1、大规模模拟集成电路1MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路2本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路3从双极型到MOS晶体管的过度大规模模拟集成电路4SIA预测的集成电路工艺发展大规模模拟集成电路5Moore定律大规模模拟集成电路6ISSCC2019论文的分布情况大规模模拟集成电路7不同工艺条件下采用MPW方式加工芯片的成本大规模模拟集成电路8MOS晶体管的版图示意大规模模拟集成电路9MOS晶体管版图：DOXCC与大规模模拟集成电路10MOS晶体管版图：的值DOXCC与大规模模拟集成电路11N-阱 CMOS工艺大规模模拟集成电路12MOS
2、晶体管：的关系以及和DSGSDSVVI大规模模拟集成电路13本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路14MOS晶体管IDS与VDS间的关系大规模模拟集成电路15MOS晶体管参数：,OXCKP大规模模拟集成电路16实例：作用于电容的模拟开关大规模模拟集成电路17实例：作用于电阻的模拟开关大规模模拟集成电路18体效应：寄生JFET大规模模拟集成电路19VBS不为零条件下的模拟开关大规模模拟集成电路20本讲内容 MOS晶
3、体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路21MOS晶体管：IDS与VGS的关系大规模模拟集成电路22MOST小信号模型：gm与rDS大规模模拟集成电路23跨导（传输电导）gm大规模模拟集成电路24MOST小信号模型：rDS大规模模拟集成电路25MOST小信号增益：AV大规模模拟集成电路26大增益设计大规模模拟集成电路27实例：单晶体管放大器大规模模拟集成电路28PMOS小信号模型大规模模拟集成电路29MOST小信号模型：gm与gmb
4、大规模模拟集成电路30本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路31弱反条件下gm、IDS 与VGS的关系大规模模拟集成电路32跨导gm 与VGS的关系大规模模拟集成电路33转换电压VGSt 与弱反(wi)和强反(si)大规模模拟集成电路34不同沟道长度L下的转换电压VGSt大规模模拟集成电路35弱反(wi)和强反(si)之间的转换大规模模拟集成电路36弱反(wi)和强反(si)与比值gm/IDS大规模模拟集成电路3
5、7wi和si 间平滑变换EKV模型大规模模拟集成电路38弱反(wi)和强反(si)转换的电流IDSt大规模模拟集成电路39VGS VT与电流变换系数i间的关系大规模模拟集成电路40弱反和强反条件下的跨导gm大规模模拟集成电路41GM与反型状态系数i大规模模拟集成电路42本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路43速度饱和条件下IDS和gm与VGS之间的关系大规模模拟集成电路44饱和区与速度饱和大规模模拟集成电路45
6、跨导gm与VGS大规模模拟集成电路46速度饱和：Vsat与大规模模拟集成电路47速度饱和：Vsat、与RS大规模模拟集成电路48强反(si)与速度饱和(vs)之间的转换电压VGSTvs大规模模拟集成电路49强反与速度饱和之间的转换电流VIDSvs大规模模拟集成电路50强反(si)与速度饱和(vs)状态的跨导gm大规模模拟集成电路51是速度饱和吗？大规模模拟集成电路52不同时期晶体管技术的强反、速度饱和的VGS-VT的数值大规模模拟集成电路53MOST在强反状态的工作范围大规模模拟集成电路54不同L条件下gm与VGS的关系(tox相同）大规模模拟集成电路55不同tox条件下gm与VGS的关系(t
7、oxLmin/50）大规模模拟集成电路56MOST的IDS,gm以及gm/IDS大规模模拟集成电路57栅电流大规模模拟集成电路58本讲内容 MOS晶体管模型 作为电阻的MOS晶体管 在强反状态作为放大器件的MOS晶体管 在弱反和强反状态之间的变换 在强反和速度饱和状态之间变换 电容与fT 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路59MOS晶体管电容大规模模拟集成电路60MOST的电容CGS与CGD大规模模拟集成电路61MOS晶体管的fT（条件iDS=iGS)大规模模拟集成电路62高速设计大规模模拟集成电路63fT的最大值与沟道长度L的关系大规模模拟集成电路64强反与速度饱
8、和条件下fT的模型大规模模拟集成电路65强反与弱反条件下fT的模型大规模模拟集成电路66fT与状态系数i的关系大规模模拟集成电路67实例：是fT吗?（L=Lmin）大规模模拟集成电路68MOST电容CSB和CDB大规模模拟集成电路69射频（RF）模型大规模模拟集成电路70MOST简单模型总结大规模模拟集成电路71MOST模型逐渐复杂，参数增加大规模模拟集成电路72MOS模型的检验大规模模拟集成电路73本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路74双极型晶体管（BJT）大规模模拟集成电路75双极型晶体管的ICE与VBE大规模模拟集成电路76BJT的
9、小信号模型：gm与ro大规模模拟集成电路77BJT的电容：C大规模模拟集成电路78BJT的电容：CD大规模模拟集成电路79BJT的电容：C与CCS大规模模拟集成电路80双极型晶体管：fT大规模模拟集成电路81双极型晶体管：fT与ICE大规模模拟集成电路82BJT模型简单总结大规模模拟集成电路83本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较大规模模拟集成电路84比较之一大规模模拟集成电路85比较之二：最小VDS大规模模拟集成电路86比较之之三：gm/IDS大规模模拟集成电路87选择gm的设计参数大规模模拟集成电路88比较大规模模拟集成电路89本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较
