第六章第六章设计设计和双向集成电路的集成电路的设计设计保护电路输入端保护电路输出端保护电路电源的保护电路三态输出的双向缓冲器保护电路保护电路如果晶体管的栅氧化层上有很大的电压,会造成氧化层击穿,使器件永久破坏随着器件尺寸减小,栅氧化层不断减,1静态静态CMOS逻辑电路逻辑电路复杂逻辑门复杂逻辑门2C
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1、第六章第六章设计设计和双向集成电路的集成电路的设计设计保护电路输入端保护电路输出端保护电路电源的保护电路三态输出的双向缓冲器保护电路保护电路如果晶体管的栅氧化层上有很大的电压,会造成氧化层击穿,使器件永久破坏随着器件尺寸减小,栅氧化层不断减。
2、1静态静态CMOS逻辑电路逻辑电路复杂逻辑门复杂逻辑门2CMOS复杂逻辑门复杂逻辑门n静态静态CMOS逻辑门的构成逻辑门的构成n复杂复杂CMOS逻辑门的分析与设计逻辑门的分析与设计n异或门异或门n类类NMOS逻辑电路逻辑电路3CLCLCL大。
3、1静态静态CMOS逻辑电路逻辑电路复杂逻辑门复杂逻辑门2CMOS复杂逻辑门复杂逻辑门n静态静态CMOS逻辑门的构成逻辑门的构成n复杂复杂CMOS逻辑门的分析与设计逻辑门的分析与设计n异或门异或门n类类NMOS逻辑电路逻辑电路3与非门复杂逻辑。
4、1第四章第四章基本单元电路基本单元电路4,8传输门逻辑电路传输门逻辑电路2传输门逻辑电路传输门逻辑电路n传输门组合逻辑传输门组合逻辑n传输门阵列传输门阵列n传输门逻辑形式,传输门逻辑形式,CPL和和DPL,3AYCC12AYCCB12两个传。
5、1第五章第五章数字集成电路基本模块数字集成电路基本模块5,3加法器电路加法器电路2加法器n二进制加法n加法器结构设计n加法器电路设计3行波进位加法器,串行进位链进位逻辑求和逻辑G,P逻辑AiBiGiPiCi,1CiSi进位逻辑求和逻辑G,P。
6、第四章第四章单元电路单元电路,反相器的设计反相器的设计反相器反相器,反相器的直流特性反相器的直流特性,反相器的瞬态特性反相器的瞬态特性,反相器的设计反相器的设计反相器反相器反相器的设计变量包括反相器的设计变量包括和和的宽度和长度的宽度和长度。
7、第五章第五章数字集成电路基本模块数字集成电路基本模块5,1组合逻辑电路组合逻辑电路组合逻辑电路n组合逻辑电路基础n多路器和逆多路器n编码器和译码器2组合逻辑电路n对于组合逻辑电路,若电路有m个输入,1,2,m,产生n个输出信号y1,y2,y。
8、1第六章第六章CMOSIO设计设计输入缓冲器和输出缓冲器输入输出缓冲器n联系芯片内部电路和封装管脚联系芯片内部电路和封装管脚PCB的功能电路的功能电路n输入缓冲器,将来自输入缓冲器,将来自PCB板的外部信号,通过板的外部信号,通过封装管脚封。
9、第四章第四章CMOS单元电路单元电路4,2反相器瞬态特性反相器瞬态特性2CMOS反相器反相器n4,1CMOS反相器的直流特性反相器的直流特性n4,2CMOS反相器的瞬态特性反相器的瞬态特性n4,3CMOS反相器的设计反相器的设计3直流特性和。
10、1第四章第四章基本单元电路基本单元电路4,7传输门基本特性传输门基本特性2MOS传输门逻辑电路传输门逻辑电路nNMOSPMOS传输门特性传输门特性nCMOS传输门特性传输门特性nNMOS传输门的电平恢复传输门的电平恢复3MOS传输门结构传输。
11、第七章第七章存储器存储器,存储器结构存储器结构计算机组成,存储器是数字系统中重要的组成部分,直接影响着系存储器是数字系统中重要的组成部分,直接影响着系统的面积,速度和功耗统的面积,速度和功耗,存储器层次,速度,带宽,与成本的折中速度,带宽。
12、第四章第四章基本单元电路基本单元电路,动态逻辑电路动态逻辑电路,多米诺,多米诺,电路电路由一级动态逻辑门和一级静态反相器构成由一级动态逻辑门和一级静态反相器构成实现不带非逻辑实现不带非逻辑解决级连问题解决级连问题,级连电路中,各级信号会通过。
13、1第四章第四章基本单元电路基本单元电路4,9动态电路基础动态电路基础2动态电路基础动态电路基础n预充求值动态电路预充求值动态电路n动态电路问题动态电路问题n时钟信号的设计时钟信号的设计3动态逻辑电路动态逻辑电路静态电路,静态电路,靠管子稳定。
14、1静态静态CMOS逻辑电路逻辑电路4,4与非门与非门或非门或非门2与非门与非门或非门或非门n与非门的直流特性与非门的直流特性n与非门的瞬态特性与非门的瞬态特性n与非门的设计与非门的设计n或非门或非门只有前提均具备了,结果才发生,这种关系称为。
15、1第第5章章数字集成电路基本模块数字集成电路基本模块5,3时序单元电路时序单元电路2时序单元电路时序单元电路n时序逻辑时序逻辑n双稳态电路双稳态电路nRS锁存器锁存器触发器触发器nD锁存器锁存器触发器触发器n动态时序单元动态时序单元3时序逻。
16、1第四章第四章基本单元电路基本单元电路4,11功耗功耗2功耗n功耗来源功耗来源n影响因素影响因素3CMOS电路功耗的来源电路功耗的来源nCMOS电路功耗的构成电路功耗的构成n动态功耗动态功耗Pd,n开关过程的短路功耗开关过程的短路功耗Psc。
17、第四章第四章CMOS单元电路单元电路反相器直流特性反相器直流特性2CMOS反相器反相器n4,1CMOS反相器的直流特性反相器的直流特性n4,2CMOS反相器的瞬态特性反相器的瞬态特性n4,3CMOS反相器的设计反相器的设计分析过程,数字CM。
18、集成电路原理与设计器件器件器件,多晶硅有源区金属,等效电路等效电路压控电流源压控电流源漏电流,栅漏电流,栅压,漏压,压,漏压,衬底偏压衬底偏压数字电路,的输入特性曲线的输入特性曲线开关特性开关特性当当控制电压控制电压高于高于阈值电阈值电压压。
19、第七章第七章存储器存储器,存储器单元存储器单元存储器单元单元单元单元单元结构和工作原理单元结构和工作原理存储电容,单元工作过程,信息的写入信息的写入信息的读取信息的读取预备动作,位线预充电过程,字线高电平,门管导通,存储电容和位线电容发生电。
20、集成电路原理与设计集成电路原理与设计制作工艺,闩锁效应,版图规则和制作工艺,闩锁效应,版图规则和SOI2第二章第二章集成电路制作工艺集成电路制作工艺n2,1,1集成电路加工的基本操作集成电路加工的基本操作n2,1,2MOS结构和分类结构和分。
21、集成电路原理与设计MOS器件瞬态和无源器件2长沟道长沟道MOS器件模型器件模型3,1,1MOS晶体管阈值电压分析晶体管阈值电压分析3,1,2MOS晶体管电流方程晶体管电流方程3,2,1MOS晶体管的亚阈值电流晶体管的亚阈值电流3,2,2MO。