1、常见的密堆积类型常见密堆积型式常见密堆积型式面心立方最密堆积（面心立方最密堆积（A1A1）六方最密堆积（六方最密堆积（A3A3）体心立方密堆积（体心立方密堆积（A2A2）最密最密非最密非最密晶体结构内容的相互关系晶体结构内容的相互关系晶晶体体晶体结构基本概念晶体类型及其性质堆积类型面心立方最密堆积六方最密堆积体心立方密堆积简单立方堆积最密堆积非最密堆积密堆积原理是一个把中学化学的晶体结构内容联系起来的一个桥梁性的理论体系。1.面心立方最密堆积面心立方最密堆积(A1)和六方最密堆积和六方最密堆积(A3)面心立方最密堆积面心立方最密堆积(A1)和和六方最密堆积六方最密堆积(A3)从上面的等径圆球密
2、堆积图中可以看出：从上面的等径圆球密堆积图中可以看出：只有只有1 1种堆积形式种堆积形式;每个球和周围每个球和周围6 6个球相邻接个球相邻接,配位数位配位数位6,6,形形成成6 6个三角形空隙个三角形空隙;每个空隙由每个空隙由3 3个球围成个球围成;1.1.由由NN个球堆积成的层中有个球堆积成的层中有2N2N个空隙个空隙,即球数：空隙数即球数：空隙数=1=1：2 2。两层球的堆积情况图两层球的堆积情况图 1.1.在第一层上堆积第二层时，要形成最密堆积，在第一层上堆积第二层时，要形成最密堆积，必须把球放在第二层的空隙上。这样，仅有半数必须把球放在第二层的空隙上。这样，仅有半数的三角形空隙放进了球
3、，而另一半空隙上方是第的三角形空隙放进了球，而另一半空隙上方是第二层的空隙。二层的空隙。2.2.第一层上放了球的一半三角形空隙，被第一层上放了球的一半三角形空隙，被4 4个球个球包围，形成四面体空隙；另一半其上方是第二层包围，形成四面体空隙；另一半其上方是第二层球的空隙，被球的空隙，被6 6个球包围，形成八面体空隙。个球包围，形成八面体空隙。两层堆积情况分析两层堆积情况分析三层球堆积情况分析三层球堆积情况分析 第二层堆积时形成了两种空隙：第二层堆积时形成了两种空隙：四面体空隙和四面体空隙和八面体空隙。八面体空隙。那么，在堆积第三层时就会产那么，在堆积第三层时就会产生两种方式：生两种方式：1.1
4、.第三层等径圆球的突出部分落在正四面体空第三层等径圆球的突出部分落在正四面体空隙上，其排列方式与第一层相同，但与第二隙上，其排列方式与第一层相同，但与第二层错开，形成层错开，形成ABABABAB堆积。这种堆积方式可堆积。这种堆积方式可以从中划出一个以从中划出一个六方六方单位来，所以称为单位来，所以称为六方六方最密堆积（最密堆积（A3A3）。2.2.另一种堆积方式是第三层球的突出部分另一种堆积方式是第三层球的突出部分落在第二层的八面体空隙上。这样，第三落在第二层的八面体空隙上。这样，第三层与第一、第二层都不同而形成层与第一、第二层都不同而形成ABCABCABCABC的结构。这种堆积方式可以从的结
5、构。这种堆积方式可以从中划出一个中划出一个立方面心单位立方面心单位来，所以称为来，所以称为面面心立方最密堆积（心立方最密堆积（A1A1）。六方最密堆积（六方最密堆积（A3）图）图六方最密堆积（六方最密堆积（A3）分解图）分解图面心立方最密堆积（面心立方最密堆积（A一）图一）图面心立方最密堆积（面心立方最密堆积（A1）分解图）分解图A1 型最密堆积图片型最密堆积图片将密堆积层的相对位置按照将密堆积层的相对位置按照ABCABCABCABC方式作方式作最密堆积，重复的周期为最密堆积，重复的周期为3 3层。这种堆积可划出层。这种堆积可划出面心立方晶胞。面心立方晶胞。A3型最密堆积图片型最密堆积图片将密
6、堆积层的相对位置按照将密堆积层的相对位置按照ABABABABABAB方式作方式作最密堆积，这时重复的周期为两层。最密堆积，这时重复的周期为两层。A1、A3型堆积小结型堆积小结 同一层中球间有三角形空隙，平均每个球摊列同一层中球间有三角形空隙，平均每个球摊列2个空隙。个空隙。第二层一个密堆积层中的突出部分正好处于第一层的空第二层一个密堆积层中的突出部分正好处于第一层的空隙即凹陷处，第二层的密堆积方式也只有一种，但这两隙即凹陷处，第二层的密堆积方式也只有一种，但这两层形成的空隙分成两种层形成的空隙分成两种 正四面体空隙（被四个球包围）正四面体空隙（被四个球包围）正八面体空隙（被六个球包围）正八面体
7、空隙（被六个球包围）突出部分落在正四面体空隙突出部分落在正四面体空隙 AB堆积堆积 A3（六方）（六方）突出部分落在正八面体空隙突出部分落在正八面体空隙 ABC堆积堆积A1（面心立方）（面心立方）第三层第三层 堆积堆积 方式有两种方式有两种A1、A3型堆积的比较以上两种最密堆积方式，每个球的配位数为以上两种最密堆积方式，每个球的配位数为12。有相同的堆积密度和空间利用率有相同的堆积密度和空间利用率(或堆积系数或堆积系数)，即球体积与整个堆积体积之比。均为即球体积与整个堆积体积之比。均为74.05%。空隙数目和大小也相同，空隙数目和大小也相同，N个球（半径个球（半径R）；）；2N个四面体空隙，可
8、容纳半径为个四面体空隙，可容纳半径为0.225R的小球；的小球；N个八面体空隙，可容纳半径为个八面体空隙，可容纳半径为0.414R的小球。的小球。A1、A3的密堆积方向不同：的密堆积方向不同：A1：立方体的体对角线方向，共：立方体的体对角线方向，共4条，故有条，故有4个密堆积方向个密堆积方向（111）（）（11）（）（1 1）（）（11 ），易向不同方向滑动，而具有良好的延展性。易向不同方向滑动，而具有良好的延展性。如如Cu.A3：只有一个方向，即六方晶胞的：只有一个方向，即六方晶胞的C轴方向，轴方向，延展性差，较脆，如延展性差，较脆，如Mg.111空间利用率的计算空间利用率的计算空间利用率：
9、指构成晶体的原子、离子或分子在空间利用率：指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。整个晶体空间中所占有的体积百分比。球体积球体积 空间利用率空间利用率=100%晶胞体积晶胞体积A3型最密堆积的空间利用率计算型最密堆积的空间利用率计算解：解：在在A3型堆积中取出六方晶胞，平行六面体的底是型堆积中取出六方晶胞，平行六面体的底是平行四边形，各边长平行四边形，各边长a=2r，则平行四边形的面积：，则平行四边形的面积：平行六面体的高：平行六面体的高：22360sinaaaSaaah3623622的四面体高边长为33228236223raaaV晶胞)2(3423个球晶胞中有球rV%
10、05.74%100晶胞球VVA1型堆积方式的空间利用率计算型堆积方式的空间利用率计算%05.74344:4232333晶胞球球晶胞空间利用率个球晶胞中含解：VVrVraV2.体心立方密堆积（体心立方密堆积（A2）A2不是最密堆积。不是最密堆积。每个球有八个最近的配体每个球有八个最近的配体（处于边长为（处于边长为a的立方体的的立方体的8个顶点）和个顶点）和6个稍远个稍远的配体，分别处于和这个立方体晶胞相邻的六的配体，分别处于和这个立方体晶胞相邻的六个立方体中心。故其配体数可看成是个立方体中心。故其配体数可看成是14，空间，空间利用率为利用率为68.02%.每个球与其每个球与其8个相近的配体距离个
11、相近的配体距离与与6个稍远的配体距离个稍远的配体距离addd15.132ad23A2型密堆积图片型密堆积图片3.金刚石型堆积（金刚石型堆积（A4）配位数为配位数为4，空间利用率为，空间利用率为 34.01%，不是密堆积。这，不是密堆积。这 种堆积方式的存在因为原种堆积方式的存在因为原 子间存在着有方向性的共子间存在着有方向性的共 价键力。如价键力。如Si、Ge、Sn等。等。边长为边长为a的单位晶胞含半径的单位晶胞含半径 的球的球8个。个。ar834.堆积方式及性质小结堆积方式堆积方式 点阵形式点阵形式 空间利用率空间利用率 配位数配位数 Z 球半径球半径面心立方面心立方最密堆积最密堆积(A1)
12、面心立方面心立方 74.05%12 4 六方最密六方最密堆积堆积(A3)六方六方 74.05%12 2体心立方体心立方密堆积密堆积(A2)体心立方体心立方 68.02%8(或或14)2 金刚石型金刚石型 堆积堆积(A4)面心立方面心立方 34.01%4 8ra22acrba3622ar43ar835.堆积方式与晶胞关系堆积方式与晶胞关系A1面心立方晶胞A2体心立方晶胞A4面心立方晶胞A3六方晶胞 六方晶胞中a=bc,=90,=120晶体类型晶体类型根据形成晶体的化合物的种类不同可以根据形成晶体的化合物的种类不同可以将晶体分为：离子晶体、分子晶体、原将晶体分为：离子晶体、分子晶体、原子晶体和金属
13、晶体。子晶体和金属晶体。1.离子晶体离子晶体离子键无方向性和饱和性，在离子晶体中正、负离子尽可能地与异号离子接触，采用最密堆积。离子晶体可以看作大离子进行等径球密堆积，小离子填充在相应空隙中形成的。离子晶体多种多样，但主要可归结为6种基本结构型式。配位多面体的极限半径比配位多面体的极限半径比配位多面体配位多面体 配位数配位数 半径比半径比（r+/r-）min平面三角形 3 0.155四面体 4 0.225八面体 6 0.414立方体 8 0.732立方八面体 12 1.000构性判断构性判断半径比半径比（r+/r-）推测构型推测构型 0.225-0.414 四面体配位四面体配位 0.414-0
14、.732 八面体配位八面体配位 0.732 立方体配位立方体配位影响晶体结构的其它因素影响晶体结构的其它因素M-XM-X间的共价键，方向性；间的共价键，方向性；有的过渡金属形成有的过渡金属形成M-MM-M键，使配位多面键，使配位多面体变形；体变形；M M周围的配体周围的配体X X的配位场效应使离子配位的配位场效应使离子配位多面体变形。多面体变形。实验测定是最终标准。实验测定是最终标准。（1）NaCl（1）立方晶系，面心立方晶胞；）立方晶系，面心立方晶胞；（2）Na+和和Cl-配位数都是配位数都是6；（3）Z=4（4）Na+，C1-，离子键。，离子键。（5）Cl-离子和离子和Na+离子沿（离子沿
15、（111）周期为）周期为|AcBaCb|地堆积，地堆积，ABC表示表示Cl-离子，离子，abc表示表示Na+离子；离子；Na+填充在填充在Cl-的正八面体空隙中。的正八面体空隙中。NaCl的晶胞结构和密堆积层排列的晶胞结构和密堆积层排列(NaCl,KBr,RbI,MgO,CaO,AgCl)ZnS ZnS是是S2-最密堆积，最密堆积，Zn2+填充在一半四面体空隙填充在一半四面体空隙中。分立方中。分立方ZnS和六方和六方ZnS。立方立方ZnS（1）立方晶系，面心立方晶胞；）立方晶系，面心立方晶胞；Z=4（2）S2-立方最密堆积立方最密堆积|AaBbCc|（3）配位数）配位数4：4。（4）Zn原子位
16、于面心点阵的阵原子位于面心点阵的阵点位置上；点位置上；S原子也位于另一个这原子也位于另一个这样的点阵的阵点位置上，后一个点阵对于前一个点阵样的点阵的阵点位置上，后一个点阵对于前一个点阵的位移是体对角线底的位移是体对角线底1/4。原子的坐标是：。原子的坐标是：4S：0 0 0，1/2 1/2 0，1/2 0 1/2，0 1/2 1/2；4Zn:1/4 1/4 1/4,3/4 3/4 1/4,3/4 1/4 3/4,1/4 3/4 3/4六方六方ZnS（1）六方晶系，简单六方晶胞。）六方晶系，简单六方晶胞。（2）Z=2（3）S2-六方最密堆积六方最密堆积|AaBb|。（4）配位数）配位数4：4。（
17、6）2s：0 0 0，2/3 1/3 1/2；2Zn：0 0 5/8，2/3 1/3 1/8。CaF2型型（萤石）（萤石）（1）立方晶系，面心立方晶胞。）立方晶系，面心立方晶胞。（2）Z=4（3）配位数）配位数8：4。（4）Ca2+，F-，离子键。，离子键。（5）Ca2+立方最密堆积，立方最密堆积，F-填充在全部填充在全部 四面体空隙中。四面体空隙中。（6）Ca2+离子配列在面心立方点阵的阵点位置离子配列在面心立方点阵的阵点位置上，上，F-离子配列在对离子配列在对Ca2+点阵的位移各为对角点阵的位移各为对角线的线的1/4与与3/4的两个面心立方点阵的阵点上。的两个面心立方点阵的阵点上。原子坐标
18、是：原子坐标是：4Ca2+：0 0 0，1/2 1/2 0，1/2 0 1/2，0 1/2 1/2；8F-：1/4 1/4 1/4，3/4 3/4 1/4，3/4 1/4 3/4，1/4 3/4 3/4，3/4 3/4 3/4，1/4 1/4 3/4，1/4 3/4 1/4，3/4 1/4 1/4。CaF2结构图片结构图片CaF2的结构图CsCl型型:（1）立方晶系，简单立方晶胞。）立方晶系，简单立方晶胞。（2）Z=1。（3）Cs+，Cl-，离子键。，离子键。（4）配位数）配位数8：8。（5）Cs+离子位于简单立方点阵的阵点上位置上，离子位于简单立方点阵的阵点上位置上，Cl-离子也位于另一个这
19、样的点阵的阵点位置上，离子也位于另一个这样的点阵的阵点位置上，它对于前者的位移为体对角线的它对于前者的位移为体对角线的1/2。原子的坐。原子的坐标是：标是：Cl-:0 0 0；Cs+:1/2 1/2 1/2(CsCl,CsBr,CsI,NH4Cl)TiO2型型（1）四方晶系，体心四方晶胞。）四方晶系，体心四方晶胞。（2）Z=2（3）O2-近似堆积成六方密堆积结构，近似堆积成六方密堆积结构，Ti4+填入一填入一 半的八面体空隙，每个半的八面体空隙，每个O2-附近有附近有3个近似于个近似于 正三角形的正三角形的Ti4+配位。配位。（4）配位数）配位数6：3。TiO2结构图片结构图片2.分子晶体分子
20、晶体定义：单原子分子或以共价键结合的有限定义：单原子分子或以共价键结合的有限分子，由范德华力凝聚而成的晶体。分子，由范德华力凝聚而成的晶体。范围：全部稀有气体单质、许多非金属单范围：全部稀有气体单质、许多非金属单质、一些非金属氧化物和绝大多数有机化质、一些非金属氧化物和绝大多数有机化合物都属于分子晶体。合物都属于分子晶体。特点：以分子间作用力结合，相对较弱。特点：以分子间作用力结合，相对较弱。除范德华力外，氢键是有些分子晶体中重除范德华力外，氢键是有些分子晶体中重要的作用力。要的作用力。氢键氢键定义：定义：，是极性很大的是极性很大的共价键，、是电负性很强的原子。共价键，、是电负性很强的原子。氢
21、键的强弱介于共价键和范德华力之间；氢键的强弱介于共价键和范德华力之间；氢键由方向性和饱和性；氢键由方向性和饱和性；间距为氢键键长，间距为氢键键长，夹角夹角为氢键键角（通常为氢键键角（通常100100180 180 ）；一般来）；一般来说，键长越短，键角越大，氢键越强。说，键长越短，键角越大，氢键越强。氢键对晶体结构有着重大影响。氢键对晶体结构有着重大影响。3.原子晶体原子晶体定义：以共价键形成的晶体。定义：以共价键形成的晶体。共价键由方向性和饱和性，因此，原子晶共价键由方向性和饱和性，因此，原子晶体一般硬度大，熔点高，不具延展性。体一般硬度大，熔点高，不具延展性。代表：金刚石、代表：金刚石、S
22、i、Ge、Sn等的单质，等的单质，C3N4、SiC、SiO2等。等。4.金属晶体金属晶体金属键是一种很强的化学键，其本质是金金属键是一种很强的化学键，其本质是金属中自由电子在整个金属晶体中自由运动，属中自由电子在整个金属晶体中自由运动，从而形成了一种强烈的吸引作用。从而形成了一种强烈的吸引作用。绝大多数金属单质都采用绝大多数金属单质都采用A1、A2和和A3型型堆积方式；而极少数如：堆积方式；而极少数如：Sn、Ge、Mn等等采用采用A4型或其它特殊结构型式。型或其它特殊结构型式。金属晶体ABABAB,配位数：12.例：Mg and ZnABCABC,配为数配为数：12，例例:Al,Cu,Ag,A
23、u立方密堆积，面心立方密堆积，面心体心立方体心立方 e.g.,Fe,Na,K,U简单立方（钋，简单立方（钋，Po）简单立方堆积简单立方堆积(a)简单立方：简单立方：d=m/a3=(M/NA)/(2r)3=M/(8NAr3)(b)体心立方：体心立方：d=m/a3=(2M/NA)/(4r/31/2)3=33/2M/(32NAr3)(c)面心立方：面心立方：d=m/a3=(4M/NA)/(81/2r)3=4M/(83/2NAr3)(a):(b):(c)1:1.299:1.414 面心结构密度最大，最稳定面心结构密度最大，最稳定(立方密堆积立方密堆积)密度与金属固体的结构密度与金属固体的结构专题一、空
24、隙专题一、空隙构成晶体的基本粒子之间会形成空隙，因而空隙是晶体结构必不可少的组成部分。掌握晶体结构中空隙的构成和特点，对深刻理解晶体的基本结构规律、分析和解决晶体结构问题有着重要的现实意义。堆积球数堆积球数 四面体空隙数四面体空隙数 八面体空隙数八面体空隙数1 2 1，四面体和八面体空隙分别可容纳，四面体和八面体空隙分别可容纳半径为半径为0.225R和和0.414R的内切球，的内切球，R为堆为堆积球半径。积球半径。图图2例题例题1 1C60的发现开创了国际科学界的一个新领域，除的发现开创了国际科学界的一个新领域，除C60分子本身具有诱人的性质外，人们发现它的金属掺分子本身具有诱人的性质外，人们
25、发现它的金属掺杂体系也往往呈现出多种优良性质，所以掺杂杂体系也往往呈现出多种优良性质，所以掺杂C60成为当今的研究热门领域之一。经测定成为当今的研究热门领域之一。经测定C60晶体为晶体为面心立方结构，晶胞参数面心立方结构，晶胞参数a1420pm。在。在C60中掺杂中掺杂碱金属钾能生成盐，假设掺杂后的碱金属钾能生成盐，假设掺杂后的K填充填充C60分子分子堆积形成的全部八面体空隙，在晶体中以堆积形成的全部八面体空隙，在晶体中以K和和C60存在，且存在，且C60可近似看作与可近似看作与C60半径相同的球体。已半径相同的球体。已知知C的范德华半径为的范德华半径为170pm，K的离子半径的离子半径133
26、pm。（1）掺杂后晶体的化学式为）掺杂后晶体的化学式为 ；晶胞类型；晶胞类型为为 ；如果；如果C60为顶点，那么为顶点，那么K所处的位置所处的位置是是 ；处于八面体空隙中心的；处于八面体空隙中心的K到最邻近的到最邻近的C60中心距离是中心距离是 pm。（2）实验表明）实验表明C60掺杂掺杂K后的晶胞参数几乎没有发后的晶胞参数几乎没有发生变化，试给出理由。生变化，试给出理由。（3）计算预测）计算预测C60球内可容纳半径多大的掺杂原球内可容纳半径多大的掺杂原子。子。解答解答这个题目的关键是掺杂这个题目的关键是掺杂C60晶胞的构建。晶胞的构建。C60形成如下图所示的面心立方晶胞，形成如下图所示的面心
27、立方晶胞，K填充全填充全部八面体空隙，根据本文前面的分析，这就部八面体空隙，根据本文前面的分析，这就意味着意味着K处在处在C60晶胞的体心和棱心，形成晶胞的体心和棱心，形成类似类似NaCl的晶胞结构。这样，掺杂的晶胞结构。这样，掺杂C60的晶胞的晶胞确定后，下面的问题也就迎刃而解了。确定后，下面的问题也就迎刃而解了。（1 1）KCKC6060；面心立方晶胞；体心和棱心；面心立方晶胞；体心和棱心；710pm710pm（晶胞体心到面心的距离，边长的一半。（晶胞体心到面心的距离，边长的一半。（2 2）C C6060分子形成面心立方最密堆积，由其晶胞分子形成面心立方最密堆积，由其晶胞参数可得参数可得C
28、 C6060分子的半径：分子的半径：pmarC5022214202260所以所以C C6060分子堆积形成的八面体空隙可容纳的球分子堆积形成的八面体空隙可容纳的球半径为：半径为：这个半径远大于这个半径远大于K K的离子半径的离子半径133pm133pm，所以，所以对对C C6060分子堆积形成的面心立方晶胞参数几乎没分子堆积形成的面心立方晶胞参数几乎没有影响。有影响。（3 3）因）因r rC60C60502pm502pm，所以空腔半径，即，所以空腔半径，即C C6060球内球内可容纳原子最大半径为：可容纳原子最大半径为：502502170170 2 2162pm162pm pmrr208502414.0414.0堆积容纳合作愉快合作愉快
