1、sLRRW氧化膜pnnP型扩散层（电阻）基区扩散电阻VCCLw氧化膜pN+平板型电容铝电极N-epi隔离槽N叠式结构电容叠式结构电容氧化膜氧化膜电容极板电容极板nBECpn+n-epin+P-SiP+P+S发射区发射区(N+型型)基区基区(P型型)集电区集电区(N型外延层型外延层)衬底衬底(P型型)n+-BLnpnBECCBENPNBECSisourcedrain上层的氮化物金属连接的源极金属连接的栅极漏极金属连接多晶硅栅极掺杂的多晶硅氧化层栅极氧化层源极(S)漏极(D)栅极(G)n+n+P型硅基板栅极（多晶硅）绝缘层（SiO2）半导体基板漏极源极silicon substratesilico
2、n substrate氧化层silicon substrateShadow on photoresist曝光区掩模版Ultraviolet Lightsilicon substrate非感光区域silicon substrate感光区域silicon substratesilicon substratesilicon substratesilicon substratesilicon substratesilicon substrate沉积氧化层silicon substrate栅极氧化层栅极氧化层silicon substrate栅极氧化层silicon substrategate栅极氧化层
3、多晶硅栅极silicon substrategate离子注入形成源极sourcedrain离子源光刻胶在离子注入后去除silicon substrategatesourcedrainsilicon substratesourcedrain氮化物silicon substrate连接孔drainsourcesilicon substrate连接孔drainsourcesilicon substratedrainsource连接点PVDCVDALD数据来源：应用材料，西南证券整理数据来源：中国报告网数据来源：中国报告网数据来源：Screen数据来源：Screen数据来源：Screen数据来源：盛美
4、半导体数据来源：中国产业信息网数据来源：中国产业信息网数据来源：各公司官网总结公司EUV光刻机（台）ArFi光刻机（台）ArF光刻机（台）KrF光刻机（台）i-line光刻机（台）总计（台）ASML26539494691261209Nikon0734664119302Canon00090319409总计26612956235641920数据来源：各公司官网总结数据来源：ASML官网数据来源：ASML官网数据来源：Canon官网数据来源：SMEE官网数据来源：中国产业信息网数据来源：BARRONS数据来源：LAMResearch数据来源：LAMResearch数据来源：应用材料官网数据来源：Va
5、riantMarketResearch数据来源：VariantMarketResearch数据来源：中国产业信息网数据来源：中国产业信息网数据来源：应用材料数据来源：应用材料数据来源：北方华创数据来源：北方华创数据来源：应用材料数据来源：VLSI数据来源：wind数据来源：wind数据来源：wind数据来源：科磊官网数据来源：各公司官网排名公司主要产品领域2017年营收（单位：亿美元）较2016年增长率（%）1美国应用材料（AppliedMaterials）沉积、刻蚀、离子注入、化学机械研磨等107382美国泛林半导体（LamResearch）刻蚀、沉积、清洗等84.4623日本东京电子（To
6、kyoElectron）沉积、刻蚀、匀胶显影设备等72.03484荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备71.86415美国科磊半导体（KLA-Tencor）硅片检测、量测设备28.32176日本迪恩士（ScreenSemiconductorSolution）清洗、刻蚀设备13.917韩国的细美事（SEMES）清洗、封装设备10.51428日本日立高新（Hitachihigh-technologies）沉积、刻蚀、封装贴片设备10.359日本日立国际电气（HitachiKOKUSAI）热处理设备9.78410日本大幅（Daifuku）无尘室搬运设备6.94611荷兰先域（ASMInternational）沉积、封装键合设备6.53112日本尼康（Nikon）光刻设备6.3-16数据来源：SEMI数据来源：wsts数据来源：wind数据来源：北方华创数据来源：中国产业信息网
