型。分析硅芯中产生P-N结的原因，这种现象一般出现在用真空室拉制N型硅芯的情况，如熔区温度
22、过高，拉速过慢，熔体长时间停留在真空室内，引起施主铃杂质大量挥发，直此尽，而硅中受主杂质硼的挥发系数小，故使后生长的硅芯出现反型，为避免硅芯中P-N结产生。（1）、在真空下拉制N型硅芯，在给原料掺杂时，应考虑增加铃挥发值。（2）、籽晶与硅料熔接时间不宜过长，以减少铃杂质挥发。（3）、采用含铃较均匀的低阻籽晶拉N型硅芯，相当于给硅料掺杂。一般情况下拉硅芯用籽晶按型号电阻率分类，拉低阻硅芯用低阻籽晶；拉高阻硅芯用高阻籽晶，决不能用P型籽晶拉N型硅芯。（4）、采用保护气氢（如Ar、H2）下拉硅芯工艺，可以减少铃杂质挥发。任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 5、硅芯中的孔洞问题 硅芯中的孔
23、洞来源于多晶硅中氧化夹层引起熔硅跳而形成，实验证明，用孔洞的多晶硅料反复拉制硅芯，硅芯中孔洞的直径愈来愈大、孔洞数也愈来愈大。因此克服硅芯孔洞选择好原料是关键，一般对拉制硅芯原料要求：多晶硅基硼含量0.2ppb即P型电阻率大于1400cm。多晶硅无氧化夹层，无孔洞。制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中的几个技术问题 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 6、芯的氧含量 为确保多晶硅和单晶硅的质量，硅芯中氧含量越低越好。故而选择高真空条件（0.0067Pa）下拉制硅芯。拉完硅芯需停炉5min方可打开炉门，若开门过早硅芯大头尚未冷却，一但接触空气则其硅芯氧含量要高出半个数量级。7、合理备料
24、 根据控制一根直径为d mm长为h mm硅芯的重量应等于消耗基座硅棒（直径为D mm长为h mm）重量，推算出如下公式：即 按此公式计算备料，有利于原材料充分利用，减少浪费。制备硅芯中的几个技术问题制备硅芯中的几个技术问题 hDdH22任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 硅芯控制中存在的危险源有：高压电、熔硅的强光等造成人身伤害，因此在操作中应注意：1、开炉前或接班时应检查电、水、机械设备等是否正常。2、开炉时先通水，后通电、并经常检查冷却水流畅情况，停炉时则先停电后停水。3、拉、喝电闸时不要面对电闸，以防电闸打火伤人。4、装炉前首先检查高频炉是否停高压。5、如果停炉时时间长、准备
25、开炉前手摇机械泵皮带轮转动几圈以防打滑。6、高频炉防护盖板必须盖好。7、观察炉内熔硅情况时，使用滤光镜片。安全生产安全生产 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 一、硅芯化学腐蚀原理一、硅芯化学腐蚀原理 硅芯的腐蚀目前广泛用浓硝酸和氢氟酸的混合液，HNO3和HF的体积比为51。在HNO3和HF混合腐蚀液中，由于有HF的存在，使硅芯表面的SiO2保护膜被破坏了，所以都不断地被HF溶解，因此HNO3和HF混合液对硅芯能进行有效地腐蚀。其反应为：4HNO3 Si 6HF=H2SiF6 4H2O 4NO2硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 二、工艺流程二、工艺流
26、程 拉制好的硅芯送检后，根据检测数据，按型号、电阻率范围及均匀度进行选配成对，每根硅芯选好后截取一定长度称重、登记，再将每根硅芯大头切槽用自来水冲洗干净，分别用无水乙醇、CCl4擦洗去掉硅芯表面油污，然后用HNO3和HF混合腐蚀后，再用纯水煮至中性，最后进入烘箱烘干备用。硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 三、主要设备及其作用三、主要设备及其作用 切割机：用于硅芯切槽、磨尖 风机：抽排腐蚀产生的尾气 碱泵：抽碱液到碱洗塔 真空泵：烘箱抽空 烘箱：烘干硅芯 腐蚀槽：腐蚀硅芯 不锈钢舟：硅芯在此用纯水煮至中性硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与
27、腐蚀 四、操作要点四、操作要点1、配制碱液，加固碱至规定量。2、配置腐蚀液：氢氟酸浓硝酸15。3、按硅芯型号、直径、均匀度、电阻率、长度进行选配，并作好记录。同一组或同一对硅芯要求型号、直径、均匀度、电阻率大致接近，硅芯弯曲方向能相互匹配。4、根据硅芯弯度方向、大头与硅芯搭配情况后，切槽。切槽时，沿硅芯长度与砂轮成一定角度方向切。切槽质量要求：硅芯弯向和所切槽沟在同一个平面上，槽沟前后深度、宽度保持一致，槽沟两边的托瓣大小，厚薄基本相同，与硅芯连接牢固。切槽后的硅芯用自来水冲洗干净。5、硅芯腐蚀（1）分别用四氯化碳和无水乙醇擦拭硅芯表面，去掉杂质和油污后放入腐蚀槽。（2）倒入配好的腐蚀液，使之
28、淹过硅芯表面，用四氟筷子不断拨动硅芯，待有大量棕色气体冒出后，再不断搅动一会，随即用大量纯水冲洗酸液(硅芯不得露出水面)冲至接近中性。（3）将硅芯从腐蚀槽中取出，放入石英舟内，倒入纯水淹过硅芯表面，合上电源加热，边煮边倒入去离子水冲至水溶液呈中性为止。（4）用专用镊子将硅芯取出放入烘箱内烘干。硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 五、质量控制五、质量控制 腐蚀好的硅芯，要求表面无杂质、油污和氧化物，并且表面光亮，无其它色泽。因此需要对以下原辅材料及生产技术条件进行控制。氢氟酸：符合GB/T260-93 （40%）浓硝酸：优级纯（或分析纯）HNO3（65%-68%）无
29、水乙醇：分析纯99.5%四氯化碳：分析纯 硅芯：N型电阻率、不掺杂的混合型、或P型的电阻率达到要求。长度达规定，直径达所需。纯水：电阻率达到要求。腐蚀液：氢氟酸：浓硝酸15。（体积比）水煮沸次数：以煮至中性为准 硅芯烘箱：保障抽真空时间,真空度到规定值。硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀 六、安全控制六、安全控制 在硅芯腐蚀过程中主要存在以下危险源：硝酸、氢氟酸腐蚀伤人 NaOH腐蚀伤人 切硅芯时，切割机伤人 氮氧化物气体泄漏。所以在腐蚀过程中应对以上危险源进行控制，主要采取以下措施：上班前按规定穿戴好劳动保护用品,在使用酸碱时要戴好口罩,眼镜和耐酸手套,尽量在通风处操作，若酸碱液溅在脸上，手上立即用水冲洗，使用酸手套前要检查是否完好。腐蚀操作前检查碱洗池液位、碱液：pH值是否在规定值内，风机是否运转正常。切槽房间内光线应充足，严格按切割机操作规程操作。硅芯腐蚀硅芯腐蚀 任务五任务五 硅芯的切槽与腐蚀硅芯的切槽与腐蚀
