1、电子技术公开课电子技术公开课教师：陈梅教师：陈梅随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课课课 题：题：半导体三级管的基本特征半导体三级管的基本特征目的要求：目的要求：1.掌握三极管的结构特点和类型。掌握三极管的结构特点和类型。2.掌握三极管的内部工作条件。掌握三极管的内部工作条件。3.理解掌握三极管的外部工作条件理解掌握三极管的外部工作条件。教学重点：教学重点：三极管的结构特点和工作条件三极管的结构特点和工作条件教学难点教学难点 ：三极管电流放大原理三极管电流放大原理 随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课 1.P型半导
2、体、型半导体、N型半导体材料各有什么特点？型半导体材料各有什么特点？答案：答案：P P型半导体：空穴载流子多于电子载流子型半导体：空穴载流子多于电子载流子 N N型半导体：电子载流子多于空穴载流子型半导体：电子载流子多于空穴载流子2.二极管具有什么特点？二极管具有什么特点？答案：答案：单向导电性单向导电性复习提问：复习提问：随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课引言引言 半导体三极管又称为晶体管或双极型三极管，是半导体三极管又称为晶体管或双极型三极管，是组成各种电子电路的核心器件。组成各种电子电路的核心器件。2.1 1.2.1 1.三级管的结构和类型三级管
3、的结构和类型 三极管有三极管有:两个结两个结 三个电极三个电极 三个区三个区随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三个电极 随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型 随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三个区 随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极 基区基区集电区集电区发射区发射区随州市高级技工
4、学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课两个结随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课工工艺艺特特点点 工艺特点小结：工艺特点小结：不是俩不是俩PN结的简单组合结的简单组合是三极管具有电流放大作用的内部依据是三极管具有电流放大作用的内部依据 BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：基区：较薄，较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：发射区：掺掺杂浓度较高杂浓度
5、较高随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管符号符号随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的分类三极管的分类1.1.按结构区分：有按结构区分：有NPNNPN型和型和PNPPNP型。型。3.3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。2.2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。按材料区分：有硅三极管和锗三极管。4.4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管按功率大小区分：有大功率三极管和小功
6、率三极管 随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理一、外部电压的偏置情况：一、外部电压的偏置情况：随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理由电路图分析可知：由电路图分析可知：Vb Ve：发射结正偏，且导通压降为：发射结正偏，且导通压降为Ube0.7V或或0.3V这是一个重要数据，可以用来检验管子是否正这是一个重要数据，可以用来检验管子是否正常常Vc Vb：集点结反偏，即：集点结反偏，即：Vc Vb Ve随州市高级技工学校 随州市工业学校 htt
7、p:/电子技术公开课电子技术公开课二、载流子的分布情况：二、载流子的分布情况：BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理三、载流子的运动情况：三、载流子的运动情况：BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子区的电子少部分与基区的少部分与基区的空穴复合，形成空穴复合，形成电流电流IBE ，多数，多
8、数扩散到集电结。扩散到集电结。发射结正发射结正偏，发射偏，发射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散，形扩散，形成发射极成发射极电流电流IE。随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理BECNNPEBRBECIE集电结反偏，少集电结反偏，少子形成的反向电子形成的反向电流流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩从基区扩散来的电散来的电子作为集子作为集电结的少电结的少子，漂移子，漂移进入集电进入集电结而被收结而被收集，形成集，形成ICE。随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开
9、课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理注意：注意：三极管制作成型后，多子在基区复合与扩散的比例三极管制作成型后，多子在基区复合与扩散的比例基本保持不变，即：基本保持不变，即：BCCBOBCBOCBECEIIIIIIII随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课三极管的基本特征三极管的基本特征 1、具有电流放大作用：具有
10、电流放大作用：在基极引入小电流，再集电极在基极引入小电流，再集电极就会得到大电流就会得到大电流2、或电流控制作用：或电流控制作用：改变的改变的IB大小，大小，IC就随之成比就随之成比例地改变，即例地改变，即IB控制控制Ic3、各极电流的数量关系各极电流的数量关系IC=IBIE=IC+IB=（1）IB随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课课堂讨论课堂讨论1.1.三极管具有电流放大作用的内部条件？三极管具有电流放大作用的内部条件？发射结正偏，集电结反偏：发射结正偏，集电结反偏：NPNNPN型三极管：型三极管：Vc Vb VeVc Vb Ve PNP PNP型三
11、极管：型三极管：Vc Vb Ve Vc Vb Vb Ve Vc Vb Ve NPN NPN1 12 23 3随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课课堂小结课堂小结 三极管的结构特点：三极管的结构特点：三极、三区、二极三极、三区、二极三极管的基本特征：三极管的基本特征：具有电流放大作用：具有电流放大作用：两个工作条件：两个工作条件：内部条件：内部条件：三个三个区的特殊工艺结构区的特殊工艺结构 外部条件：外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：发射结正偏，集点结反偏，即：NPN型三极管：型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：型三极管：Vc Vb Ve 两个数量关系：两个数量关系：IE=IC+IB IC=IB一个重要数据：一个重要数据：UBE0.7V或或0.3V随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术公开课电子技术公开课布置作业布置作业课本课本P41P41练习。练习。电子技术公开课 教师：陈梅 再见
