1、 IC发展趋势 集成度 硅片面积 I/O数目 增加芯片/封装比例阵列封装节距微型化3D封装系统级封装）边缘引线底部引线（阵列/非阵列）SOIC(SOP)双列引线QFP四周引线PGA针栅阵列BGA球栅阵列CGA柱栅阵列底部引线QFNCOB板上芯片TAB载带自动连接1、IC(电子电子)封装发展封装发展 外特性外特性硅片（裸芯片）封装前缀 主要封装材料 陶瓷 C 窄间距 T 塑料 P 微型 硅片直接安装在PCB上SOCSIP边缘引脚形状形状 L 针、球、柱针、球、柱 J引脚数目引脚数目 SOP 40 BGA100-2500 QFP 250pith 1.270.3 1.270.5面积（相同引线数）面积
2、（相同引线数） 1 0.25 底部引线电子封装技术发展电子封装技术发展电子封装技术发展电子封装技术发展CSP芯片/封装面积比例DIP 15 CSP 7580HighestThinnestLargest die and thickest bondlineNarrowest电子封装技术发展电子封装技术发展WLP(WLCSP)WLP(WLCSP) 芯片/封装比例达到 100Wafer Level Package裸芯片焊球CSP 80电子封装技术发展2DMCM电子封装技术发展电子封装技术发展MCM MCM 小型化的极限 集成无源元件 SMC/PCB复合技术微型化SOC/SIPIC技术发展技术发展SOC
3、 (SYSTEM ON CHIP)芯片（有源元件 +无源元件） 系统优点：小、性价比高缺点：周期长，成本ICIC封装技术发展封装技术发展（System in Package）芯片（2D、3D）+无源元件 系统封装优缺点：与SOC比Sn-CuSn-AgSAgCuBiZnHigh strengthLow melting pointLower melting pointLow costSn-Ag-CuSn-Zn-BiSn-Ag-Bi (-Cu)Sn-BiMp 1083Mp 420Mp 961Mp 271Mp 232Sn-CuSn-ZnMelting pointAg1 Sn/PbNO PbWAVE SOLDERING WITH SN100C技术发展无止境 求实创新是前程谢谢大家
